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XBM2138QFA    兩串鋰電池保護(hù)芯片介紹  35W以?xún)?nèi)      XBM2138QFA    2串鋰保集成MOS     內(nèi)置均衡   ：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過(guò)電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要3。過(guò)電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié) ，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能7-10串鋰電池保護(hù)NTC/SSOP20 多節(jié)鋰電池保護(hù)——二級(jí)保護(hù)XBM7102。無(wú)錫6096J9j賽芯原廠(chǎng)

4串鋰電池保護(hù)芯片介紹,XBM5574   級(jí)聯(lián)功能/集成均衡/NTC/Sense  保護(hù)芯片功能基本保護(hù)功能：對(duì)兩節(jié)節(jié)串聯(lián)可再充電鋰離子/鋰聚合物電池的過(guò)充電、過(guò)放電和過(guò)電流進(jìn)行保護(hù)，同時(shí)具備電池反接保護(hù)功能，這些功能對(duì)于鋰電池的安全使用極其重要。過(guò)電流保護(hù)閾值調(diào)節(jié)：4串鋰電池的保護(hù)芯片電路的過(guò)電流保護(hù)閾值由開(kāi)關(guān)MOS管決定，如果覺(jué)得該閾值較小，可以將多個(gè)開(kāi)關(guān)MOS管進(jìn)行并聯(lián)操作，以增大過(guò)流電流，將兩節(jié)鋰電池保護(hù)芯片電路和兩節(jié)鋰電池的充電電路連接在一起，可組成一個(gè)充放電工作的電路。若再加上鋰電池輸出電路，鋰電池就可以實(shí)現(xiàn)邊充邊放的功能深圳XBM3215MDA賽芯廠(chǎng)家DS3730B AC模式：30-65W 移動(dòng)電源模式：20-35W.

    降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730數(shù)據(jù)手冊(cè)—降壓型C+CA多口快充SOC  DS2730集成了過(guò)壓/欠壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、短路保護(hù)功能。?過(guò)壓/欠壓保護(hù)：放電過(guò)程中，DS2730實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)輸入/輸出電壓，并和預(yù)設(shè)的閾值電壓比較。如果電壓高于過(guò)壓閾值或低于欠壓閾值，且維持時(shí)間達(dá)到一定長(zhǎng)度時(shí)，芯片關(guān)閉放電通路。?過(guò)流保護(hù)：放電過(guò)程中，利用內(nèi)部的高精度ADCADC，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)流經(jīng)采樣電阻的電流。當(dāng)電流大于預(yù)設(shè)的過(guò)流閾值時(shí)，首先降低輸出功率；如果降低功率后仍然持續(xù)過(guò)流，則觸發(fā)過(guò)流保護(hù)，芯片自動(dòng)關(guān)閉放電通路。?過(guò)溫保護(hù)：放電過(guò)程中，利用連接在TS管腳上的NTCNTC，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)芯片自身的溫度或應(yīng)用方案中關(guān)鍵元件的溫度（例如，MOS管）。當(dāng)溫度超出預(yù)設(shè)的保護(hù)門(mén)限時(shí)，降低放電功率。?短路保護(hù)：放電過(guò)程中，實(shí)時(shí)檢測(cè)VBUS的電壓和放電電流。發(fā)生VBUSBUS輸出短路時(shí)，自動(dòng)關(guān)閉放電通路。

鋰電保護(hù)應(yīng)用原理圖①按鋰電池保護(hù)芯片的典型原理圖設(shè)計(jì)，鋰電保護(hù)的GND接電池的B-，不能接外部大地，芯片的VM接外部大地。②帶EPAD的芯片，一般EPAD接芯片的GND（B-），請(qǐng)嚴(yán)格按照規(guī)格書(shū)中的典型原理圖來(lái)做。③鋰電池保護(hù)芯片帶VT腳的，VT腳通?？山有酒珿ND（B-），或者懸空。④典型應(yīng)用圖中的100Ω/1KΩ電阻與，濾除電池電壓的劇烈波動(dòng)和外部強(qiáng)烈電壓干擾，使得VDD電壓盡量穩(wěn)定，該電阻和電容缺一不可，缺少任何一個(gè)都會(huì)有少燒芯片的可能，增加生產(chǎn)的不良率（XB5432不加電容）。不同IC的電阻取值有差異，請(qǐng)根據(jù)***版的Datesheet的典型應(yīng)用圖或FAE的建議選擇電阻的取值。⑤馬達(dá)應(yīng)用、LED照明應(yīng)用、射頻干擾應(yīng)用、負(fù)載電流劇烈變化的應(yīng)用如音頻功放等，可能需要增大RC濾波的網(wǎng)絡(luò)的R和C的值，如采用1K和、500Ω+1uF、1K+1uF等，比較大采用1K+1uF。⑥在VM和GND之間靠近管腳加一個(gè)，可以增強(qiáng)鋰電保護(hù)電路的系統(tǒng)級(jí)ESD，增強(qiáng)對(duì)尖峰電壓等外部信號(hào)的抗干擾能力。⑦鋰電保護(hù)芯片可并聯(lián)使用，減小內(nèi)阻，增強(qiáng)持續(xù)電流，多芯片并聯(lián)使用時(shí)，芯片VDD的RC網(wǎng)絡(luò)，電阻可共用，但電容須要一個(gè)保護(hù)芯片配一個(gè)電容。線(xiàn)性穩(wěn)壓器使用在其線(xiàn)性區(qū)域內(nèi)運(yùn)行的晶體管或 FET，減去超額的電壓，產(chǎn)生經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)的輸出電壓。

    3或4串電池組的二級(jí)保護(hù)芯片主要描述XBM4X30系列產(chǎn)品內(nèi)置高精度的電壓檢測(cè)電路和延遲電路，是一款用于可充電電池組的二級(jí)保護(hù)芯片，通過(guò)檢測(cè)電池包中每一節(jié)電芯的電壓，為電池包提供過(guò)充電保護(hù)和過(guò)放保護(hù)1。功能特點(diǎn)高精度電池電壓檢測(cè)功能：過(guò)充電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)50mV），精度±25mV；過(guò)充電電壓0-（步進(jìn)50mV），精度±50mV；過(guò)放電檢測(cè)電壓-（步進(jìn)100mV），精度±80mV；過(guò)放電電壓0V-（步進(jìn)100mV），精度±100mV1。保護(hù)延時(shí)內(nèi)置可選：可根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的保護(hù)延時(shí)1。內(nèi)置斷線(xiàn)保護(hù)功能（可選）：增加了電池使用的安全性1。輸出方式可選：有CMOS輸出、N溝道開(kāi)路漏級(jí)輸出、P溝道開(kāi)路漏級(jí)輸出三種方式1。輸出邏輯可選：動(dòng)態(tài)輸出H、動(dòng)態(tài)輸出。 XL1507、XL1509、XL2596、XL2576。中山6096J9賽芯方案公司

單節(jié)至四節(jié)鎳氫電池進(jìn)行充電管理。該器件內(nèi)部包括功率晶體管，不需要外部的電流檢測(cè)電阻和阻流二極管。無(wú)錫6096J9j賽芯原廠(chǎng)

    PCBLayout參考---兩顆芯片并聯(lián)兩個(gè)同型號(hào)的鋰電保護(hù)可以直接并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)幾乎是直接翻倍的帶載能力，降低內(nèi)阻，提高效率，但布板清注意：①兩個(gè)芯片盡量對(duì)稱(chēng)，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM盡量大面積鋪地，減小布線(xiàn)內(nèi)阻和加強(qiáng)散熱。③，每片鋰電保護(hù)IC都需要一個(gè)。100Ω電阻**好共用一顆電阻，并且布的離VDD近些，盡量與兩個(gè)芯片距離差不都。④VDD采樣線(xiàn)可以略長(zhǎng)些，也無(wú)需多粗，但需要繞開(kāi)干擾源-VDD采樣線(xiàn)里面沒(méi)有大電流。PCBLayout參考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封裝較小，PCB板上，封裝焊盤(pán)略大一些，避免虛焊。②，走線(xiàn)經(jīng)過(guò)電阻后，先經(jīng)過(guò)電容再到芯片的VDD。③電容的GND盡量短的回到芯片的GND，使整個(gè)電容環(huán)路**小。④芯片的GND（B-）到VM建議預(yù)留一個(gè)C2（）電容位置，C2電容可以提高ESD和抗干擾能力。⑤芯片的EPAD，建議連接芯片的GND（B-）或者懸空。 無(wú)錫6096J9j賽芯原廠(chǎng)