北京POLOSBEAM-XL光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入，多層曝光疊加功能簡(jiǎn)化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團(tuán)隊(duì)利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件，驗(yàn)證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。技術(shù)Benchmark：Polos-μPrinter 入選《半導(dǎo)體技術(shù)》年度創(chuàng)新產(chǎn)品，推動(dòng)無(wú)掩模光刻技術(shù)普及。北京POLOSBEAM-XL光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

某生物力學(xué)實(shí)驗(yàn)室通過(guò) Polos 光刻機(jī)，在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細(xì)胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時(shí)制備金屬電極與硅基壓阻元件，傳感器的力分辨率達(dá) 5pN，位移檢測(cè)精度達(dá) 1nm。在心肌細(xì)胞收縮力檢測(cè)中，該集成傳感器實(shí)現(xiàn)了力 - 電信號(hào)的同步采集，發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動(dòng)作電位時(shí)程的相關(guān)性達(dá) 0.92，為心臟電機(jī)械耦合機(jī)制研究提供了全新工具，相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。廣東POLOSBEAM光刻機(jī)微流體3D成型：復(fù)雜流道快速曝光，助力tumor篩查芯片與藥物遞送系統(tǒng)研發(fā)。

無(wú)掩模激光光刻技術(shù)為研究實(shí)驗(yàn)室提供了一種多功能的納米/微米光刻工具，可用于創(chuàng)建亞微米級(jí)特征，并促進(jìn)電路和器件的快速原型設(shè)計(jì)。經(jīng)濟(jì)高效的桌面配置使研究人員和行業(yè)從業(yè)者無(wú)需復(fù)雜的基礎(chǔ)設(shè)施和設(shè)備即可使用光刻技術(shù)。應(yīng)用范圍擴(kuò)展至微機(jī)電系統(tǒng) (MEM)、生物醫(yī)學(xué)設(shè)備和微電子器件的設(shè)計(jì)和制造，例如以下領(lǐng)域：醫(yī)療（包括微流體）、半導(dǎo)體、電子、生物技術(shù)和生命科學(xué)、先進(jìn)材料研究。全球無(wú)掩模光刻系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)在 2022 年達(dá)到 3.3606 億美元，預(yù)計(jì)到 2028 年將增長(zhǎng)至 5.0143 億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率為 6.90%。由于對(duì) 5G、AIoT、物聯(lián)網(wǎng)以及半導(dǎo)體電路性能和能耗優(yōu)化的需求不斷增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)幾十年光刻市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)。

石墨烯、二硫化鉬等二維材料的器件制備依賴高精度圖案轉(zhuǎn)移，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)避免了傳統(tǒng)濕法轉(zhuǎn)移的污染問(wèn)題。某納米電子實(shí)驗(yàn)室在 SiO?基底上直接曝光出 10nm 間隔的電極陣列，成功制備出石墨烯場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其電子遷移率達(dá) 2×10? cm2/(V?s)，接近理論極限。該技術(shù)支持快速構(gòu)建多種二維材料異質(zhì)結(jié)，使器件研發(fā)效率提升 5 倍，相關(guān)成果推動(dòng)二維材料在柔性電子、量子計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用研究進(jìn)入快車道。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。高頻元件驗(yàn)證：成功開發(fā)射頻器件與IDC電容器，加速國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈突破。

在構(gòu)建肝臟芯片的血管化網(wǎng)絡(luò)時(shí)，某生物工程團(tuán)隊(duì)使用 Polos 光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)了跨尺度結(jié)構(gòu)制備。其無(wú)掩模技術(shù)在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內(nèi)皮細(xì)胞貼壁率達(dá) 95%，較傳統(tǒng)光刻提升 30%。通過(guò)輸入 CT 掃描的真實(shí)肝臟血管數(shù)據(jù)，芯片成功模擬門靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細(xì)胞功能維持時(shí)間從 7 天延長(zhǎng)至 21 天。該技術(shù)為藥物肝毒性測(cè)試提供了接近體內(nèi)環(huán)境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關(guān)成果登上《Lab on a Chip》封面。光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優(yōu)化參數(shù)降低側(cè)壁粗糙度。北京POLOSBEAM-XL光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

納 / 微機(jī)械：亞微米級(jí)結(jié)構(gòu)加工，微型齒輪精度達(dá) ±50nm，推動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)創(chuàng)新。北京POLOSBEAM-XL光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

Polos光刻機(jī)在微機(jī)械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 μm直徑的開環(huán)諧振器和2 μm叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe系統(tǒng)），用戶還能擴(kuò)展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機(jī)器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無(wú)掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。北京POLOSBEAM-XL光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化