取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發(fā)射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關(guān)鍵原因。下頁的圖14顯示了標(biāo)準(zhǔn)反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關(guān)節(jié)點相關(guān)的寄生電容直接從一次側(cè)流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級流向次級，導(dǎo)致測量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。
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真回轉(zhuǎn)率控制
盡管有上述技術(shù)，在一些設(shè)計中，高頻EMI（60至250 MHz）可能仍不在規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)限值范圍內(nèi)。為了通過行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，減輕和提高裕度的一種方法是使用與開關(guān)轉(zhuǎn)換器的啟動電容串聯(lián)的電阻器。使用電阻器可以降低開關(guān)邊緣轉(zhuǎn)換率，從而降低EMI，但會帶來效率降低的預(yù)期損失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等開關(guān)轉(zhuǎn)換器的設(shè)計使得可以使用電阻器來選擇高側(cè)FET驅(qū)動器在開啟期間的強度。如下頁圖22所示，通過RBOOT引腳（teal虛線環(huán)）的電流被倍增，并從CBOOT（紅色虛線）穿過，以打開高壓側(cè)功率MOSFET。通過這樣做，電阻器可以控制轉(zhuǎn)換速率，但不會遭受串聯(lián)啟動電阻器運行大部分電流時發(fā)生的效率損失。當(dāng)RBOOT對CBOOT短路時，上升時間很快；開關(guān)節(jié)點諧波在高于150 MHz之前不會衰減。如果CBOOT和RBOOT通過700Ω保持連接，則在將13.5 V轉(zhuǎn)換為5 V時，回轉(zhuǎn)時間將增加到10 ns。此緩慢上升時間可使開關(guān)節(jié)點諧波中的能量在大多數(shù)情況下在50 MHz附近衰減。
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德州儀器 穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
圖13顯示了在400 kHz開關(guān)頻率下運行的buck變換器的EMI測量結(jié)果，比較了有源和無源EMI濾波方法。為了有效滿足CISPR 25 5級頻譜屏蔽，無源EMI濾波器需要一個3.3μH的DM電感和一個10μF的DM電容。有源濾波方法可以通過*1μH的DM電感器以及100 nF的傳感和注入電容實現(xiàn)相同的有效衰減。這有助于將無源濾波器的大小和體積分別減小到原始值的43%和27%。對于更大電流的轉(zhuǎn)換器，可以通過降低電感直流電阻來獲得成本和效率方面的進(jìn)一步好處。
升壓升壓轉(zhuǎn)換器-數(shù)據(jù)表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC
集成功率MOSFET開關(guān)?？蓪崿F(xiàn)的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數(shù)，可以使用以下公式進(jìn)行估計：IOUT=0.65xISwitch（**?。﹛（VIN/VOUT）降壓升壓轉(zhuǎn)換器-ADC/DC轉(zhuǎn)換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調(diào)節(jié)輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。
TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無縫過渡。
分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員
轉(zhuǎn)換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個輸入軌產(chǎn)生調(diào)節(jié)的正負(fù)電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時為工業(yè)和汽車應(yīng)用提供了前列的性能。
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數(shù)據(jù)表SMPS設(shè)備評估模塊中公布的傳導(dǎo)和輻射EMI結(jié)果根據(jù)**嚴(yán)格的工業(yè)和汽車EMI標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行測試，數(shù)據(jù)表中公布的結(jié)果有助于您提前了解設(shè)備的EMI性能。您可以通過單擊設(shè)備數(shù)據(jù)表第一頁上的“針對**EMI要求進(jìn)行了優(yōu)化”來訪問詳細(xì)的EMI報告。LM62440-Q1數(shù)據(jù)表中的EMI報告包括CISPR 25 5級傳導(dǎo)和輻射設(shè)置的完整數(shù)據(jù)。
此外，TI可以在內(nèi)部執(zhí)行系統(tǒng)級EMI建模和測量，以幫助您驗證EMI性能并加快循環(huán)時間。
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增強型熱棒? QFN公司
增強型HotRod quad flat no lead（QFN）封裝提供了HotRod封裝的所有EMI降低功能，并具有更低開關(guān)節(jié)點電容的額外優(yōu)勢，從而大降低了振鈴。在具有增強型熱棒QFN的設(shè)備中，寄生在輸入電壓（VIN）和接地（GND）引腳上的電阻-導(dǎo)體-電容器（RLC）也較低
與HotRod軟件包相比。
LM60440-Q1降壓轉(zhuǎn)換器采用增強型熱棒QFN，下頁圖18顯示了引腳和電路板布局。增強型HotRod QFN不僅提高了效率，還包括封裝中心有一個大型模具連接墊（DAP）的封裝外形。與熱棒封裝相比，DAP有助于通過PCB更好地散熱，并將結(jié)溫升高降低15%以上。此外，VIN、GND和開關(guān)節(jié)點引腳上較低的RLC寄生也會提高效率并降低EMI。正如預(yù)期的那樣，這會產(chǎn)生更好的EMI，尤其是在交換機節(jié)點振鈴頻帶周圍
如下圖19所示。
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