UCD7230RGWR穩(wěn)壓IC

來源： 發(fā)布時間：2023-05-24

降低低頻和高頻范圍內(nèi)電磁干擾的常規(guī)方法-穩(wěn)壓IC技術(shù)專題
當系統(tǒng)共享公共物理觸點時，開關(guān)電源中不連續(xù)電流產(chǎn)生的輸入電壓紋波可傳導至其他系統(tǒng)。如果沒有適當?shù)木徑獯胧^大的輸入或輸出電壓紋波可能會危及電源、負載或相鄰系統(tǒng)的運行。
傳統(tǒng)上，您可以通過使用基于無源電感電容器（LC）的EMI濾波器來**小化輸入紋波，如圖4所示。LC濾波器提供滿足EMI規(guī)范所需的衰減。
取舍是根據(jù)所需衰減對系統(tǒng)的尺寸和成本進行懲罰，這將降低總體功率密度。而且用于輸入EMI濾波器設(shè)計的大型電感器由于其較低的自諧振頻率而在大于30 MHz的頻率下失去衰減，因此需要鐵氧體磁珠等附加組件來處理高頻衰減。

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功率MOSFET概述：

TI基于穩(wěn)壓IC的電源管理創(chuàng)新NexFET?技術(shù)，與穩(wěn)壓IC完美結(jié)合將垂直電流與橫向功率MOSFET相結(jié)合。它提供了一個低導通電阻，需要極低的柵極電荷和行業(yè)標準封裝外形，這是以前現(xiàn)有硅平臺無法實現(xiàn)的組合。

NexFET技術(shù)為N溝道和P溝道提供高性能功率MOSFET器件。設(shè)計師能夠?qū)崿F(xiàn)90%的供電高輸出電流和低占空比，從輕負載到全負載的效率，**了離散設(shè)計的突破。
功率MOSFET，穩(wěn)壓IC主要包括：N溝道MOSFET晶體管和 P溝道MOSFET晶體管。 TPS53014DGS穩(wěn)壓IC電源穩(wěn)壓IC，就選特克集團，原廠代理！期待您的光臨！

升壓升壓轉(zhuǎn)換器-數(shù)據(jù)表規(guī)定了-穩(wěn)壓IC

集成功率MOSFET開關(guān)?？蓪崿F(xiàn)的實際輸出電流的粗略估計是占空比的函數(shù)，可以使用以下公式進行估計：IOUT=0.65xISwitch（**?。﹛（VIN/VOUT）降壓升壓轉(zhuǎn)換器-ADC/DC轉(zhuǎn)換器必須能夠在所有可能的輸入電壓條件下調(diào)節(jié)輸出電壓，無論VIN高于或低于VOUT。

TI的單電感buck-boost變換器在芯片上集成了四個功率MOSFET，以節(jié)省空間并在操作模式之間無縫過渡。

分軌變流器-TPS6513x分軌系列的每個成員

轉(zhuǎn)換器（+VOUT1/–VOUT2）從一個輸入軌產(chǎn)生調(diào)節(jié)的正負電源電壓。這降低了BOM成本和空間，同時為工業(yè)和汽車應用提供了前列的性能。

取消繞組-TI穩(wěn)壓IC技術(shù)專題

與非隔離變流器不同，隔離邊界上的額外發(fā)射路徑是隔離變流器***模（CM）EMI的關(guān)鍵原因。下頁的圖14顯示了標準反激變換器中隔離變壓器上存在的寄生電容。CM電流可通過與每個開關(guān)節(jié)點相關(guān)的寄生電容直接從一次側(cè)流向接地。由于繞組之間的寄生電容，CM電流也從初級流向次級，導致測量的CM EMI增加。按照慣例，您可以通過在輸入功率路徑中使用大型CM扼流圈來衰減這種額外干擾。

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設(shè)計低 EMI 電源-穩(wěn)壓IC
探索這個綜合培訓系列，了解更多關(guān)于 EMI 的基礎(chǔ)知識、有助于減少排放的各種技術(shù)等
隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集和互連，減少電磁干擾 (EMI) 的影響正成為越來越重要的系統(tǒng)設(shè)計考慮因素。EMI 不再是事后的想法，因為它有可能在設(shè)計階段后期造成重大挫折，耗費時間和金錢。
TI 提供多種功能和技術(shù)來減輕所有相關(guān)頻段中的 EMI。我們的設(shè)備和技術(shù)不僅可以幫助設(shè)計人員改進濾波器尺寸和成本，還可以減少設(shè)計時間和復雜性。
為了幫助您設(shè)計更高效的電源以滿足 EMI 要求，請從我們的綜合培訓系列開始，我們首先提供 EMI 的基礎(chǔ)知識，然后深入了解特定的 IC 和封裝創(chuàng)新、有關(guān)外部組件選擇和布局的設(shè)計技巧以及以特定應用的 EMI 主題結(jié)束。

本培訓系列的主題概述：
EMI 的基本原理
通過 IC 和封裝創(chuàng)新降低 EMI
通過輸入濾波器設(shè)計、PCB 和 BOM 優(yōu)化降低 EMI
特定應用的 EMI 注意事項
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穩(wěn)壓IC專題

由于DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率路徑中存在寄生電感，高轉(zhuǎn)換率還會導致高頻開關(guān)節(jié)點振鈴，從而進一步增加振鈴頻率及以上的發(fā)射。 UCD7230RGWR穩(wěn)壓IC
下頁的圖7顯示了切換節(jié)點上的轉(zhuǎn)換速率和相關(guān)振鈴如何影響排放。限制開關(guān)轉(zhuǎn)換引起的EMI發(fā)射的傳統(tǒng)方法是通過在開關(guān)設(shè)備的柵極驅(qū)動路徑中添加有意的電阻來降低它們的速度。這會導致轉(zhuǎn)換速度變慢，導致更快的發(fā)射衰減，并在振鈴頻率下減少8到10 dB的發(fā)射。然而，這種開關(guān)邊緣的減速會導致開關(guān)轉(zhuǎn)換器的峰值電流效率降低2%-3%。

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