芯片HTOL測試項目柔性開發(fā)，芯片HTOL測試自研設備。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。提供可靠性設備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定，PCB設計制作，測試試驗，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設計，原理圖設計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告。上海頂策科技自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測試機，擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)。寶山區(qū)HTOL測試機
閃存參考單元包括：襯底100，位于所述襯底中的導電溝道、位于所述導電溝道兩側(cè)的源極101和漏極102，位于導電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層103、浮柵104、柵間介質(zhì)層105以及控制柵106,所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻107。柵間介質(zhì)層105例如可以為依次層疊的氧化硅層、氮化硅層和氧化硅層的多層結(jié)構(gòu)，即為ono結(jié)構(gòu)。具體的，閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元的隧穿氧化層103中捕獲(引入)空**3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖，如圖3所示，對所述閃存參考單元進行編譯，包括：在所述源極101上施加***編程電壓vb1，在所述漏極102上施加第二編程電壓vb2，在所述控制柵106上施加第三編程電壓vb3，在所述襯底100上施加第四編程電壓vb4；其中，所述***編程電壓vb1小于所述第二編程電壓vb2；所述第二編程電壓vb2小于所述第三編程電壓vb3。所述***編程電壓的范圍為～0v,所述第二編程電壓的范圍為～，所述第三編程電壓vb3的范圍為8v～10v,所述第四編程電壓vb4的范圍為～-1v，編譯過程中的脈沖寬度為100μs～150μs。編譯通過熱電子注入的方式對所述浮柵104中注入電子。寶山區(qū)HTOL測試機TH801智能老化系統(tǒng)，全程數(shù)據(jù)實時記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性。
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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴，在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子，擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴；在經(jīng)過多次的編譯以及擦除后，會在浮柵104中有更多的電子，隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等，從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴，這些深能級的空穴不容易移動，而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍，在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失，從而補償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，通過監(jiān)測數(shù)據(jù)，可實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析,節(jié)省更多時間、FA成本。
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