安徽光刻機(jī)分辨率1.5微米

德國Polos-BESM系列光刻機(jī)采用無掩模激光直寫技術(shù)，突破傳統(tǒng)光刻對(duì)物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進(jìn)行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實(shí)現(xiàn)高精度微納結(jié)構(gòu)加工18。系統(tǒng)體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環(huán)自動(dòng)對(duì)焦（1秒完成）和半自動(dòng)多層對(duì)準(zhǔn)功能，大幅提升實(shí)驗(yàn)室原型開發(fā)效率，適用于微流體芯片設(shè)計(jì)、電子元件制造等領(lǐng)域。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)?？蒲谐晒D(zhuǎn)化：中科院利用同類技術(shù)制備跨尺度微盤陣列，研究細(xì)胞浸潤機(jī)制。安徽光刻機(jī)分辨率1.5微米

SPS POLOS μ以桌面化設(shè)計(jì)降低設(shè)備投入成本，無需掩膜制備費(fèi)用。其光束引擎通過壓電驅(qū)動(dòng)快速掃描，單次寫入?yún)^(qū)域達(dá)400 μm，支持光刻膠如AZ5214E的高效曝光。研究案例顯示，該設(shè)備成功制備了間距3 μm的微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速原型驗(yàn)證。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。安徽光刻機(jī)分辨率1.5微米Polos-BESM：基礎(chǔ)款高性價(jià)比，適合高校實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)微納加工。

可編程微流控芯片需要集成電路控制與流體通道，傳統(tǒng)工藝需多次掩模對(duì)準(zhǔn)，良率only 30%。Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù)，支持在同一塊基板上直接制備金屬電極與 PDMS 通道，將良率提升至 85%。某微系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用該特性，開發(fā)出可實(shí)時(shí)切換流路的生化分析芯片，通過軟件輸入不同圖案，10 分鐘內(nèi)即可完成從 DNA 擴(kuò)增到蛋白質(zhì)檢測的模塊切換。該成果應(yīng)用于 POCT 設(shè)備，使現(xiàn)場快速檢測系統(tǒng)的體積縮小 60%，檢測時(shí)間縮短至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

形狀記憶合金、壓電陶瓷等智能材料的微結(jié)構(gòu)加工需要高精度圖案定位。Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)定位精度，幫助科研團(tuán)隊(duì)在鎳鈦合金薄膜上刻制出復(fù)雜驅(qū)動(dòng)電路，成功制備出微型可編程抓手。該抓手在 40℃溫場中可實(shí)現(xiàn) 0.1mm 行程的precise控制，抓取力達(dá) 50mN，較傳統(tǒng)微加工方法性能提升 50%。該技術(shù)被應(yīng)用于微納操作機(jī)器人，在單細(xì)胞膜片鉗實(shí)驗(yàn)中成功率從 40% 提升至 75%，為細(xì)胞級(jí)precise操作提供了關(guān)鍵工具。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無掩模光刻技術(shù)普及。

某半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室采用 Polos 光刻機(jī)開發(fā)氮化鎵（GaN）基高電子遷移率晶體管（HEMT）。其激光直寫技術(shù)在藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了 50nm 柵極長度的precise曝光，較傳統(tǒng)光刻工藝線寬偏差降低 60%。通過自定義多晶硅柵極圖案，器件的電子遷移率達(dá) 2000 cm2/(V?s)，擊穿電壓提升至 1200V，遠(yuǎn)超商用產(chǎn)品水平。該技術(shù)還被用于 SiC 基功率器件的臺(tái)面刻蝕，刻蝕深度均勻性誤差小于 ±3%，助力我國新能源汽車電控系統(tǒng)core器件的國產(chǎn)化突破。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。黑龍江BEAM-XL光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸

光學(xué)超材料突破：光子晶體結(jié)構(gòu)precise制造，賦能超透鏡與隱身技術(shù)研究。安徽光刻機(jī)分辨率1.5微米

Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe系統(tǒng)），用戶還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。安徽光刻機(jī)分辨率1.5微米