半絕緣型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造氮化鎵射頻器件。通過在半絕緣型碳化硅襯底上生長氮化鎵外延層,制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進一步制成氮化鎵射頻器件;導電型碳化硅襯底主要應(yīng)用于制造功率器件。與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同,碳化硅功率器件不能直接制作在碳化硅襯底上,需在導電型襯底上生長碳化硅外延層得到碳化硅外延片,并在外延層上制造各類功率器件。大尺寸碳化硅襯底有助于實現(xiàn)降本增效,已成主流發(fā)展趨勢。襯底尺寸越大,單位襯底可生產(chǎn)更多的芯片,因而單位芯片成本越低,同時邊緣浪費的減少將進一步降低芯片生產(chǎn)成本。目前業(yè)內(nèi)企業(yè)量產(chǎn)的碳化硅襯底主要以4英寸和6英寸為主,在半絕緣型碳化硅市場,目前襯底規(guī)格以4英寸為主;而在導電型碳化硅市場,目前主流的襯底產(chǎn)品規(guī)格為6英寸。國際巨頭CREE、II-VI以及國內(nèi)的爍科晶體都已成功研發(fā)8英寸襯底產(chǎn)品。 如何挑選一款適合自己的碳化硅襯底?江蘇碳化硅襯底
碳化硅SiC的應(yīng)用前景由于SiC具有上述眾多優(yōu)異的物理化學性質(zhì),不僅能夠作為一種良好的高溫結(jié)構(gòu)材料,也是一種理想的高溫半導體材料。近20年,伴隨薄膜制備技術(shù)的高速發(fā)展,SiC薄膜已經(jīng)被***應(yīng)用于保護涂層、光致發(fā)光、場效應(yīng)晶體管、薄膜發(fā)光二極管以及非晶Si太陽能電池的窗口材料等。另外,作為結(jié)構(gòu)材料的SiC薄膜還被認為是核聚變堆中比較好的防護材料,在不銹鋼基體上沉積一層SiC薄膜,可以**地降低氚的滲透率,并保持聚變反應(yīng)的穩(wěn)定性??偨Y(jié)起來,SiC具有以下幾個方面的應(yīng)用:(1)高的硬度與熱穩(wěn)定性,可用于***涂層;(2)穩(wěn)定的結(jié)構(gòu),在核反應(yīng)技術(shù)中用作核聚變堆等離子體的面對材料:(3)大的禁帶寬度,可作為光的短波長區(qū)域發(fā)光材料。例如,3C-SiC的Eg=2.2eV,6H-SiC的Eg=2.9eV可分別用作綠色、藍色LED材料,目前SiC藍光LED已經(jīng)商品化;(4)高的熱導率,可作為超大規(guī)模集成電路和特大規(guī)模集成電路的熱沉材料,**提高了電路的集成度;(5)優(yōu)異的電學性能,在功率器件、微波器件、高溫器件和抗輻射器件方面也具有***的應(yīng)用前景。江蘇led碳化硅襯底蘇州好的碳化硅襯底的公司。
碳化硅襯底可分為兩類:一類是具有高電阻率(電阻率≥105Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一類是低電阻率(電阻率區(qū)間為15~30mΩ·cm)的導電型碳化硅襯底。國內(nèi)供需仍存缺口,有效產(chǎn)能不足。我國2020年碳化硅導電型襯底產(chǎn)能約40萬片/年(約當4英寸)、外延片折合6英寸22萬片/年、器件26萬片/年;半絕緣型襯底折算4英寸產(chǎn)能近18萬片/年。受限于良率及技術(shù)影響,目前國內(nèi)實際項目投產(chǎn)較為有限,實際產(chǎn)能開出率較低。隨著新能源汽車、5G等下游應(yīng)用市場的快速起量,國內(nèi)現(xiàn)有產(chǎn)品供給無法滿足需求,目前第三代半導體主要環(huán)節(jié)國產(chǎn)化率仍然較低,超過80%的產(chǎn)品要靠進口。
SiC材料具有良好的電學特性和力學特性,是一種非常理想的可適應(yīng)諸多惡劣環(huán)境的半導體材料。它禁帶寬度較大,具有熱傳導率高、耐高溫、抗腐蝕、化學穩(wěn)定性高等特點,以其作為器件結(jié)構(gòu)材料,可以得到耐高溫、耐高壓和抗腐蝕的SiC-MEMS器件,具有廣闊的市場和應(yīng)用前景。同時SiC陶瓷具有高溫強度大、抗氧化性強、耐磨損性好、熱穩(wěn)定性佳、熱膨脹系數(shù)小、熱導率大、硬度高以及抗熱震和耐化學腐蝕等優(yōu)良特性。因此,是當前有前途的結(jié)構(gòu)陶瓷之一,并且已在許多高技術(shù)領(lǐng)域(如空間技術(shù)、核物理等)及基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)(如石油化工、機械、車輛、造船等)得到應(yīng)用,用作精密軸承、密封件、氣輪機轉(zhuǎn)子、噴嘴、熱交換器部件及原子核反應(yīng)堆材料等。如利用多層多晶碳化硅表面微機械工藝制作的微型電動機,可以在490℃以上的高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作。但是SiC體單晶須在高溫下生長,摻雜難于控制,晶體中存在缺點,特別是微管道缺點無法消除,而且SiC體單晶非常昂貴,因此發(fā)展低溫制備SiC薄膜技術(shù)對于SiC器件的實際應(yīng)用有重大意義。 哪家的碳化硅襯底比較好用點?
碳化硅(SiC)半導體器件在航空、航天探測、核能開發(fā)、衛(wèi)星、石油和地熱鉆井勘探、汽車發(fā)動機等高溫(350~500oC)和抗輻射領(lǐng)域具有重要應(yīng)用; 高頻、高功率的碳化硅(SiC)器件在雷達、通信和廣播電視領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用前景;(目前航天和下屬的四家院所已有兩家開始使用,訂貨1億/年,另兩家還在進行測試,在航天宇航碳化硅器件是不可取代的,可以抵御太空中強大的射線輻射及巨大的差,在核戰(zhàn)或強電磁干擾作用的時候,碳化硅電子器件的耐受能力遠遠強于硅基器件,雷達、通信方面有重要作用性價比高的碳化硅襯底的公司。天津碳化硅襯底進口6寸n型
碳化硅襯底的的參考價格大概是多少?江蘇碳化硅襯底
新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅(qū)動。SiC功率器件主要應(yīng)用于新能源車逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和車載充電器(OBC)等電控領(lǐng)域,以完成較Si更高效的電能轉(zhuǎn)換。預(yù)計隨著新能源車需求快速爆發(fā),以及SiC襯底工藝成熟、帶來產(chǎn)業(yè)鏈降本增效,產(chǎn)業(yè)化進程有望提速。1)應(yīng)用端:解決電動車續(xù)航痛點。據(jù)Wolfspeed測算,將純電動汽車逆變器中的功率組件改成SiC時,可降低電力電子系統(tǒng)的體積、重量和成本,提升車輛5%-10%的續(xù)航。據(jù)英飛凌測算,SiC器件整體損耗相比Si基器件降低80%以上,導通及開關(guān)損耗減小,有助于增加電動車續(xù)航里程。江蘇碳化硅襯底
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