陜西桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

微納衛(wèi)星對部件重量與精度要求苛刻，傳統(tǒng)加工難以兼顧。Polos 光刻機在硅基材料上實現了 50nm 深度的微溝槽加工，為某航天團隊制造出輕量化星載慣性導航陀螺結構。通過自定義螺旋型振動梁圖案，陀螺的零偏穩(wěn)定性提升至 0.01°/h，較商用產品性能翻倍。該技術還被用于微推進器噴嘴陣列加工，使衛(wèi)星姿態(tài)調整精度達到亞毫牛級，助力我國低軌衛(wèi)星星座建設取得關鍵突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。實時觀測系統(tǒng)：120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡，實現加工過程動態(tài)監(jiān)控。陜西桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現了計算與存儲的原位融合，能效比達 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮?諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。江蘇POLOSBEAM-XL光刻機MAX層厚可達到10微米柔性電子：曲面 OLED 驅動電路漏電降 70%，彎曲半徑達 1mm，適配可穿戴設備。

某revolution生物醫(yī)學研究機構致力于開發(fā)快速、precise的疾病診斷技術。在研發(fā)一種用于早期tumor篩查的微流體診斷芯片時，采用了德國 Polos 光刻機。利用其無掩模激光光刻技術，科研團隊成功制造出擁有復雜微通道網絡的芯片。這些微通道能精確控制生物樣本與檢測試劑的混合及反應過程，極大提高了檢測的靈敏度和準確性。以往使用傳統(tǒng)光刻技術制備此類芯片，不only周期長，且精度難以保證。而 Polos 光刻機使制備周期縮短了近三分之一，助力該機構在tumor早期診斷研究上取得重大突破，相關成果已發(fā)表在國際authority醫(yī)學期刊上。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

無掩模激光光刻技術為研究實驗室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創(chuàng)建亞微米級特征，并促進電路和器件的快速原型設計。經濟高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無需復雜的基礎設施和設備即可使用光刻技術。應用范圍擴展至微機電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學設備和微電子器件的設計和制造，例如以下領域：醫(yī)療（包括微流體）、半導體、電子、生物技術和生命科學、先進材料研究。全球無掩模光刻系統(tǒng)市場規(guī)模預計在 2022 年達到 3.3606 億美元，預計到 2028 年將增長至 5.0143 億美元，復合年增長率為 6.90%。由于對 5G、AIoT、物聯網以及半導體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長，預計未來幾十年光刻市場將持續(xù)增長。跨學科應用：覆蓋微機械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領域。

細胞培養(yǎng)芯片需根據不同細胞類型設計表面微結構，傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫，難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導入，某干細胞研究所在 24 小時內完成了神經干細胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示，使用該支架的神經細胞軸突生長速度提升 30%，為神經再生機制研究提供了高效工具，相關技術已授權給生物芯片企業(yè)實現量產。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。6英寸晶圓兼容：Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工，工業(yè)級重復精度0.1 μm。四川PSP光刻機MAX層厚可達到10微米

Polos-BESM 光刻機：無掩模激光直寫，50nm 精度，支持金屬 / 聚合物同步加工，適配第三代半導體器件研發(fā)。陜西桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

Polos光刻機在微機械加工中表現outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結合雙光子聚合技術（如Nanoscribe系統(tǒng)），用戶還能擴展至3D微納結構打印，為微型機器人及光學元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優(yōu)勢。陜西桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸