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從襯底的下游晶圓與器件來看,大量生產(chǎn)廠家仍然位于日本、歐洲與美國(guó);但國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠家在襯底領(lǐng)域已經(jīng)擁有了一定的市場(chǎng)份額。根據(jù)Yole數(shù)據(jù),在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場(chǎng)中,貳陸公司(II-IV)、科銳公司(Cree)以及天岳先進(jìn)依次占據(jù)甲的位置,市場(chǎng)份額分別為35%、33%和30%,市場(chǎng)高度集中。從資金來看,國(guó)內(nèi)第三代半導(dǎo)體投資力度高企,力爭(zhēng)追趕國(guó)際廠商。根據(jù)CASA披露的數(shù)據(jù)顯示,2018年至今,國(guó)內(nèi)廠商始終加強(qiáng)布局第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),2020年共有24筆投資擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目,增產(chǎn)投資金額超過694億元,其中碳化硅領(lǐng)域共17筆、投資550億元。碳化硅襯底的的整體大概費(fèi)用是多少?河南進(jìn)口6寸半絕緣碳化硅襯底
碳化硅襯底主要有導(dǎo)電型及半絕緣型兩種。其中,在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅外延片,可進(jìn)一步制成碳化硅功率器件,應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進(jìn)一步制成微波射頻器件,應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。中國(guó)碳化硅襯底領(lǐng)域的研究從20世紀(jì)90年代末開始,在行業(yè)發(fā)展初期受到技術(shù)水平、設(shè)備規(guī)模產(chǎn)能的限制,未能進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。21世紀(jì),中國(guó)企業(yè)歷經(jīng)20年的研發(fā)與摸索,已經(jīng)掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)加工技術(shù)。進(jìn)口碳化硅襯底sic哪家碳化硅襯底的質(zhì)量比較高?
碳化硅襯底主要有導(dǎo)電型及半絕緣型兩種。其中,在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅外延片,可進(jìn)一步制成碳化硅功率器件,應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;在半絕緣型碳化硅襯底上生長(zhǎng)氮化鎵外延層可以制得碳化硅基氮化鎵外延片,可進(jìn)一步制成微波射頻器件,應(yīng)用于5G通訊、雷達(dá)等領(lǐng)域。中國(guó)碳化硅襯底領(lǐng)域的研究從20世紀(jì)90年代末開始,在行業(yè)發(fā)展初期受到技術(shù)水平、設(shè)備規(guī)模產(chǎn)能的限制,未能進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)。21世紀(jì),中國(guó)企業(yè)歷經(jīng)20年的研發(fā)與摸索,已經(jīng)掌握了2-6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)加工技術(shù)。
那氮化鎵外延層為啥也要在碳化硅單晶襯底上長(zhǎng)呢?理論上講,氮化鎵外延層比較好當(dāng)然用本身氮化鎵的單晶襯底,不過在之前的文章中也有提到,氮化鎵的單晶實(shí)在是太難做了點(diǎn),不僅反應(yīng)過程難以控制、長(zhǎng)得特別慢,而且面積較小、價(jià)格昂貴,商業(yè)化很是困難,而碳化硅和氮化鎵有著超過95%的晶格適配度,性能指標(biāo)遠(yuǎn)超其他襯底材料(如藍(lán)寶石、硅、砷化鎵等),因此碳化硅基氮化鎵外延片成為比較好選擇。綜上所述,很容易理解為何碳化硅在業(yè)內(nèi)會(huì)有“黃金賽道”這樣的美稱。對(duì)于碳化硅器件而言,其價(jià)值鏈可分為襯底—外延—晶圓—器件,其中襯底所占的成本比較高為50%——主要原因單晶生長(zhǎng)緩慢且品質(zhì)不夠穩(wěn)定,這也是早年時(shí)SiC沒能得到的推廣的主要原因。不過如今隨著技術(shù)缺陷不斷得到補(bǔ)足,碳化硅單晶襯底的成本正不斷下降,可預(yù)期未來會(huì)是“錢”景無限。以下是國(guó)內(nèi)部分碳化硅襯底供應(yīng)商名單。 哪家的碳化硅襯底的價(jià)格低?
碳化硅襯底材料是新的一代半導(dǎo)體材料,其應(yīng)用領(lǐng)域具有較強(qiáng)的戰(zhàn)略意義。中國(guó)正逐步成長(zhǎng)為全球?qū)捊麕О雽?dǎo)體材料生產(chǎn)的主要競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)之一。碳化硅襯底短期內(nèi)依然會(huì)面臨制備難度大、成本高昂的挑戰(zhàn),目前碳化硅功率器件的價(jià)格仍數(shù)倍于硅基器件,下游應(yīng)用領(lǐng)域仍需平衡碳化硅器件的高價(jià)格與因碳化硅器件的優(yōu)越性能帶來的綜合成本下降之間的關(guān)系。碳化硅半導(dǎo)體主要應(yīng)用于以5G通信、**、航空航天為的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為的電力電子領(lǐng)域,在民用、領(lǐng)域均具有明確且可觀的市場(chǎng)前景作者:見微數(shù)據(jù)鏈接:源:雪球著作權(quán)歸作者所有。商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)聯(lián)系作者獲得授權(quán),非商業(yè)轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。風(fēng)險(xiǎn)提示:本文所提到的觀點(diǎn)只個(gè)人的意見,所涉及標(biāo)的不作推薦,據(jù)此買賣,風(fēng)險(xiǎn)自負(fù)。 碳化硅襯底的價(jià)格哪家比較優(yōu)惠?河北6寸led碳化硅襯底
蘇州高質(zhì)量的碳化硅襯底的公司。河南進(jìn)口6寸半絕緣碳化硅襯底
SiC電子器件是微電子器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。SiC材料的擊穿電場(chǎng)有4MV/cm,很適合于制造高壓功率器件的有源層。而由于SiC襯底存在缺點(diǎn)等原因,將它直接用于器件制造時(shí),性能不好。SiC襯底經(jīng)過外延之后,其表面缺點(diǎn)減少,晶格排列整齊,表面形貌良好,比襯底大為改觀,此時(shí)將其用于制造器件可以提高器件的性能。為了提高擊穿電壓,厚的外延層、好的表面形貌和較低的摻雜濃度是必需的。一些高壓雙極性器件,需外延膜的厚度超過50μm,摻雜濃度小于2×1015cm-3,載流子壽命大過1us。對(duì)于高反壓大功率器件,需要要在4H-SiC襯底上外延一層很厚的、低摻雜濃度的外延層。為了制作10KW的大功率器件,外延層厚度要達(dá)到100μm以上。高壓、大電流、高可靠性SiC電子器件的不斷發(fā)展對(duì)SiC外延薄膜提出了更多苛刻的要求,需要通過進(jìn)一步深入的研究提高厚外延生長(zhǎng)技術(shù)。 河南進(jìn)口6寸半絕緣碳化硅襯底
蘇州豪麥瑞材料科技有限公司在同行業(yè)領(lǐng)域中,一直處在一個(gè)不斷銳意進(jìn)取,不斷制造創(chuàng)新的市場(chǎng)高度,多年以來致力于發(fā)展富有創(chuàng)新價(jià)值理念的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn),在江蘇省等地區(qū)的化工中始終保持良好的商業(yè)口碑,成績(jī)讓我們喜悅,但不會(huì)讓我們止步,殘酷的市場(chǎng)磨煉了我們堅(jiān)強(qiáng)不屈的意志,和諧溫馨的工作環(huán)境,富有營(yíng)養(yǎng)的公司土壤滋養(yǎng)著我們不斷開拓創(chuàng)新,勇于進(jìn)取的無限潛力,豪麥供攜手大家一起走向共同輝煌的未來,回首過去,我們不會(huì)因?yàn)槿〉昧艘稽c(diǎn)點(diǎn)成績(jī)而沾沾自喜,相反的是面對(duì)競(jìng)爭(zhēng)越來越激烈的市場(chǎng)氛圍,我們更要明確自己的不足,做好迎接新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備,要不畏困難,激流勇進(jìn),以一個(gè)更嶄新的精神面貌迎接大家,共同走向輝煌回來!