河北晶閘管智能控制模塊

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-11-10

經(jīng)常發(fā)生事故的參數(shù)有:電壓、電流、dv/dt、di/dt、漏電、開通時(shí)間、關(guān)斷時(shí)間等,甚至有時(shí)控制極也可燒壞。由于晶閘管模塊各參數(shù)性能的下降或線路問(wèn)題會(huì)造成晶閘管模塊燒損,從表面看來(lái)每個(gè)參數(shù)所造成晶閘管模塊燒損的現(xiàn)象是不同的,因此通過(guò)解剖燒損的晶閘管模塊就可以判斷出是由哪個(gè)參數(shù)造成晶閘管模塊燒壞的。一般情況下陰極表面或芯片邊緣有一燒損的小黑點(diǎn)說(shuō)明是由于電壓引起的,由電壓引起燒壞晶閘管模塊的原因有兩中可能,一是晶閘管模塊電壓失效,就是我們常說(shuō)的降伏,電壓失效分早期失效、中期失效和晚期失效。二是線路問(wèn)題,線路中產(chǎn)生了過(guò)電壓,且對(duì)晶閘管模塊所采取的保護(hù)措施失效。電流燒壞晶閘管模塊通常是陰極表面有較大的燒損痕跡,甚至將芯片、管殼等金屬大面積溶化。由di/dt所引起的燒壞晶閘管模塊的現(xiàn)象較容易判斷,一般部是門極或放大門極附近燒成一小黑點(diǎn)。我們知道晶閘管模塊的等效電路是由兩只可控硅構(gòu)成,門極所對(duì)應(yīng)的可控硅做觸發(fā)用,目的是當(dāng)觸發(fā)信號(hào)到來(lái)時(shí)將其放大,然后盡快的將主可控硅導(dǎo)通,然而在短時(shí)間內(nèi)如果電流過(guò)大,主可控硅還沒(méi)有完全導(dǎo)通,大的電流主要通過(guò)相當(dāng)于門極的可控硅流過(guò),而此可控硅的承載電流的能力是很小的。淄博正高電氣以滿足客戶要求為重點(diǎn)。河北晶閘管智能控制模塊

希望本文能對(duì)您有所幫助。可控硅模塊與固態(tài)繼電器很相似,說(shuō)到它們倆很多人都分不清楚,就更不知道它們兩者有什么區(qū)別和作用,下面正高小編來(lái)教您如何區(qū)分一下,并看看他們有什么區(qū)別?所謂單相固態(tài)繼電器,它只相當(dāng)于一個(gè)開關(guān),不能起到任何調(diào)節(jié)電流的作用,而晶閘管模塊可以控制導(dǎo)通角,可以調(diào)節(jié)電流的大小,并且在一定程度上,單相固態(tài)繼電器可以用可控硅作主要元件。不同的是,固態(tài)繼電器的動(dòng)作電壓和控制電壓通過(guò)電路的內(nèi)部部分,如光耦分開,如果你不明白,相信你可以看看一個(gè)固定繼電器的內(nèi)部。此外,晶閘管模塊可以是單向或雙向、過(guò)零觸發(fā)或移相觸發(fā)。當(dāng)然,固態(tài)繼電器也是如此??梢哉f(shuō),晶閘管模塊和單相固態(tài)繼電器的用途和形式都是同一類型的產(chǎn)品。從這一點(diǎn)上來(lái)說(shuō),可以說(shuō)沒(méi)有區(qū)別。固定繼電器由可控硅制成??赡苡泻芏嗳苏f(shuō),這兩者是沒(méi)有任何差異的,實(shí)際上,晶閘管模塊和單相固態(tài)繼電器是有區(qū)別的。主要區(qū)別在于晶閘管是可控硅模塊,而單相固定繼電器是可控硅+同步觸發(fā)驅(qū)動(dòng)。固態(tài)繼電器是由雙向可控硅發(fā)展來(lái)的,可控硅的觸發(fā)端在實(shí)際使用時(shí)得隔離,固態(tài)繼電器則已經(jīng)集成了隔離的觸發(fā)端,它們的用途、形式都是一樣類型產(chǎn)品,從這一點(diǎn)上。黑龍江晶閘管智能模塊哪家好淄博正高電氣以客戶永遠(yuǎn)滿意為標(biāo)準(zhǔn)的一貫方針。

或在門極線路上串聯(lián)二極管,防止門極電流倒流。晶閘管串并聯(lián)使用晶閘管的串聯(lián):晶閘串聯(lián)管應(yīng)用時(shí),要求其相互串聯(lián)的每個(gè)晶閘管應(yīng)盡可能地一致開通。晶閘管的并聯(lián):陡而強(qiáng)的門極觸發(fā)脈沖能使并聯(lián)晶閘管開通特性的不平衡降至小,從而使有佳的均流效果。正高晶閘管的檢測(cè)方法管腳的判別由于RAK,RKA,RGA,RAG,RKG均應(yīng)很大,只有RGK較小,因此用指針式萬(wàn)用表R伊10贅擋或R伊1贅擋(防止電壓過(guò)高控制極反向擊穿)測(cè)量管腳間的靜態(tài)電阻便可作出判斷:假設(shè)晶閘管的某一端為控制極,將其與黑表筆相接,然后用紅表筆分別接其他兩腳。當(dāng)所測(cè)兩管腳間電阻較小時(shí),假設(shè)正確,即黑表筆所接的是控制極,紅表筆所接的是陰極,剩下的一個(gè)是陽(yáng)極。質(zhì)量判別由圖1可知,在正常情況下,晶閘管的GK之間是一個(gè)PN結(jié),具有PN結(jié)特性,而GA和AK之間存在反向串聯(lián)PN結(jié),故其間電阻均為無(wú)窮大。如果GK之間的正反向電阻都很小,說(shuō)明晶閘管內(nèi)部擊穿。如果GK之間的正反向電阻都為無(wú)窮大,說(shuō)明控制極與陰極斷路。觸發(fā)能力的判別萬(wàn)用表置于R伊1贅擋,黑表筆接陽(yáng)極,紅表筆接陰極,此時(shí)電阻應(yīng)為無(wú)窮大,用短線瞬間短接陽(yáng)極A和控制極G,此時(shí)萬(wàn)用表電阻擋指針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn),阻值讀數(shù)為10贅左右。

把二極管都換成晶閘管模塊是不是就成了可控整流電路了呢?在橋式整流電路中,只需要把兩個(gè)二極管換成晶閘管模塊就能構(gòu)成全波可控整流電路了。六、晶閘管模塊控制極所需的觸發(fā)脈沖是怎么產(chǎn)生的呢?晶閘管觸發(fā)電路的形式很多,常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。大家制作的調(diào)壓器,采用的是單結(jié)晶體管觸發(fā)電路。七、什么是單結(jié)晶體管模塊?它有什么特殊性能呢?單結(jié)晶體管模塊又叫雙基極二極管,是由一個(gè)PN結(jié)和三個(gè)電極構(gòu)成的半導(dǎo)體器件(圖6)。我們先畫出它的結(jié)構(gòu)示意圖〔圖7(a)〕。在一塊N型硅片兩端,制作兩個(gè)電極,分別叫做基極B1和第二基極B2;硅片的另一側(cè)靠近B2處制作了一個(gè)PN結(jié),相當(dāng)于一只二極管,在P區(qū)引出的電極叫發(fā)射極E。為了分析方便,可以把B1、B2之間的N型區(qū)域等效為一個(gè)純電阻RBB,稱為基區(qū)電阻,并可看作是兩個(gè)電阻RB2、RB1的串聯(lián)〔圖7(b)〕。值得注意的是RB1的阻值會(huì)隨發(fā)射極電流IE的變化而改變,具有可變電阻的特性。如果在兩個(gè)基極B2、B1之間加上一個(gè)直流電壓UBB,則A點(diǎn)的電壓UA為:若發(fā)射極電壓UE

控制信號(hào)與輸出電流、電壓是線性關(guān)系;模塊內(nèi)有無(wú)保護(hù)功能智能模塊內(nèi)部一般不帶保護(hù),穩(wěn)流穩(wěn)壓模塊帶有過(guò)流、缺相等保護(hù)功能。模塊內(nèi)晶閘管觸發(fā)脈沖形式晶閘管觸發(fā)采用的是寬脈沖觸發(fā),觸發(fā)脈沖寬度大于5ms(毫秒)。以上就是使用晶閘管模塊的八大常識(shí),希望對(duì)您有所幫助。晶閘管模塊被燒壞的原因晶閘管模塊的應(yīng)用非常廣,大到電氣行業(yè)設(shè)備中的應(yīng)用,小到日常生活中的應(yīng)用,但是如果有使用不當(dāng)?shù)臅r(shí)候就會(huì)造成晶閘管模塊燒壞的情況,下面正高來(lái)介紹下晶閘管模塊被燒壞的原因有哪些?晶閘管模塊燒壞都是由溫度過(guò)高造成的,而溫度是由晶閘管模塊的電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性決定的,因此保證晶閘管模塊在研制、生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量應(yīng)從三方面入手:電特性、熱特性、結(jié)構(gòu)特性,而且三者是緊密相連、密不可分的,所以在研制、生產(chǎn)晶閘管模塊時(shí)應(yīng)充分考慮其電應(yīng)力、熱應(yīng)力、結(jié)構(gòu)應(yīng)力。燒壞晶閘管模塊的原因很多,總的說(shuō)來(lái)還是三者共同作用下才致使晶閘管模塊燒壞的,某一單獨(dú)的特性下降很難造成品閘管燒壞,因此我們?cè)谏a(chǎn)過(guò)程中可以充分利用這個(gè)特點(diǎn),就是說(shuō)如果其中的某個(gè)應(yīng)力達(dá)不到要求時(shí)可以采取提高其他兩個(gè)應(yīng)力的辦法來(lái)彌補(bǔ)。淄博正高電氣銳意進(jìn)取,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供服務(wù)。吉林晶閘管觸發(fā)模塊

淄博正高電氣不斷提高產(chǎn)品的質(zhì)量。河北晶閘管智能控制模塊

以上就是晶閘管模塊兩端并聯(lián)阻容網(wǎng)絡(luò)的作用,希望對(duì)您有所幫助。晶閘管模塊串聯(lián)時(shí)對(duì)于數(shù)量有什么要求以及注意事項(xiàng)晶閘管模塊經(jīng)常會(huì)用到電壓設(shè)備中,有些設(shè)備是在高壓領(lǐng)域運(yùn)行的,所以一個(gè)晶閘管模塊承受不住度的電壓,這時(shí)候就需要晶閘管模塊串聯(lián),這樣可以達(dá)到一個(gè)良好的運(yùn)行效果,下面正高電氣來(lái)講講晶閘管模塊串聯(lián)時(shí)對(duì)于數(shù)量有什么要求以及注意事項(xiàng)。舉例來(lái)說(shuō):加在一個(gè)高壓整流橋臂兩端的電壓為有效值10000伏,其電壓的較大值即峰值為14100伏,如選用正反向重復(fù)峰值電壓為4000伏的晶閘管模塊,則需幾只串聯(lián)?首先要解釋一下何為晶閘管模塊的正反向重復(fù)峰值電壓?所謂正反向重復(fù)峰值電壓即為該晶閘管模塊所能承擔(dān)的較高電壓。這是出廠時(shí)測(cè)試后定下的。我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定其條件是:1,在結(jié)溫125℃時(shí)測(cè)得,2,測(cè)得PN結(jié)雪崩電壓值后減去100V,3,取正反向兩個(gè)方向上述值的較小值定為“重復(fù)峰值電壓”。由此可以看到出廠時(shí)留的余量只有100V,在電網(wǎng)中使用,往往高次諧波的峰值比基波峰值高許多,甚至幾倍。所以設(shè)計(jì)時(shí)除了留有足夠的的余量外,還要十分認(rèn)真地采取均壓和過(guò)電壓保護(hù)措施,以免晶閘管模塊電壓擊穿現(xiàn)象發(fā)生。河北晶閘管智能控制模塊

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