HTOL測(cè)試機(jī)參數(shù)

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-20

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可靠性測(cè)試整體解決方案:可靠性設(shè)備,HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定,PCB設(shè)計(jì)制作,測(cè)試試驗(yàn),滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬,數(shù)字,混合信號(hào),SOC,RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì),原理圖設(shè)計(jì),PCBlayout加工制作,老化程序開(kāi)發(fā)調(diào)試,可靠性測(cè)試試驗(yàn),出具可靠性報(bào)告等全方面服務(wù)。上海頂策科技有限公司,擁有20年以上的豐富測(cè)試技術(shù)積累及運(yùn)營(yíng)經(jīng)驗(yàn),以及多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán),自成立以來(lái)已經(jīng)為超過(guò)500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量,高效率,低成本,一條龍測(cè)試解決方案!閔行區(qū)如何選HTOL測(cè)試機(jī)上海頂策科技TH801智能老化系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度,具體到每顆芯片的狀態(tài)數(shù)據(jù)。

在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過(guò)程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明所提供的閃存htol測(cè)試方法,對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過(guò),解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問(wèn)題,提高閃存質(zhì)量。附圖說(shuō)明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖;圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖;圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖;圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過(guò)編譯和擦除直接進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖;

導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過(guò)程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失,而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過(guò)程中捕獲(引入)的,短期內(nèi)無(wú)法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es,engineeringsample)到客戶樣品(cs,customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試,所述引入電子在所述htol測(cè)試過(guò)程中存在丟失,以對(duì)htol測(cè)試過(guò)程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng),可靈活配置芯片工作狀態(tài),并施加信號(hào),非常方便HTOL Setup。

    GJB548B-2015方法,否則采用額定工作電壓S級(jí)**少時(shí)間有240h到120h共6個(gè)級(jí)別;B級(jí)**少時(shí)間160h到12h共10個(gè)級(jí)別;H級(jí)**少時(shí)間352h到80h共11級(jí)別;K級(jí)**少時(shí)間從700h到320h共6個(gè)級(jí)別。S級(jí)最低溫度從125℃到150℃共6個(gè)級(jí)別;B級(jí)別最低溫度從125℃到250℃;H級(jí)最低溫度從100℃到150℃;K級(jí)最低溫度從100℃到125℃?!鏅?quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 TH801智能老化系統(tǒng),實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄每顆芯片電壓,電流,頻率,寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。江蘇HTOL測(cè)試機(jī)哪家好

TH801智能老化系統(tǒng),監(jiān)測(cè)數(shù)據(jù)異常自動(dòng)報(bào)警,實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題并介入分析,可以整體降低30~50%的成本。HTOL測(cè)試機(jī)參數(shù)

    1.試驗(yàn)?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗(yàn)?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對(duì)于固態(tài)器件隨時(shí)間的影響。試驗(yàn)可以加速地模擬器件的運(yùn)行狀態(tài),主要用于器件的可靠性測(cè)試。本實(shí)驗(yàn)在較短時(shí)間內(nèi)對(duì)器件施加高溫偏置,通常也被稱為老化或老煉。,這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法,這些器件隨著時(shí)間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照J(rèn)ESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 HTOL測(cè)試機(jī)參數(shù)

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