無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導體/集成電路領域的服務商，成立時間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導體器件、電子測量儀器、電子元器件等相關。公司專注于電子/半導體/集成電路領域，提供從技術服務、產(chǎn)品開發(fā)到進出口貿易的***服務，致力于推動行業(yè)技術進步和市場拓展。 公司將積極響應國家號召，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，努力成為推動中國微電子行業(yè)發(fā)展的重要力量之一。 無錫微原電子科技有限公司在未來將繼續(xù)保持其在電子/半導體/集成電路領域的**地位，通過技術...

以GaN（氮化鎵）為**的第三代半導體材料及器件的開發(fā)是新興半導體產(chǎn)業(yè)的**和基礎，其研究開發(fā)呈現(xiàn)出日新月異的發(fā)展勢態(tài)。GaN基光電器件中，藍色發(fā)光二極管LED率先實現(xiàn)商品化生產(chǎn)成功開發(fā)藍光LED和LD之后，科研方向轉移到GaN紫外光探測器上GaN材料在微波功率方面也有相當大的應用市場。氮化鎵半導體開關被譽為半導體芯片設計上一個新的里程碑。美國佛羅里達大學的科學家已經(jīng)開發(fā)出一種可用于制造新型電子開關的重要器件，這種電子開關可以提供平穩(wěn)、無間斷電源。半導體器件行業(yè)的新篇章，由無錫微原電子科技來書寫！現(xiàn)代化半導體器件品牌 場效應晶體管場效應晶體管依靠一塊薄層半導體受橫向電場影...

本征半導體：不含雜質且無晶格缺陷的半導體稱為本征半導體。在極低溫度下，半導體的價帶是滿帶，受到熱激發(fā)后，價帶中的部分電子會越過禁帶進入能量較高的空帶，空帶中存在電子后成為導帶，價帶中缺少一個電子后形成一個帶正電的空位，稱為空穴?？昭▽щ姴⒉皇菍嶋H運動，而是一種等效。電子導電時等電量的空穴會沿其反方向運動。它們在外電場作用下產(chǎn)生定向運動而形成宏觀電流，分別稱為電子導電和空穴導電。 這種由于電子-空穴對的產(chǎn)生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。 在一定溫度下，電子-空穴...

無錫微原電子科技有限公司的主營業(yè)務主要包括以下方面： 1.半導體器件業(yè)務：集成電路設計：公司擁有專業(yè)的技術團隊，致力于高性能模擬和數(shù)模混合集成電路以及特種分立器件的設計。其設計的集成電路產(chǎn)品廣泛應用于多個領域，如通信設備、消費電子產(chǎn)品等。 2.集成電路測試：具備先進的測試設備和技術，對設計完成的集成電路進行***的測試，包括功能測試、性能測試、可靠性測試等，確保產(chǎn)品的質量和穩(wěn)定性。 3.集成電路制造：擁有自己的生產(chǎn)工廠或與質量的代工廠合作，進行集成電路的制造。在制造過程中，嚴格把控生產(chǎn)工藝和質量控制，以滿足不同客戶對產(chǎn)品的需求。 4.電子元器件銷售：除了自主設計...

中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。 五個部分意義如下： ***部分：用數(shù)字表示半導體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。 第三部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-...

設備按照終端數(shù)量可以分為二端設備、三端設備和多端設備。目前***使用的固態(tài)器件包括晶體管、場效應晶體管(FET)、晶閘管(SCR)、二極管（整流器）和發(fā)光二極管(LED)。半導體器件可以用作單獨的組件，也可以用作集成多個器件的集成電路，這些器件可以在單個基板上以相同的制造工藝制造。 三端設備： 晶體管結型晶體管達林頓晶體管場效應晶體管 (FET)絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)單結晶體管光電晶體管靜態(tài)感應晶體管（SI 晶體管）晶閘管（SCR）門極可關斷晶閘管（GTO）雙向可控硅開關集成門極換流晶閘管 (IGCT)光觸發(fā)晶閘管（LTT）靜態(tài)感應晶閘管（SI晶閘管）。 以后有...

將純半導體單晶熔化成半導體，并緩慢擠壓生長成棒狀。回歸型它是從含有少量施主雜質和受主雜質的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導體，如果慢則生長出N型半導體。因為基極區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半導體中的雜質發(fā)生變化時，根據(jù)晶體的位置，P型或N型半導體會生長。通過這種方法，可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP（或NPN），制作了一個晶體管。 端子電極形成在同一平面上，縮短了電流路徑，具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應用照相技術排列許多元件來制造，因此可以精確地大量生產(chǎn)，利用這一特點，發(fā)明了單片集成電路。 無錫微原電子科技...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導體/集成電路領域的服務商，成立時間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導體器件、電子測量儀器、電子元器件等相關。公司專注于電子/半導體/集成電路領域，提供從技術服務、產(chǎn)品開發(fā)到進出口貿易的***服務，致力于推動行業(yè)技術進步和市場拓展。 公司將積極響應國家號召，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，努力成為推動中國微電子行業(yè)發(fā)展的重要力量之一。 無錫微原電子科技有限公司在未來將繼續(xù)保持其在電子/半導體/集成電路領域的**地位，通過技術...

大多數(shù)半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各種半導體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子）。半導體的整流效應（*在一個方向上通過電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無線電接收器（礦石無線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據(jù)說，使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。無錫微原電子科技，用專業(yè)打造...

如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此，PN結具有單向導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。當外加反向電壓達到一定閾值時，偶極層內部會發(fā)生雪崩擊穿而使電流突然增加幾個數(shù)量級。 利用PN結的這些特性在各種應用領域內制成的二極管有：整流二極管、檢波二極管、變頻二極管、變容二極管、開關二極管、穩(wěn)壓二極管（曾訥二極管）、崩越二極管（碰撞雪崩渡越二極管）和俘越二極管（俘獲等離子體雪崩渡越時間二極管）等。此外，還有利用PN結...

使用半導體空調，與日常生活中使用的空調不同，而是應用于特殊場所中，諸如機艙、潛艇等等。采用相對穩(wěn)定的制冷技術，不僅可以保證快速制冷，而且可能夠滿足半導體制冷技術的各項要求。一些美國公司發(fā)現(xiàn)半導體制冷技術還有一個重要的功能，就是在有源電池中合理應用，就可以確保電源持續(xù)供應，可以超過8小時。在汽車制冷設備中，半導體制冷技術也得到應用。包括農(nóng)業(yè)、天文學以及醫(yī)學領域，半導體制冷技術也發(fā)揮著重要的作用。 難點以及所存在的問題 ：半導體制冷技術的難點半導體制冷的過程中會涉及到很多的參數(shù)，而且條件是復雜多變的。任何一個參數(shù)對冷卻效果都會產(chǎn)生影響。實驗室研究中，由于難以滿足規(guī)定的噪聲，就需要對實...

有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導帶，通過化學的添加，能夠讓其進入到能帶，這樣可以發(fā)生電導率，從而形成有機化合物半導體。這一半導體和以往的半導體相比，具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導電性能，應用的范圍比較廣，主要用于有機薄膜、有機照明等方面。 非晶態(tài)半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長...

無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產(chǎn)品，如計算機、移動電話或是數(shù)字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯(lián)。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。 物質存在的形式多種多樣，固體、液體、氣體、等離子體等等。我們通常把導電性和導電導熱性差或不好的材料，如金剛石、人工晶體、琥珀、陶瓷等等，稱為絕緣體。而把導電、導熱都比較好的金屬如金、銀、銅、鐵、錫、鋁等稱為導體。可以簡單的把介于導體和絕緣體之間的材料稱為半導體。與導體和絕緣體相比，半導體材料的發(fā)現(xiàn)是**晚的，直到20世紀30年代，當材料的...

大功率電源轉換交流電和直流電的相互轉換對于電器的使用十分重要，是對電器的必要保護。這就要用到等電源轉換裝置。碳化硅擊穿電壓強度高，禁帶寬度寬，熱導性高，因此SiC半導體器件十分適合應用在功率密度和開關頻率高的場合，電源轉換裝置就是其中之一。碳化硅元件在高溫、高壓、高頻的優(yōu)異表現(xiàn)使得現(xiàn)在被***使用到深井鉆探，發(fā)電裝置中的逆變器，電氣混動汽車的能量轉化器，輕軌列車牽引動力轉換等領域。由于SiC本身的優(yōu)勢以及現(xiàn)階段行業(yè)對于輕量化、高轉換效率的半導體材料需要，SiC將會取代Si，成為應用*****的半導體材料。無錫微原電子科技，以科技之光點亮半導體器件行業(yè)的前行之路！松江區(qū)進口半導體器件 ...

半導體五大特性∶電阻率特性，導電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。共價鍵結構：相鄰的兩個原子的一對**外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構成共價鍵。自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子?？昭ǎ簝r電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。電子電流：在外加電場的作用下，自由...

無錫微原電子科技有限公司正站在新的起點上，以創(chuàng)新的精神和不懈的努力，不斷推進企業(yè)的發(fā)展壯大。隨著市場的不斷拓展和技術的不斷進步，公司有望在未來的半導體器件行業(yè)中占據(jù)更加重要的位置，為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻。在這個充滿變革和挑戰(zhàn)的時代，無錫微原電子科技有限公司正以其專業(yè)的技術實力和前瞻的市場眼光，書寫著屬于自己的輝煌篇章。隨著公司業(yè)務的不斷拓展和發(fā)展規(guī)劃的逐步實施，我們有理由相信，無錫微原電子科技有限公司將成為半導體器件行業(yè)的一顆耀眼明星，**行業(yè)走向更加美好的未來。無錫微原電子科技，半導體器件行業(yè)的璀璨明珠，閃耀光芒！徐匯區(qū)本地半導體器件 半導體的分...

半導體五大特性∶電阻率特性，導電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。共價鍵結構：相鄰的兩個原子的一對**外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構成共價鍵。自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子。空穴：價電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。電子電流：在外加電場的作用下，自由...

空間電荷區(qū)：擴散到P區(qū)的自由電子與空穴復合，而擴散到N區(qū)的空穴與自由電子復合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動，稱為空間電荷區(qū)。電場形成：空間電荷區(qū)形成內電場?？臻g電荷加寬，內電場增強，其方向由N區(qū)指向P區(qū)，阻止擴散運動的進行。漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。PN結的形成過程：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴散運動的多子數(shù)目等于參與漂移運動的少子數(shù)目，從而達到動態(tài)平衡，形成PN結。電位差：空間電荷區(qū)具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。耗盡層：絕大部分空...

半導體材料的質量系數(shù)不能夠根據(jù)需要得到進一步的提升，這就必然會對半導體制冷技術的應用造成影響。其二，對冷端散熱系統(tǒng)和熱端散熱系統(tǒng)進行優(yōu)化設計，但是在技術上沒有升級，依然處于理論階段，沒有在應用中更好地發(fā)揮作用，這就導致半導體制冷技術不能夠根據(jù)應用需要予以提升。其三，半導體制冷技術對于其他領域以及相關領域的應用存在局限性，所以，半導體制冷技術使用很少，對于半導體制冷技術的研究沒有從應用的角度出發(fā)，就難以在技術上擴展。其四，市場經(jīng)濟環(huán)境中，科學技術的發(fā)展，半導體制冷技術要獲得發(fā)展，需要考慮多方面的問題。重視半導體制冷技術的應用，還要考慮各種影響因素，使得該技術更好地發(fā)揮作用。走進...

無錫微原電子科技有限公司正站在新的起點上，以創(chuàng)新的精神和不懈的努力，不斷推進企業(yè)的發(fā)展壯大。隨著市場的不斷拓展和技術的不斷進步，公司有望在未來的半導體器件行業(yè)中占據(jù)更加重要的位置，為全球電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展做出更大的貢獻。在這個充滿變革和挑戰(zhàn)的時代，無錫微原電子科技有限公司正以其專業(yè)的技術實力和前瞻的市場眼光，書寫著屬于自己的輝煌篇章。隨著公司業(yè)務的不斷拓展和發(fā)展規(guī)劃的逐步實施，我們有理由相信，無錫微原電子科技有限公司將成為半導體器件行業(yè)的一顆耀眼明星，**行業(yè)走向更加美好的未來。無錫微原電子科技，半導體器件行業(yè)的佼佼者，值得信賴與選擇！浙江哪些是半導體器件 美國半導體分立...

把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數(shù)小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集成電路，100000 個元件以上的稱為超大規(guī)模集成電路。集成電路是當前發(fā)展計算機所必需的基礎電子器件。許多工業(yè)先進國家都十分重視集成電路工業(yè)的發(fā)展。集成電路的集成度以每年增加一倍的速度在增長。每個芯片上集成256千位的MOS隨機存儲器已研制成功，正在向1兆位 MOS隨機存儲器探索。無錫微原電子科技，半導體器件行業(yè)的創(chuàng)新之旅，永無止境！六合...

無錫微原電子科技有限公司是一家專注于電子/半導體/集成電路領域的服務商，成立時間在2022年1月18日。坐落于無錫市新吳區(qū)菱湖大道111號軟件園天鵝座C座19層1903室，目前有的板塊有集成電路芯片、半導體器件、電子測量儀器、電子元器件等相關。公司專注于電子/半導體/集成電路領域，提供從技術服務、產(chǎn)品開發(fā)到進出口貿易的***服務，致力于推動行業(yè)技術進步和市場拓展。 公司將積極響應國家號召，緊跟行業(yè)發(fā)展趨勢，努力成為推動中國微電子行業(yè)發(fā)展的重要力量之一。 無錫微原電子科技有限公司在未來將繼續(xù)保持其在電子/半導體/集成電路領域的**地位，通過技術...

美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品。 第二部分：用數(shù)字表示pn結數(shù)目。1-二極管、2=三極管、3-三個pn結器件、n-n個pn結器件。 第三部分：美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊標志。N-該器件已在美國電子工業(yè)協(xié)會（EIA）注冊登記。 第四部分：美國電子工業(yè)協(xié)會登記順序號。多位數(shù)字-該器件在美國電子工業(yè)協(xié)會登記的順序號。 第五部分：用字母表示器件分檔...

空間電荷區(qū)：擴散到P區(qū)的自由電子與空穴復合，而擴散到N區(qū)的空穴與自由電子復合，所以在交界面附近多子的濃度下降，P區(qū)出現(xiàn)負離子區(qū)，N區(qū)出現(xiàn)正離子區(qū)，它們是不能移動，稱為空間電荷區(qū)。電場形成：空間電荷區(qū)形成內電場。空間電荷加寬，內電場增強，其方向由N區(qū)指向P區(qū)，阻止擴散運動的進行。漂移運動：在電場力作用下，載流子的運動稱漂移運動。PN結的形成過程：將P型半導體與N型半導體制作在同一塊硅片上，在無外電場和其它激發(fā)作用下，參與擴散運動的多子數(shù)目等于參與漂移運動的少子數(shù)目，從而達到動態(tài)平衡，形成PN結。電位差：空間電荷區(qū)具有一定的寬度，形成電位差Uho，電流為零。耗盡層：絕大部分空...

載流子的濃度與溫度的關系：溫度一定，本征半導體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電性能變差。結論：本征半導體的導電性能與溫度有關。半導體材料性能對溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。雜質半導體：通過擴散工藝，在本征半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。多數(shù)載流子：N型半導體...

日本半導體分立器件型號命名方法日本生產(chǎn)的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下： ***部分：用數(shù)字表示器件有效電極數(shù)目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn結的其他器件、3-具有四個有效電極或具有三個pn結的其他器件、┄┄依此類推。 第二部分：日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊標志。S-表示已在日本電子工業(yè)協(xié)會JEIA注冊登記的半導體分立器件。 第三部分：用字母表示器件使用材料極性和類型。A-PNP型高頻管、B-PNP型低頻管、C-NPN型高頻管、D-NPN型低頻管、F-P控制極可控硅...

將純半導體單晶熔化成半導體，并緩慢擠壓生長成棒狀?；貧w型它是從含有少量施主雜質和受主雜質的溶液中擠出來的，如果擠出速度快，則生長出P型半導體，如果慢則生長出N型半導體。因為基極區(qū)較厚，高頻特性較差。戈隆擴散當在擠壓過程中添加到溶解半導體中的雜質發(fā)生變化時，根據(jù)晶體的位置，P型或N型半導體會生長。通過這種方法，可以生產(chǎn)二極管的PN和用于二極管的PNP（或NPN），制作了一個晶體管。 端子電極形成在同一平面上，縮短了電流路徑，具有良好的高頻特性。而且由于它可以通過微細加工和應用照相技術排列許多元件來制造，因此可以精確地大量生產(chǎn)，利用這一特點，發(fā)明了單片集成電路。 無錫微原電子科技...

載流子的濃度與溫度的關系：溫度一定，本征半導體中載流子的濃度是一定的，并且自由電子與空穴的濃度相等。當溫度升高時，熱運動加劇，掙脫共價鍵束縛的自由電子增多，空穴也隨之增多（即載流子的濃度升高），導電性能增強；當溫度降低，則載流子的濃度降低，導電性能變差。結論：本征半導體的導電性能與溫度有關。半導體材料性能對溫度的敏感性，可制作熱敏和光敏器件，又造成半導體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。雜質半導體：通過擴散工藝，在本征半導體中摻入少量合適的雜質元素，可得到雜質半導體。N型半導體：在純凈的硅晶體中摻入五價元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。多數(shù)載流子：N型半導體...

大多數(shù)半導體使用單晶硅，但使用的其他材料包括鍺、砷化鎵(GaAs)、砷化鎵、氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)。半導體材料的導電率是由晶體結構中引起自由電子過剩和缺乏的雜質決定的，一般是通過多數(shù)載流子（N型半導體中的電子，P型半導體中的空穴）來負責的，但是，各種半導體，例如晶體管為了在器件中工作，需要少數(shù)載流子（N型半導體中的空穴和P型半導體中的電子）。半導體的整流效應（*在一個方向上通過電流的特性）**初是在方鉛礦晶體中發(fā)現(xiàn)的。早期的無線電接收器（礦石無線電）是在方鉛礦晶體的表面上發(fā)現(xiàn)的，上面涂有稱為“貓須”的鉛存儲工具。據(jù)說，使用了稱為“”的細金屬線的輕微接觸。半導體器件行業(yè)的...

半導體五大特性∶電阻率特性，導電特性，光電特性，負的電阻率溫度特性，整流特性。在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。晶格：晶體中的原子在空間形成排列整齊的點陣，稱為晶格。共價鍵結構：相鄰的兩個原子的一對**外層電子（即價電子）不但各自圍繞自身所屬的原子核運動，而且出現(xiàn)在相鄰原子所屬的軌道上，成為共用電子，構成共價鍵。自由電子的形成：在常溫下，少數(shù)的價電子由于熱運動獲得足夠的能量，掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子?？昭ǎ簝r電子掙脫共價鍵的束縛變成為自由電子而留下一個空位置稱空穴。電子電流：在外加電場的作用下，自由...