可靠性測試整體解決方案：可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項可靠性測試方案制定，PCB設(shè)計制作，測試試驗，滿足各類芯片可靠性測試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計，原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測試試驗，出具可靠性報告等全方面服務(wù)。上海頂策科技有限公司，擁有20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運營經(jīng)驗，以及多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，自成立以來已經(jīng)為超過500家半導(dǎo)體公司提供高質(zhì)量，高效率，低成本，一條龍測試解決方案！上海頂策科技自主研發(fā)實時單顆監(jiān)測技術(shù)，可靈活配置芯片工作狀態(tài)，并施加信號，非常方便HTOL Setup。江蘇一體化HTOL測試機
一種閃存htol測試方法，包括：提供待測閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中部分丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。具體的，待測閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，黃浦區(qū)HTOL測試機市面價上海頂策科技有限公司可靠性測試服務(wù)，涵蓋原理圖設(shè)計，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試。
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閃存HTOL測試方法與流程本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種閃存htol測試方法。背景技術(shù)：閃存(flashmemory)是一種非易失性的存儲器，其具有即使斷電存儲數(shù)據(jù)也不會丟失而能夠長期保存的特點。故近年來閃存的發(fā)展十分迅速，并且具有高集成度、高存儲速度和高可靠性的閃存存儲器被廣泛應(yīng)用于包括電腦、手機、服務(wù)器等電子產(chǎn)品及設(shè)備中。在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域中，htol(hightemperatureoperatinglifetest，高溫操作生命期試驗)用于評估半導(dǎo)體器件在超熱和超電壓情況下一段時間的耐久力。對于閃存的可靠性而言，在數(shù)萬次的循環(huán)之后的htol是一個主要指數(shù)。通常而言，閃存產(chǎn)品需要在10000次的循環(huán)之后，通過1000小時的htol測試。閃存htol實際測試中存在若干小時后閃存測試讀點(例如讀“0”)失效，亟需解決閃存htol測試中讀點失效的問題。上海頂策科技有限公司可靠性測試服務(wù)，涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計。
1.試驗?zāi)康臉?biāo)準(zhǔn)試驗?zāi)康膫渥ESD22-A108F-2017確定偏置條件和溫度對于固態(tài)器件隨時間的影響。試驗可以加速地模擬器件的運行狀態(tài)，主要用于器件的可靠性測試。本實驗在較短時間內(nèi)對器件施加高溫偏置，通常也被稱為老化或老煉。，這些器件隨著時間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。GJB548B-2015方法，這些器件隨著時間和應(yīng)力變化而產(chǎn)生的失效。AEC-Q100參照JESD220-A108F-2017————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：。 TH801智能老化系統(tǒng)，監(jiān)測數(shù)據(jù)異常自動報警，實時發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅度提高HTOL效率。閔行區(qū)HTOL測試機市面價
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在每個時間點讀點過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法，對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對所述閃存進行htol測試，所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失，以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測試中讀點失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖；江蘇一體化HTOL測試機
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