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中頻電源啟動用晶閘管擊穿故障的維修方法正高客戶反映,車間內(nèi)感應(yīng)容量用晶閘管發(fā)生擊穿故障,影響到設(shè)備的正常使用。通過對客戶電路圖的分析,以及設(shè)備故障的排查發(fā)現(xiàn)故障原因如下:當(dāng)設(shè)備按下啟動按鈕之后,中頻電源逆變成功。但是,如果交流器線圈不失電,電路與諧振曹路間的觸點閉合的情況下,設(shè)備內(nèi)部電路回路相同。此時,如果回路直流電壓升高,則容易發(fā)生設(shè)備擊穿問題。此類故障主要發(fā)生于運行時間比較長的設(shè)備,由于設(shè)備年限較長,設(shè)備內(nèi)部電路的元件容易出現(xiàn)老化的現(xiàn)象。在設(shè)備電路接通時,啟動電容電容量較小,電壓的急劇升高,就造成電壓疊加和迅速升高,繼而導(dǎo)致晶閘管擊穿問題的發(fā)生。中頻電源啟動用晶閘管擊穿問題的排除,可以增加電路中電容器電容量,并對擊穿晶閘管進(jìn)行更換,即可解除這一故障。談?wù)呔чl管的強(qiáng)觸發(fā)問題正高晶閘管以其良好的通斷性能,廣泛應(yīng)用于各類儀器設(shè)備當(dāng)中。作為一種電流控制型的雙極型半導(dǎo)體器件,晶閘管能夠向門極提供一個特別陡直的尖峰電流脈沖,以保證在任何時刻均能可靠觸發(fā)晶閘管。晶閘管的門極觸發(fā)脈沖特性對晶閘管的額定值和特性參數(shù)有非常強(qiáng)烈的影響。淄博正高電氣以創(chuàng)百年企業(yè)、樹百年品牌為使命,傾力為客戶創(chuàng)造更大利益!廣東晶閘管智能模塊
簡稱JFET;另一類是絕緣柵型場效應(yīng)管,簡稱IGFET。目前應(yīng)用的絕緣柵型場效應(yīng)管是金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管,簡稱MOSFET。場效應(yīng)管有三個電極:源級(S)、柵極(G)、漏極(D),且可分為P溝道型與N溝道型兩種。正高講解晶閘管的導(dǎo)通條件晶閘管導(dǎo)通的條件是陽極承受正向電壓,處于阻斷狀態(tài)的晶閘管,只有在門極加正向觸發(fā)電壓,才能使其導(dǎo)通。門極所加正向觸發(fā)脈沖的極小寬度,應(yīng)能使陽極電流達(dá)到維持通態(tài)所需要的極小陽極電流,即擎住電流IL以上。導(dǎo)通后的晶閘管管壓降很小。使導(dǎo)通了的晶閘管關(guān)斷的條件是使流過晶閘管的電流減小至一個小的數(shù)值,即維持電流IH以下。單相晶閘管的導(dǎo)通條件與阻斷條件單相晶閘管導(dǎo)通條件:1、晶閘管處于規(guī)定的溫度范圍內(nèi),一般-10℃到60℃;2、晶閘管陽極和陰極之間施加了正向電壓,且電壓幅值至少應(yīng)超過;3、門極與陰極之間施加正向電壓,電壓幅值應(yīng)超過觸發(fā)門檻電壓,必須大于;4、晶閘管導(dǎo)通電流,至少應(yīng)大于其擎住電流,一般是維持電流的2倍左右;5、門極電壓施加的時間,必須超過開通時間,一般應(yīng)超過6μs.單相晶閘管阻斷條件:1、晶閘管處于規(guī)定的溫度范圍內(nèi),一般-10℃到60℃;2、流過晶閘管的電流,必須小于維持電流。泰安晶閘管驅(qū)動模塊生產(chǎn)廠家淄博正高電氣產(chǎn)品質(zhì)量好,收到廣大業(yè)主一致好評。
晶閘管也是在電器元器件中普遍存在的一種產(chǎn)品。軟啟動器中可控硅模塊是比較重要的一環(huán),所以保護(hù)好可控硅模塊能夠的延長軟啟動器的使用壽命??煽毓枘K與其它功率器件一樣,工作時由于自身功耗而發(fā)熱。如果不采取適當(dāng)措施將這種熱量散發(fā)出去,就會引起模塊管芯PN結(jié)溫度急劇上升。致使器件特性惡化,直至完全損壞。晶閘管的功耗主要由導(dǎo)通損耗、開關(guān)損耗、門極損耗三部分組成。在工頻或400Hz以下頻率的應(yīng)用中主要的是導(dǎo)通損耗。散熱器的常用散熱方式有:自然風(fēng)冷、強(qiáng)迫風(fēng)冷、熱管冷卻、水冷、油冷等。正常工作情況的軟啟動器設(shè)備有,主要以熱量的形式散失在環(huán)境當(dāng)中,所以我們要先解決軟啟動器工作環(huán)境的溫度問題,若工作環(huán)境的溫度過高則將危害到軟啟動器的工作,導(dǎo)致軟啟動器過熱保護(hù)跳閘。保證軟起動器具有良好的運行環(huán)境,須對變頻器及運行環(huán)境的溫度控制采取相應(yīng)的措施。給軟啟動器預(yù)留一定的空間,定期給軟啟動器進(jìn)行清灰處理,都是能夠有效降低可控硅溫度的方式。以上就是正高可控硅模塊廠家為您介紹的軟啟動器可控硅降溫的重要性,希望對您有所幫助。晶閘管模塊的專業(yè)術(shù)語,您知道幾個?相信大家對于晶閘管模塊并不陌生了。
是限制短路電流和保護(hù)晶閘管的有效措施,但負(fù)載時電壓會下降。在可逆系統(tǒng)中,逆變器在停止脈沖后會發(fā)生故障,因此通常采用快速反向脈沖的方法。③交流側(cè)通過電流互感器與過流繼電器相連,或通過過流繼電器與直流側(cè)相連,過流繼電器可在過流時動作,斷開輸入端的自動開關(guān)。設(shè)定值必須適合與產(chǎn)品串聯(lián)的快速熔斷器的過載特性?;蛘哒f,系統(tǒng)中儲存的能量過遲地被系統(tǒng)中儲存的能量過度消耗。主要發(fā)現(xiàn)由外部沖擊引起的過電壓主要有雷擊和開關(guān)分閘引起的沖擊電壓兩種。如果雷擊或者是高壓斷路器的動作產(chǎn)生的過電壓是幾微妙到幾毫秒的電壓峰值,這樣的話是非常危險的。開關(guān)引起的沖擊電壓可以分為下面兩類:(1)交流電源通斷引起的過電壓如交流開關(guān)分、合、交流側(cè)熔斷器熔斷等引起的過電壓。由于變壓器繞組的分布電容、漏抗引起的諧振回路和電容局部電壓的影響,這些過電壓值是正常值的2~10倍以上。一般來說,開閉速度越快,空載斷開時的過電壓越高。(2)直流側(cè)產(chǎn)生過電壓如果切斷電路的話,電感會較大并且電流值也會較大,這樣就會產(chǎn)生較大的過電壓。這種情況經(jīng)常發(fā)生在負(fù)載切斷、導(dǎo)通的晶閘管模塊開路、快速熔斷器的熔絲熔斷等情況下,以上是晶閘管模塊過電壓的損壞情況。淄博正高電氣傾城服務(wù),確保產(chǎn)品質(zhì)量無后顧之憂。
總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導(dǎo)通,然后逐漸向外擴(kuò)展,直到整個面積導(dǎo)通。大面積的晶閘管模塊需要50~100微秒以上才能多面積導(dǎo)通。初始導(dǎo)通面積小時,必須限制初始電流的上升速度,否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象,影響元件的性能,甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴(yán)重。為此,仿造了集成電路的方法,在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管??刂茦O觸發(fā)小晶閘管模塊后,小晶閘管模塊的初始導(dǎo)通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極,觸發(fā)主晶閘管。從而實際強(qiáng)觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,提高了耐電流上升率的能力。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管模塊是由三個P-N結(jié)組成的。每個結(jié)相當(dāng)于一個電容器。結(jié)電壓急劇變化時,就有很大的位移電流流過元件,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用。可能使晶閘管模塊誤導(dǎo)通。這就是普通晶閘管模塊不能耐高電壓上升率的原因。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,快速晶閘管模塊采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來,即使電壓上升率較高,晶閘管模塊的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,不致使晶閘管模塊誤導(dǎo)通。只是在電壓上升率進(jìn)一步提高,結(jié)電容位移電流進(jìn)一步增大,在短路點上產(chǎn)生電壓降足夠大時。淄博正高電氣全體員工真誠為您服務(wù)。遼寧智能晶閘管模塊
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會造成過電流燒壞管子對于過電流,我們也可以通過在交流電源中安裝保險絲保護(hù)。快速熔斷器的熔斷時間很短???cè)蹟嗥鞯念~定電流為晶閘管額定平均電流的。當(dāng)交流電源接通或斷開時,晶閘管通斷時,晶閘管有可能過電壓。由于電容器兩端的電壓不會突然變化,只要在晶閘管的正負(fù)極之間接上RC電路,就可以削弱電源的瞬時過電壓,保護(hù)晶閘管。當(dāng)然,壓敏電阻過電壓保護(hù)元件也可用于過電壓保護(hù)。正高電氣的小編提醒您必須了解使用晶閘管模塊的常識,只有這樣才能保證它的正常運行。晶閘管模塊的應(yīng)用使用及選型建議晶閘管模塊由pnpn四層半導(dǎo)體組成。它由陽極a、陰極K和控制電極g三個電極組成,實際上,它在應(yīng)用中的作用與其結(jié)構(gòu)有關(guān),所以我們將和你們討論它在電路中的作用。它可以實現(xiàn)電路中交流電流的無觸點控制,用小電流控制大電流,繼電器控制無火花,動作快,壽命長,可靠性好??捎糜谡{(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、溫控等控制電路中。不可以分為單向和雙向,符號也是不相同的,單向晶閘管有三個PN結(jié),它們由外層組成,從電極的P、N極引出陽極和陰極兩個電極,中間P極引出控制電極。單個有其獨特的特點:當(dāng)陽極連接到反向電壓時,即陽極當(dāng)接通正電壓而控制極不加電壓時,它不會導(dǎo)通。廣東晶閘管智能模塊
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