重慶PSP光刻機光源波長405微米

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力，在鋁合金表面制備出仿荷葉結構的超疏水涂層。其激光直寫技術在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊，使材料表面接觸角達 165°，滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后，防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合，被用于微流控芯片的液滴定向輸運，液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。微流體領域：支持 1-100μm 微通道定制，助力organ芯片血管網(wǎng)絡precise建模。重慶PSP光刻機光源波長405微米

Polos-BESM支持GDS文件直接導入和多層曝光疊加，簡化射頻器件（如IDC電容器）制造流程。研究團隊利用類似設備成功制備高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。其高重復性（0.1 μm）確保科研成果的可轉化性，助力國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破技術封鎖56。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶PSP光刻機光源波長405微米Polos-BESM：基礎款高性價比，適合高校實驗室基礎微納加工。

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉移，Polos 光刻機的激光直寫技術避免了傳統(tǒng)濕法轉移的污染問題。某納米電子實驗室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場效應晶體管，其電子遷移率達 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術支持快速構建多種二維材料異質(zhì)結，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關成果推動二維材料在柔性電子、量子計算領域的應用研究進入快車道。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

某生物力學實驗室通過 Polos 光刻機，在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細胞力傳感器。其多材料曝光技術在 20μm 的懸臂梁上同時制備金屬電極與硅基壓阻元件，傳感器的力分辨率達 5pN，位移檢測精度達 1nm。在心肌細胞收縮力檢測中，該集成傳感器實現(xiàn)了力 - 電信號的同步采集，發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動作電位時程的相關性達 0.92，為心臟電機械耦合機制研究提供了全新工具，相關論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。POLOS μ：超緊湊設計，納米級精度專攻微流控與細胞芯片。

大尺寸晶圓的高效處理：Polos-BESM XL的優(yōu)勢！Polos-BESM XL Mk2專為6英寸晶圓設計，寫入?yún)^(qū)域達155×155 mm，平臺重復性精度0.1 μm，滿足工業(yè)級需求。搭配20x/0.75 NA尼康物鏡和120 FPS高清攝像頭，實時觀測與多層對準功能使其成為光子晶體和柔性電子器件研究的理想工具。其BEAM Xplorer軟件簡化復雜圖案設計，內(nèi)置高性能筆記本實現(xiàn)快速數(shù)據(jù)處理62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。高頻元件驗證：成功開發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。重慶PSP光刻機光源波長405微米

科研成果轉化：中科院利用同類技術制備跨尺度微盤陣列，研究細胞浸潤機制。重慶PSP光刻機光源波長405微米

某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發(fā)了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現(xiàn)了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達 10ns，較傳統(tǒng) SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現(xiàn)了計算與存儲的原位融合，能效比達 1TOPS/W，較傳統(tǒng)馮?諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關芯片已進入小批量試產(chǎn)階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統(tǒng)等各個領域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。重慶PSP光刻機光源波長405微米