在EMI測(cè)試中，信號(hào)線對(duì)于電磁噪聲來(lái)說(shuō)是一個(gè)很好的耦合傳播途徑，無(wú)論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過(guò)信號(hào)線傳導(dǎo)至其他設(shè)備，因此信號(hào)端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標(biāo)的一個(gè)重要因素。差分傳輸是一種信號(hào)傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號(hào)線一根地線的單端信號(hào)傳輸，差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號(hào)，這兩個(gè)信號(hào)的振幅相同，相位相反。在這兩根線上的傳輸?shù)男盘?hào)就是差分信號(hào)。信號(hào)接收端比較這兩個(gè)電壓的差值來(lái)判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。在電路板上，差分走線必須是等長(zhǎng)、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線。遮罩是好的解決EMI問(wèn)題的有效方法。多媒體EMI分析整改接地
EMI整改和調(diào)試是工程師在設(shè)計(jì)中不可回避的問(wèn)題：一次性很難通過(guò)昂貴的EMI一致性測(cè)試；難以捕獲偶發(fā)的EMI突發(fā)信號(hào)；需要擁有較長(zhǎng)儀器采集時(shí)間的實(shí)時(shí)頻譜分析儀才可能捕獲EMI突發(fā)信號(hào)；大多數(shù)頻譜分析儀不是實(shí)時(shí)頻譜分析儀；EMI調(diào)試中很難找到噪聲來(lái)源；截短PCB線路，然后重連，才有可能找到噪聲來(lái)源；很難找到導(dǎo)致EMI的模擬信號(hào)和/或數(shù)字信號(hào)。遇到傳導(dǎo)測(cè)試超標(biāo)問(wèn)題，第一步要做的，通常是定位噪聲分量主要是差模還是共模，通常的測(cè)試設(shè)備可以用來(lái)區(qū)分差共模分量，但個(gè)人覺得太麻煩，并且測(cè)試出來(lái)的是相對(duì)值，并不一定可以具備指導(dǎo)意義。簡(jiǎn)單的辦法是，在輸入端口并聯(lián)一個(gè)X電容，幾十nF到幾百nF，如果所關(guān)心的頻段測(cè)試通過(guò)了，就說(shuō)明噪聲的干擾主要是差模干擾，或者更準(zhǔn)確地說(shuō)，通過(guò)壓低差模分量，就一定能夠搞定問(wèn)題。藍(lán)牙耳機(jī)EMI分析整改走線布線把磁場(chǎng)轉(zhuǎn)換為圍繞環(huán)路流動(dòng)的電流。
有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。在晶片電源接腳、I/O接口、重要訊號(hào)介面等位置增加旁路電容，有助于濾除積體電路的開關(guān)雜訊。晶片電源接腳增加旁路電容(0.1μF)處理，電容要靠近接腳擺放。
從我做EMC的整改經(jīng)驗(yàn)來(lái)看我不能認(rèn)同這些朋友的意見。我從事整改好幾年經(jīng)我手整改過(guò)的產(chǎn)品有電源，有陸軍標(biāo)的逆變電源，有工業(yè)電源，也有大功率的LED電源，還有音視頻產(chǎn)品，我對(duì)這些產(chǎn)品的工和原理只是知道個(gè)大概，無(wú)論如何也比不上各位工程師，但我一樣可以半這些產(chǎn)品整改符合EMC的要求同時(shí)也讓各業(yè)企懣意。說(shuō)到EMC的整改問(wèn)題，相信各位接觸過(guò)的工程師都會(huì)有很刻記憶。本人瀏覽了一些朋友對(duì)EMC的認(rèn)識(shí)，有的朋友認(rèn)為不是自己設(shè)計(jì)的電路或自己布的PCB，那別人就對(duì)這個(gè)電源過(guò)EMC沒有更好的方法，還有的一些朋友對(duì)電源的IC的功能情有獨(dú)鐘，他們可以分析出很多的情況。認(rèn)為是這個(gè)IC的功能影響到了產(chǎn)品的EMC的指標(biāo)。接地雜訊電壓就會(huì)導(dǎo)致地環(huán)路干擾的產(chǎn)生。
對(duì)于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來(lái)考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認(rèn)為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對(duì)于高速的數(shù)字器件來(lái)說(shuō)，產(chǎn)生高頻交流信號(hào)時(shí)的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個(gè)主要原因。我們知道，數(shù)字信號(hào)在開關(guān)輸出時(shí)產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時(shí)間來(lái)決定，信號(hào)上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時(shí)間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會(huì)產(chǎn)生嚴(yán)重的電磁輻射，這個(gè)電磁能量的外泄就會(huì)造成電磁干擾問(wèn)題。有效降低電路EMI的技巧：出現(xiàn)在板級(jí)連接的場(chǎng)合。家電燈具EMI分析整改
許多國(guó)家，對(duì)任何系統(tǒng)可能散發(fā)的電磁干擾有嚴(yán)格的限制。多媒體EMI分析整改接地
訊號(hào)線和接地平面之間存在訊號(hào)，輻射可以由訊號(hào)走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號(hào)走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時(shí)脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標(biāo)準(zhǔn)，而在時(shí)脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時(shí)脈轉(zhuǎn)換過(guò)程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個(gè)主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。多媒體EMI分析整改接地