BEAM-XL光刻機分辨率1.5微米

來源: 發(fā)布時間:2025-07-04

無掩模激光光刻:科研效率的revolution性提升!Polos-BESM系列采用無掩模激光直寫技術(shù),用戶可通過軟件直接輸入任意圖案,省去傳統(tǒng)光刻中掩膜制備的高昂成本與時間。其405 nm紫外光源和亞微米分辨率(most小線寬0.8 μm)支持5英寸晶圓的高精度加工,特別適合實驗室快速原型開發(fā)。閉環(huán)自動對焦系統(tǒng)(1秒完成)和半自動多層對準(zhǔn)功能,remarkable提升微流體芯片和MEMS器件的研發(fā)效率62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。微型傳感器量產(chǎn):80 μm開環(huán)諧振器加工能力,推動工業(yè)級MEMS傳感器升級。BEAM-XL光刻機分辨率1.5微米

BEAM-XL光刻機分辨率1.5微米,光刻機

柔性電子是未來可穿戴設(shè)備的core方向,其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機的無掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光,解決了傳統(tǒng)掩模對準(zhǔn)偏差問題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備,開發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測貼片,其傳感器陣列的信號噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝,Polos 光刻機將打樣時間從 72 小時壓縮至 8 小時,加速了柔性電路的迭代優(yōu)化,推動柔性電子從實驗室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。河北德國POLOS光刻機讓你隨意進行納米圖案化Polos-BESM XL:加大加工幅面,滿足中尺寸器件一次性成型需求。

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微流體芯片制造的core工具!Polos光刻機可加工80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極,適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)(如Nanoscribe的2PP工藝),用戶可擴展至3D微納結(jié)構(gòu)打印,為微型機器人及光學(xué)超材料提供多維度解決方案37。其與Lab14集團的協(xié)同合作,進一步推動工業(yè)級光學(xué)封裝技術(shù)創(chuàng)新3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。

某智能機器人實驗室采用 Polos 光刻機制造了磁控微納機器人。其激光直寫技術(shù)在鎳鈦合金薄膜上刻制出 10μm 的螺旋槳結(jié)構(gòu),機器人在旋轉(zhuǎn)磁場下的推進速度達 50μm/s,轉(zhuǎn)向精度小于 5°。通過自定義三維運動軌跡,該機器人在微流控芯片中成功實現(xiàn)了單個紅細胞的捕獲與轉(zhuǎn)運,操作成功率從傳統(tǒng)方法的 40% 提升至 85%。其輕量化設(shè)計(質(zhì)量 < 1μg)還支持在活細胞表面進行納米級手術(shù),相關(guān)成果入選《Science Robotics》年度創(chuàng)新技術(shù)。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。電子學(xué)應(yīng)用:2μm 線寬光刻能力,第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。

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某分析化學(xué)實驗室采用 Polos 光刻機開發(fā)了集成電化學(xué)傳感器的微流控芯片。其多材料同步曝光技術(shù)在 PDMS 通道底部直接制備出 10μm 寬的金電極,傳感器的檢測限達 1nM,較傳統(tǒng)電化學(xué)工作站提升 100 倍。通過軟件輸入不同圖案,可在 24 小時內(nèi)完成從葡萄糖檢測到重金屬離子分析的模塊切換。該芯片被用于即時檢測(POCT)設(shè)備,使現(xiàn)場水質(zhì)監(jiān)測時間從 2 小時縮短至 10 分鐘,相關(guān)設(shè)備已通過歐盟 CE 認證。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。6英寸晶圓兼容:Polos-BESM XL Mk2支持155×155 mm大尺寸加工,工業(yè)級重復(fù)精度0.1 μm。湖北桌面無掩模光刻機不需要緩慢且昂貴的光掩模

POLOS μ 光刻機:微型化機身,納米級曝光精度,微流體芯片制備周期縮短 40%。BEAM-XL光刻機分辨率1.5微米

某材料實驗室利用 Polos 光刻機的亞微米級圖案化能力,在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊,使材料表面接觸角達 165°,滾動角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后,防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合,被用于微流控芯片的液滴定向輸運,液滴驅(qū)動電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件,開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實驗室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。BEAM-XL光刻機分辨率1.5微米