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自有發(fā)明專利的智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測技術(shù)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號，非常方便HTOLSetup，實(shí)時(shí)監(jiān)測并記錄環(huán)境溫度，以及每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)，確保芯片處于正常HTOL狀態(tài)，保證HTOL測試質(zhì)量，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅度提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報(bào)告更有說服力，下游客戶更放心。崇明區(qū)智能HTOL測試機(jī)上海頂策科技有限公司可靠性測試服務(wù)，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性。
導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時(shí)間不容延期。從測試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法對所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進(jìn)行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。
本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進(jìn)行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標(biāo)號如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實(shí)施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法，以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例作進(jìn)一步詳細(xì)說明。根據(jù)下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細(xì)的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測試方法流程圖，上海頂策科技有限公司可靠性測試部，提供HTOL方案設(shè)計(jì)制作。
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AEC-Q1001.對于非易失性存儲器樣品，在HTOL之前進(jìn)行預(yù)處理：等級0：150℃，1000h等級1：125℃，1000h等級2：105℃，1000h等級3：85℃，1000h2.各等級溫度對應(yīng)的時(shí)間是比較低要求，通過計(jì)算或測量獲取HTOL的Tj（結(jié)溫）；3.當(dāng)進(jìn)行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時(shí)的Tj，那么Tj可以代替Ta（環(huán)境溫度），但是要低于***比較大Tj；4.如果Tj被用來作為HTOL的條件，在Ta和1000h條件下的器件需要使用；(max)需要保證交直流參數(shù)。————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 長寧區(qū)HTOL測試機(jī)24小時(shí)服務(wù)