整改一個(gè)二十幾瓦的電源。我就結(jié)合測(cè)試的曲線說(shuō)一下我的整改經(jīng)過(guò)吧。先上一個(gè)測(cè)試不通過(guò)的曲線：空間輻射的H方向的曲線這個(gè)電源是一個(gè)25W左右的開關(guān)電源，電源的電路圖保密原因不方便上傳，但可以跟大家先說(shuō)明一下，此電路用了一個(gè)0。1uF的X電容和一個(gè)30mH的共模電感。次級(jí)輸出加了一個(gè)50uH的工字電感。這個(gè)產(chǎn)品發(fā)現(xiàn)MOS管和雙向二極管所帶的散熱片都是沒(méi)有接入熱地的。（也就是電源初級(jí)邊的電解電容的負(fù)極。變壓器內(nèi)有一層線圈繞制的屏蔽并接入熱地。插在線路與機(jī)架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。西安儀器儀表EMI分析整改
我們來(lái)分析一下EMI的產(chǎn)生，忽略自然干擾的影響，在電子電路系統(tǒng)中我們主要考慮是電壓瞬變和信號(hào)的回流這兩方面。對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來(lái)決定，信號(hào)上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問(wèn)題。西安儀器儀表EMI分析整改EMI 整改：對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整 X 電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量。
20-30MHZ，（整改建議）1、對(duì)于一類產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置；2、調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值；3、在變壓器外面包銅箔；變壓器里層加屏蔽層；調(diào)整變壓器的各繞組的排布。因?yàn)樗鼈兊墓逃械碾娏骷半妷翰ㄐ?，以非?？焖俚拈_關(guān)時(shí)間變化。200MHZ以上，開關(guān)電源已基本輻射量很小，一般均可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。修改Inlet上L.N對(duì)GND并的CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射的50MHz-110MHz，190MHz-240MHz均有改善.高壓地對(duì)Case地跨CY電容（容量范圍470PF-4700PF），對(duì)輻射40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高壓電容正負(fù)極并瓷片電或SMD電容（容量范圍1000PF-4700PF/1KV），對(duì)輻射40MHz-90MHz，110MHz-170MHz均有改善。
若是用軍標(biāo)測(cè)試，相應(yīng)的會(huì)嚴(yán)格一些，所以EUT測(cè)試超標(biāo)很正常。對(duì)電源適配器的EMI和EMC主要影響的幾個(gè)因素在于電源適配器的開關(guān)電路,電路板設(shè)計(jì)和接地電路以及開關(guān)電路等各個(gè)功能電路等方面.消除就是用將干擾源通過(guò)熱能的方式損耗掉，這種是制本的方式。切除干擾傳導(dǎo)的途徑就是將干擾向外傳遞的路徑切斷，使其無(wú)法向外干擾，也就是我們常做的濾波，屏蔽等方法。c.疏導(dǎo)干擾源這種就是將干擾源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式。EMI 整改：對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)壓制。
通常，高速數(shù)字電路的EMI發(fā)射帶寬可以通過(guò)下面的公式計(jì)算：F=1/πTr，F(xiàn)為開關(guān)電路產(chǎn)生的高EMI頻率，單位為GHz，Tr為信號(hào)的上升時(shí)間或者下降時(shí)間，單位為ns。比如，對(duì)于上升時(shí)間為1ns左右的器件，那么它所產(chǎn)生的高EMI頻率將為350MHz，而如果上升時(shí)間降為為500ps，那么它的高EMI發(fā)射頻率將為700MHz，遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于系統(tǒng)正常的工作頻率，這將會(huì)在一定程度上影響周圍其他系統(tǒng)的正常工作。顯然，如果能減緩信號(hào)的上升沿，將會(huì)在很大程度上減少EMI，但是隨著電子設(shè)計(jì)和芯片制造水平的發(fā)展，器件總是朝著高速方向發(fā)展，單一的降低信號(hào)開關(guān)速率顯然是不現(xiàn)實(shí)的。但我們卻可以通過(guò)降低信號(hào)電壓來(lái)達(dá)到同樣的目的，因?yàn)樵谙嗤臅r(shí)間內(nèi)，低電壓器件需要跨越的邏輯門電壓幅度較小，就同樣減緩器件的上升沿速率，所以低電壓器件也是高速電路發(fā)展的趨勢(shì)。EMI是指電子產(chǎn)品工作會(huì)對(duì)周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。西安儀器儀表EMI分析整改
有效降低電路EMI的技巧：當(dāng)存在一個(gè)磁場(chǎng)時(shí)，一個(gè)由導(dǎo)電材料形成的環(huán)路充當(dāng)了天線。西安儀器儀表EMI分析整改
電源DC-DC晶片的VIN接腳，合理配置電容，減少輸入電源的EMI；在輸出端合理配置電感或鐵氧體磁珠，這樣電路動(dòng)態(tài)功率將從近端的電容獲取，而不是從遠(yuǎn)端的電源獲取，降低了雜訊干擾。另外，電源平面和地平面盡量完整。EMI又稱電磁干擾是指任何在傳導(dǎo)或電磁場(chǎng)伴隨著電壓、電流的作用而產(chǎn)生會(huì)降低某個(gè)裝置、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，或可能對(duì)生物或物質(zhì)產(chǎn)生不良影響之電磁現(xiàn)象。或說(shuō)電子設(shè)備都會(huì)產(chǎn)生傳導(dǎo)性電磁噪聲干擾，就像傳染病般地透過(guò)電源線傳導(dǎo)電磁干擾也是變頻器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的一個(gè)主要問(wèn)題。在許多國(guó)家，尤其在歐洲，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。西安儀器儀表EMI分析整改
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