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模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告。上海頂策科技有限公司提供高質(zhì)量、高效率、低成本HTOL測(cè)試方案?？煽啃詼y(cè)試事業(yè)部提供可靠性測(cè)試整體解決方案，包括HTOL、LTOL、雙85、HAST等可靠性設(shè)備，以及測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，可以滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)，大幅度提高HTOL效率，節(jié)省更多時(shí)間、FA成本，全程數(shù)據(jù)記錄，讓HTOL問(wèn)題更容易分析，更有追溯性，有全程HTOL數(shù)據(jù)記錄，讓報(bào)告更有說(shuō)服力，下游客戶更放心。青浦區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家好上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能HTOL測(cè)試機(jī)TH801實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)確保芯片處于正常狀態(tài)，保證HTOL測(cè)試質(zhì)量。
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在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過(guò)程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測(cè)試方法，對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過(guò)，解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題，提高閃存質(zhì)量。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除直接進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖；上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801通過(guò)監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析，大幅提高效率。
進(jìn)一步的，對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯，包括：在所述源極上施加***編程電壓，在所述漏極上施加第二編程電壓，在所述控制柵上施加第三編程電壓，在所述襯底上施加第四編程電壓；其中，所述***編程電壓小于所述第二編程電壓；所述第二編程電壓小于所述第三編程電壓。進(jìn)一步的，所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓的范圍為～-1v。進(jìn)一步的，編譯過(guò)程中的脈沖寬度為100μs～150μs。進(jìn)一步的，對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行擦除，包括：將所述源極和漏極均懸空，在所述控制柵上施加***擦除電壓，在所述襯底上施加第二擦除電壓；其中，所述***擦除電壓為負(fù)電壓，所述第二擦除電壓為正電壓。進(jìn)一步的，所述***擦除電壓的范圍為-10v～-8v，所述第二擦除電壓的范圍為8v～10v。進(jìn)一步的，擦除過(guò)程中的脈沖寬度為10ms～20ms。進(jìn)一步的，對(duì)所述閃存參考單元進(jìn)行編譯和擦除，循環(huán)次數(shù)為10次～20次。進(jìn)一步的，對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試包括：對(duì)所述閃存依次進(jìn)行***時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第二時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)、第三時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)至第n時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)。
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那么IC在使用期的壽命測(cè)試中的HTOL是什么呢？使用期的壽命測(cè)試又包含高溫工作壽命（HTOL）和低溫工作壽命（LTOL），對(duì)于亞微米級(jí)尺寸的器件，熱載流子效應(yīng)對(duì)于器件壽命有著***的影響，低溫工作時(shí)相對(duì)比較苛刻，所以像存儲(chǔ)器、處理器等納米級(jí)別工藝的產(chǎn)品通常需要進(jìn)行低溫工作壽命測(cè)試。而對(duì)于。進(jìn)行HTOL（HighTemperatureOperationLife）測(cè)試的目的就是為了確定長(zhǎng)時(shí)間的電氣偏差和溫度對(duì)器件的影響，評(píng)估器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力，也就是在正常工作的壽命期間潛在的固有故障被加速，這樣就可以在相對(duì)比較短的時(shí)間內(nèi)模擬出產(chǎn)品的正常使用壽命。HTOL是在產(chǎn)品放行和批量生產(chǎn)前進(jìn)行評(píng)估，對(duì)應(yīng)浴缸曲線曲線的UsefulLife期，通常是抽樣進(jìn)行的。此外，HTOL還可以用于可靠性監(jiān)控以及對(duì)存在潛在缺陷的產(chǎn)品進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估。 青浦區(qū)HTOL測(cè)試機(jī)哪家好