閔行區(qū)HTOL測試機

來源: 發(fā)布時間:2022-09-20

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    芯片可靠性測試(HTOL)HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一項關鍵性的基礎測試,用應力(電壓、溫度等拉偏)加速的方式模擬芯片的長期運行,評估芯片壽命和長期上電運行的可靠性。廣電計量服務內(nèi)容:老化方案開發(fā)測試硬件設計ATE開發(fā)調(diào)試可靠性試驗HTOL試驗方案:在要求點(如0、168、500、1000hr)進行ATE測試,確定芯片是否OK,記錄每顆芯片的關鍵參數(shù),并分析老化過程中的變化。對芯片覆蓋率要求如:CPU/DSP/MCU/logic:ATPG的stuck-atfaultcoverage>70%。MemoryBIST:覆蓋所有memory。3、模擬電路:覆蓋PLL/AD/DA/SERDES等關鍵IP。 上海頂策科技有限公司,20年以上的豐富測試技術積累及運營經(jīng)驗,擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權。青浦區(qū)HTOL測試機供應商

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一種閃存htol測試方法,包括:提供待測閃存,所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元;所述閃存參考單元中捕獲有空穴;對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進行htol測試,所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失,以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的,待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元,閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù),閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴,所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖,閔行區(qū)HTOL測試機

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