湖北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-04

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí),需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù),在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn),帶有特定圖案的納米復(fù)合材料,其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如,一種原本光學(xué)性能普通的納米材料,在經(jīng)過(guò) Polos 光刻機(jī)處理后,對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%,為開(kāi)發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。實(shí)時(shí)觀(guān)測(cè)系統(tǒng):120 FPS高清攝像頭搭配20x尼康物鏡,實(shí)現(xiàn)加工過(guò)程動(dòng)態(tài)監(jiān)控。湖北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

湖北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米,光刻機(jī)

在微流控芯片集成領(lǐng)域,某微機(jī)電系統(tǒng)實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的多材料同步曝光技術(shù),在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅(qū)動(dòng)的氣動(dòng)泵閥結(jié)構(gòu)。其微泵通道寬度可控制在 20μm,流量調(diào)節(jié)精度達(dá) ±1%,響應(yīng)時(shí)間小于 50ms。通過(guò)軟件輸入不同圖案,可在 10 分鐘內(nèi)完成從連續(xù)流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細(xì)胞代謝分析,實(shí)現(xiàn)了單個(gè)tumor細(xì)胞葡萄糖攝取率的實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),檢測(cè)靈敏度較傳統(tǒng)方法提升 3 倍,相關(guān)設(shè)備已進(jìn)入臨床前驗(yàn)證階段。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。湖北德國(guó)BEAM光刻機(jī)MAX基材尺寸4英寸到6英寸Polos-BESM:基礎(chǔ)款高性?xún)r(jià)比,適合高校實(shí)驗(yàn)室基礎(chǔ)微納加工。

湖北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米,光刻機(jī)

針對(duì)碳化硅(SiC)功率模塊的柵極刻蝕難題,Polos 光刻機(jī)的激光直寫(xiě)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制,較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車(chē)芯片廠(chǎng)商利用該設(shè)備,將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%,開(kāi)關(guān)損耗減少 20%,推動(dòng)車(chē)載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu),使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周,助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過(guò)光刻技術(shù)制備多組分納米纖維,實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類(lèi)似地,Polos系列設(shè)備可支持此類(lèi)結(jié)構(gòu)的可控加工,為新能源器件(如柔性電池)和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性(0.1 μm)確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化,無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下,將該技術(shù)帶到了桌面上,進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。德國(guó) SPS Polos:深耕微納加工 35 年,專(zhuān)注半導(dǎo)體與生命科學(xué)領(lǐng)域,全球布局 6 大技術(shù)中心,服務(wù) 500 + 科研機(jī)構(gòu)。

湖北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米,光刻機(jī)

某材料實(shí)驗(yàn)室利用 Polos 光刻機(jī)的亞微米級(jí)圖案化能力,在鋁合金表面制備出仿荷葉結(jié)構(gòu)的超疏水涂層。其激光直寫(xiě)技術(shù)在 20μm 間距的微柱陣列上疊加 500nm 的納米脊,使材料表面接觸角達(dá) 165°,滾動(dòng)角小于 3°。該涂層在海水環(huán)境中浸泡 30 天后,防腐蝕性能較未處理表面提升 10 倍。其靈活的圖案編輯功能還支持在同一樣品上實(shí)現(xiàn)超疏水與超親水區(qū)域的任意組合,被用于微流控芯片的液滴定向輸運(yùn),液滴驅(qū)動(dòng)電壓降低至傳統(tǒng)方法的 1/3。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。Polos-BESM 光刻機(jī):無(wú)掩模激光技術(shù),成本降低 50%,任意圖案輕松輸入,適配實(shí)驗(yàn)室微納加工。黑龍江POLOSBEAM光刻機(jī)MAX層厚可達(dá)到10微米

Polos-BESM XL:大尺寸加工空間,保留緊湊設(shè)計(jì),科研級(jí)精度實(shí)現(xiàn)復(fù)雜結(jié)構(gòu)一次性成型。湖北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

Polos光刻機(jī)與德國(guó)Lab14集團(tuán)、弗勞恩霍夫研究所等機(jī)構(gòu)合作,推動(dòng)光子集成與半導(dǎo)體封裝技術(shù)發(fā)展。例如,Quantum X align系統(tǒng)的高對(duì)準(zhǔn)精度(100 nm)為光通信芯片提供可靠解決方案,彰顯德國(guó)精密制造與全球產(chǎn)業(yè)鏈整合的優(yōu)勢(shì)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù),用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件,開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成,操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小,非常適合研究實(shí)驗(yàn)室,并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域,為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。湖北P(pán)OLOSBEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米