取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
為了幫助很好小化無源濾波的尺寸，針對(duì)高功率密度5至20伏交流/直流適配器的65瓦有源箝位反激式硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管參考設(shè)計(jì)采用了隔離轉(zhuǎn)換器特有的基于消除繞組和屏蔽的方法。如圖15所示，改進(jìn)后的內(nèi)部變壓器結(jié)構(gòu)在內(nèi)部一次和二次層之間插入了一個(gè)額外的輔助繞組層（如黑色所示），用于CM平衡。輔助CM平衡層屏蔽了內(nèi)半初級(jí)到次級(jí)接口，并有助于產(chǎn)生抵消CM電壓，使外半初級(jí)層的CM注入為零。均衡輔助繞組和一次外層到二次層的寄生電容有助于通過從抵消層推送反相CM電流，使從外半初級(jí)層注入二次層的CM電流為零。凈效應(yīng)（流入二次層的CM電流接近于零）減少了CM發(fā)射，明顯幫助設(shè)計(jì)滿足EMI頻譜標(biāo)準(zhǔn)，且CM濾波很好小。
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5.線性調(diào)節(jié)器（LDO）-穩(wěn)壓IC概述和選擇指南-
穩(wěn)壓IC概述穩(wěn)壓IC低壓差線性穩(wěn)壓器（LDO）是一種簡單、有效的調(diào)節(jié)由較高輸入電壓供電的輸出電壓的方法。德州儀器（TI）擁有***的LDO產(chǎn)品組合，其特點(diǎn)是小尺寸封裝、低靜態(tài)電流（低IQ）以擴(kuò)展電池壽命長，低噪聲LDO具有高電源抑制比（PSRR），低固有噪聲，高輸出電流和快速瞬態(tài)響應(yīng)速度快，高壓LDO適用于惡劣的汽車環(huán)境。
穩(wěn)壓IC減少解決方案大?。?
使用小尺寸、高性能LDO，當(dāng)今電子設(shè)計(jì)的復(fù)雜性和密度相當(dāng)于有限的PCB空間。為了應(yīng)對(duì)電子設(shè)備越來越小的趨勢(shì)，穩(wěn)壓IC-LDO必須提供相同的性能，同時(shí)消耗盡可能少的空間。TI提供了許多LDO，可滿足高性能需求和微小的解決方案規(guī)模。
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隔離
以比較高的工作電壓和可靠性提高安全性-穩(wěn)壓IC技術(shù)趨勢(shì)
隔離是指在存在危險(xiǎn)高壓時(shí)的可靠保護(hù)。電流隔離將兩個(gè)區(qū)域電隔離，允許功率或信號(hào)通過屏障傳輸，而不影響人身安全
安全性，同時(shí)防止接地電位差，提高抗噪性。TI的隔離技術(shù)組合，包括電容性SiO2絕緣屏障和集成變壓器，有助于超越Verband der Automobilindustrie（VDA）、加拿大標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(huì)（CSA）和美國保險(xiǎn)商實(shí)驗(yàn)室（UL）的標(biāo)準(zhǔn)，而不會(huì)影響性能。要了解有關(guān)隔離的更多信息，請(qǐng)參閱我們的所有隔離解決方案。
傳輸信號(hào)
?采用高質(zhì)量隔離技術(shù)、低延遲數(shù)據(jù)傳輸和出色的共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI），提高系統(tǒng)魯棒性和可靠性。
傳輸功率
?通過在單個(gè)封裝中集成傳輸電源所需的高壓隔離組件，減少熱負(fù)荷并簡化EMI合規(guī)性。
穩(wěn)壓IC的EMI，除了了解特定應(yīng)用的適當(dāng)標(biāo)準(zhǔn)外，了解如何測(cè)量EMI也很重要，因?yàn)檫@些知識(shí)將使您深入了解如何減少EMI。EMI測(cè)量通常分為傳導(dǎo)和輻射，這揭示了測(cè)量方法和EMI的產(chǎn)生方式。雖然傳導(dǎo)發(fā)射通常與較低頻率（<30 MHz）相關(guān)，而輻射發(fā)射通常與較高頻率（>30 MHz）相關(guān)，但兩者之間的區(qū)別并不那么簡單，因?yàn)閭鲗?dǎo)和輻射頻率范圍確實(shí)重疊。
傳導(dǎo)發(fā)射測(cè)量旨在量化設(shè)備產(chǎn)生并返回其電源的EMI。重要的是：減少許多應(yīng)用中的這些排放，因?yàn)槠渌舾须娐吠ǔ＿B接到相同的電源線。在處理現(xiàn)代汽車中數(shù)量不斷增加的長線束時(shí)，降低傳導(dǎo)電磁干擾尤為重要。
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功率MOSFET概述：
TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個(gè)低導(dǎo)通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺(tái)無法實(shí)現(xiàn)的組合。
NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計(jì)師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負(fù)載到全負(fù)載的效率，**了離散設(shè)計(jì)的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。
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升壓穩(wěn)壓器-穩(wěn)壓IC
將輸入電壓高效轉(zhuǎn)換到更高的輸出電壓
查看所有產(chǎn)品
我們品類豐富的升壓穩(wěn)壓器產(chǎn)品系列包括同步和非同步器件，這些器件能夠以高達(dá) 96% 的效率滿足從幾毫安到 100A 等各種應(yīng)用的需求。我們的產(chǎn)品具有有助于延長電池壽命的低靜態(tài)電流 (IQ)、實(shí)現(xiàn)小尺寸的高功率密度和實(shí)現(xiàn)低 EMI 的展頻技術(shù)等關(guān)鍵特性。您可以找到升壓、SEPIC 和反激式解決方案。
按類別分類:
升壓控制器（外部開關(guān)）
升壓轉(zhuǎn)換器（集成開關(guān)）
升壓模塊（集成電感器）
按類型選擇
控制器
我們提供靈活的同步和非同步升壓控制器以支持更高的功率級(jí)別。
我們的低功耗升壓轉(zhuǎn)換器可滿足您對(duì)小尺寸解決方案、低系統(tǒng)成本和高功率密度的需求。
我們的升壓模塊支持小解決方案尺寸、高功率密度和快速設(shè)計(jì)。
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深圳市特克電子技術(shù)有限公司致力于電子元器件，以科技創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量管理的追求。特克集團(tuán)深耕行業(yè)多年，始終以客戶的需求為向?qū)В瑸榭蛻籼峁└哔|(zhì)量的集成電路，芯片，IC，二三極管。特克集團(tuán)繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。特克集團(tuán)始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時(shí)代，對(duì)自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使特克集團(tuán)在行業(yè)的從容而自信。