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如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開(kāi)機(jī)時(shí)溫度很低,額定電流會(huì)很大或加熱到較高溫度時(shí),額定電流會(huì)很大或加熱到較高溫度時(shí),額定電流會(huì)很大),必須考慮加熱絲整個(gè)工作狀態(tài)的電流值,作為加熱絲的額定電流值來(lái)確定可控硅智能調(diào)壓模塊的規(guī)格大小。正高談智能晶閘管模塊在電氣控制中的應(yīng)用晶閘管模塊出現(xiàn)在1957年,而后隨著半導(dǎo)體技術(shù)及其應(yīng)用技術(shù)的不斷發(fā)展,使晶閘管模塊在電氣控制領(lǐng)域中發(fā)揮了很大的作用,但是,過(guò)去人們只能以分立器件的形式把晶閘管用在各種電氣控制裝置中,由分立器件組成的電路復(fù)雜、體積大,安裝調(diào)試麻煩,可靠性也較差。但是淄博正高電氣生產(chǎn)的智能晶閘管模塊從根本上解決了上述問(wèn)題,下面一起來(lái)看看。智能晶閘管模塊就是將晶閘管模塊主電路與移相觸發(fā)電路以及具有控制功能的電路封裝在同一外殼內(nèi)的新型模塊。智能晶閘管模塊的移相觸發(fā)電路為全數(shù)字電路,功能電路由單片機(jī)完成,并且內(nèi)置有多路電流、電壓、溫度傳感器,通過(guò)模塊上的接插件可將各種控制線引到鍵盤(pán),進(jìn)行各種功能和電氣參數(shù)設(shè)定,并可進(jìn)行LED或LCD顯示。模塊的每支芯片的電流已達(dá)1000A,電壓達(dá)1600~2200V,智能晶閘管模塊實(shí)際上已是一個(gè)準(zhǔn)電力電子裝置。淄博正高電氣敢于承擔(dān)、克難攻堅(jiān)。晶閘管模塊廠家
而且VBO和VRB值隨電壓的重復(fù)施加而變小。在感性負(fù)載的情況下,如磁選設(shè)備的整流裝置。在關(guān)斷的時(shí)候會(huì)產(chǎn)生很高的電壓(∈=-Ldi/dt),假如電路上未有良好的吸收回路,此電壓將會(huì)損壞晶閘管模塊。因此,晶閘管模塊也必須有足夠的反向耐壓VRRM。晶閘管模塊在變流器(如電機(jī)車(chē))中工作時(shí),必須能夠以電源頻率重復(fù)地經(jīng)受一定的過(guò)電壓而不影響其工作,所以正反向峰值電壓參數(shù)VDRM、VRRM應(yīng)保證在正常使用電壓峰值的2-3倍以上,考慮到一些可能會(huì)出現(xiàn)的浪涌電壓因素,在選擇代用參數(shù)的時(shí)候,只能向高一檔的參數(shù)選取。2.選擇額定工作電流參數(shù)可控硅的額定電流是在一定條件的通態(tài)均勻電流IT,即在環(huán)境溫度為+40℃和規(guī)定冷卻條件,器件在阻性負(fù)載的單相工頻正弦半波,導(dǎo)通角不少于l70℃的電路中,當(dāng)穩(wěn)定的額定結(jié)溫時(shí)所答應(yīng)的通態(tài)均勻電流。而一般變流器工作時(shí),各臂的可控硅有不均流因素??煽毓柙诙鄶?shù)的情況也不可能在170℃導(dǎo)通角上工作,通常是少于這一角度。這樣就必須選用可控硅的額定電流稍大一些,一般應(yīng)為其正常電流均勻值的。3.選擇關(guān)斷時(shí)間晶閘管模塊在陽(yáng)極電流減少為0以后,假如馬上就加上正朝陽(yáng)極電壓,即使無(wú)門(mén)極信號(hào),它也會(huì)再次導(dǎo)通。青島晶閘管整流模塊廠家不斷開(kāi)發(fā)新的產(chǎn)品,并建立了完善的服務(wù)體系。
采用強(qiáng)觸發(fā)方式可以使器件的開(kāi)通時(shí)間縮短、開(kāi)通損耗減小、器件耐受di/dt的能力增強(qiáng)。下面,對(duì)正高晶閘管的強(qiáng)觸發(fā)予以詳細(xì)介紹:一.觸發(fā)脈沖幅值對(duì)晶閘管開(kāi)通的影響晶閘管的門(mén)極觸發(fā)電流幅值對(duì)元件的開(kāi)通速度有十分明顯的影響,高的門(mén)極觸發(fā)電流可以明顯降低器件的開(kāi)通時(shí)間。在觸發(fā)脈沖幅值為器件IGT時(shí),器件雖可開(kāi)通,但器件開(kāi)通時(shí)間延遲明顯,會(huì)高達(dá)數(shù)十微妙,這對(duì)于整機(jī)設(shè)備的可靠控制、安全運(yùn)行是不利的。二.觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管開(kāi)通的影響觸發(fā)脈沖上升時(shí)間(陡度)對(duì)晶閘管的開(kāi)通速度也有明顯的影響,觸發(fā)脈沖上升時(shí)間越長(zhǎng),效果就等于降低了門(mén)極觸發(fā)電流。觸發(fā)脈沖越陡,上升時(shí)間越短的情況下,晶閘管的開(kāi)通時(shí)間也越短。三.晶閘管可靠觸發(fā)對(duì)門(mén)極觸發(fā)源要求(1)一般要求:觸發(fā)脈沖電流幅值:IG=10IGT;脈沖上升時(shí)間:tr≤1μs;(2)高di/dt下運(yùn)用:器件在高di/dt下運(yùn)用時(shí),特別是當(dāng)晶閘管的阻斷電壓很高時(shí),在開(kāi)通過(guò)程中門(mén)-陰間橫向電阻所產(chǎn)生的電壓可能會(huì)超過(guò)門(mén)極電壓,嚴(yán)重時(shí),甚至?xí)归T(mén)極電流倒流。這種負(fù)的門(mén)極電流會(huì)引起開(kāi)通損耗增加,可能會(huì)導(dǎo)致器件高di/dt損壞。因此,我們要求在高di/dt下運(yùn)用時(shí),門(mén)極觸發(fā)電源電壓VG不低于20V。
任何運(yùn)行中的設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生一定的熱量,但有些低熱的設(shè)備不需要安裝散熱器,但有些設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中熱量很大,所以安裝散熱器是必要的。我們是否需要為我們經(jīng)常使用的晶閘管模塊安裝散熱器?讓我們看看。當(dāng)電流通過(guò)時(shí),會(huì)產(chǎn)生一定的電壓降,電壓降的存在會(huì)產(chǎn)生一定的功耗。電流越大,耗電量越大,產(chǎn)生的熱量也就越大。如果散熱不快,晶閘管芯片就會(huì)燒壞。因此,當(dāng)需要使用時(shí),必須安裝散熱器。晶閘管組件的散熱狀況是影響其安全性的重要因素。一個(gè)好的散熱條件不可以保證運(yùn)行,防止模塊過(guò)熱而被燒損,這樣可以提高電流輸出的能力,建議在使用大規(guī)格的時(shí)候,選擇一個(gè)有保護(hù)功能的模塊,這樣會(huì)有過(guò)熱保護(hù),當(dāng)然像是散熱器以及風(fēng)扇都是不可或缺的,在使用的時(shí)候,如果出現(xiàn)散熱條件不符合要求的時(shí)候,室溫超過(guò)40°C,則強(qiáng)迫風(fēng)的冷出口風(fēng)速將會(huì)小于6m/s,應(yīng)該降低產(chǎn)品的額定電流,不然的話會(huì)出現(xiàn)模塊,如按規(guī)定采用風(fēng)冷模塊,采用自冷,則電流額定值應(yīng)降低至原值的30-40[%];否則,若改用水冷,則額定電流可提高30-40[%]。在實(shí)際應(yīng)用中,應(yīng)注意以下幾點(diǎn):(1)軸流風(fēng)機(jī)風(fēng)速應(yīng)≥6m/s。(2)如果不能達(dá)到滿負(fù)荷,可以縮短散熱器的長(zhǎng)度。(3)設(shè)備啟動(dòng)前,檢查的所有螺絲是否牢固。淄博正高電氣積極推進(jìn)各項(xiàng)規(guī)則,提高企業(yè)素質(zhì)。
晶閘管模塊為什么會(huì)燒壞呢?晶閘管模塊歸屬于硅元件,硅元件的普遍特征是負(fù)載能力差,因此在應(yīng)用中時(shí)常造成損壞晶閘管模塊的狀況。下面,我們一起來(lái)看看損壞的根本原因:燒壞的原因是由高溫引起的,高溫是由晶閘管模塊的電、熱、結(jié)構(gòu)特性決定的。因此,要保證在開(kāi)發(fā)生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量,應(yīng)從電氣、熱、結(jié)構(gòu)特性三個(gè)方面入手,這三個(gè)方面緊密相連,密不可分。因此,在開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí),應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力和結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞的原因有很多。一般來(lái)說(shuō),晶閘管模塊是在三個(gè)因素的共同作用下燒壞的,由于單一特性的下降,很難造成制動(dòng)管燒壞。因此,我們可以在生產(chǎn)過(guò)程中充分利用這一特點(diǎn),也就是說(shuō),如果其中一個(gè)應(yīng)力不符合要求,可以采取措施提高另外兩個(gè)應(yīng)力來(lái)彌補(bǔ)。根據(jù)晶閘管模塊各相的參數(shù),頻繁事故的參數(shù)包括電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、導(dǎo)通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等。,甚至有時(shí)控制電極可能會(huì)燒壞。由于各參數(shù)性能下降或電路問(wèn)題,晶閘管模塊的燒損現(xiàn)象各不相同,通過(guò)對(duì)燒損晶閘管模塊的解剖可以判斷是哪個(gè)參數(shù)導(dǎo)致了晶閘管模塊的燒損。正常情況下,陰極表面或芯片邊緣有一個(gè)小黑點(diǎn),說(shuō)明是電壓引起的。電壓導(dǎo)致晶閘管模塊燒毀可能有兩種原因。淄博正高電氣公司秉承著“標(biāo)準(zhǔn)、精細(xì)、超越、求精”的質(zhì)量方針。泰安晶閘管調(diào)壓模塊價(jià)格
淄博正高電氣會(huì)為您提供技術(shù)培訓(xùn),科學(xué)管理與運(yùn)營(yíng)。晶閘管模塊廠家
大家使用的是單向晶閘管模塊,也就是人們常說(shuō)的普通晶閘管,它是由四層半導(dǎo)體材料組成的,有三個(gè)PN結(jié),對(duì)外有三個(gè)電極〔圖2(a)〕:層P型半導(dǎo)體引出的電極叫陽(yáng)極A,第三層P型半導(dǎo)體引出的電極叫控制極G,第四層N型半導(dǎo)體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b)〕可以看到,它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷P(guān)鍵是多了一個(gè)控制極G,這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。二、晶閘管模塊的主要工作特性為了能夠直觀地認(rèn)識(shí)晶閘管的工作特性,大家先看這塊示教板(圖3)。晶閘管VS與小燈泡EL串聯(lián)起來(lái),通過(guò)開(kāi)關(guān)S接在直流電源上。注意陽(yáng)極A是接電源的正極,陰極K接電源的負(fù)極,控制極G通過(guò)按鈕開(kāi)關(guān)SB接在3V直流電源的正極(這里使用的是KP5型晶閘管模塊,若采用KP1型,應(yīng)接在)。晶閘管與電源的這種連接方式叫做正向連接,也就是說(shuō),給晶閘管陽(yáng)極和控制極所加的都是正向電壓?,F(xiàn)在我們合上電源開(kāi)關(guān)S,小燈泡不亮,說(shuō)明晶閘管模塊沒(méi)有導(dǎo)通;再按一下按鈕開(kāi)關(guān)SB,給控制極輸入一個(gè)觸發(fā)電壓,小燈泡亮了,說(shuō)明晶閘管模塊導(dǎo)通了。這個(gè)演示實(shí)驗(yàn)給了我們什么啟發(fā)呢?這個(gè)實(shí)驗(yàn)告訴我們,要使晶閘管模塊導(dǎo)通,一是在它的陽(yáng)極A與陰極K之間外加正向電壓。晶閘管模塊廠家
淄博正高電氣有限公司坐落于交通便利、經(jīng)濟(jì)發(fā)達(dá)、文化底蘊(yùn)深厚的淄博市臨淄區(qū),是專(zhuān)業(yè)從事電力電子產(chǎn)品、及其相關(guān)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售及服務(wù)為一體的高科技企業(yè)。主要生產(chǎn)各類(lèi)規(guī)格型號(hào)的晶閘管智能模塊、固態(tài)繼電器模塊、橋臂模塊、整流橋模塊、各類(lèi)控制柜和配套模塊使用的觸發(fā)板、控制板等產(chǎn)品,并可根據(jù)用戶需求進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì)加工。近年來(lái),本公司堅(jiān)持以人為本,始終立足于科技的前沿,狠抓產(chǎn)品質(zhì)量,產(chǎn)品銷(xiāo)往全國(guó)各地,深受用戶的好評(píng)。 淄博正高電氣有限公司伴隨著發(fā)展的腳步,在社會(huì)各界及客戶的大力支持下,生機(jī)勃發(fā),春意盎然。面向未來(lái),前程似錦,豪情滿懷。今后,我們將進(jìn)一步優(yōu)化產(chǎn)品品質(zhì),堅(jiān)持科技創(chuàng)新,一切為用戶著想,以前列的服務(wù)為社會(huì)奉獻(xiàn)高、精、尖的優(yōu)良產(chǎn)品,不斷改進(jìn)、不斷提高是我們不變的追求,用戶滿意是我們追求的方向。正高電氣全體員工恭候各界朋友前來(lái)我公司參觀指導(dǎo),恰談業(yè)務(wù)!