芯片可靠性測試（HTOL）HTOL(HighTemperatureOperatingLife)是芯片可靠性的一項關(guān)鍵性的基礎(chǔ)測試，用應(yīng)力（電壓、溫度等拉偏）加速的方式模擬芯片的長期運行，評估芯片壽命和長期上電運行的可靠性。廣電計量服務(wù)內(nèi)容：老化方案開發(fā)測試硬件設(shè)計ATE開發(fā)調(diào)試可靠性試驗HTOL試驗方案：在要求點(如0、168、500、1000hr)進行ATE測試，確定芯片是否OK,記錄每顆芯片的關(guān)鍵參數(shù)，并分析老化過程中的變化。對芯片覆蓋率要求如：CPU/DSP/MCU/logic：ATPG的stuck-atfaultcoverage＞70％。MemoryBIST:覆蓋所有memory。3、模擬電路：覆蓋PLL/AD/DA/SERDES等關(guān)鍵IP。 TH801智能老化系統(tǒng)，全程數(shù)據(jù)實時記錄，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性。專注HTOL測試機供應(yīng)
本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖；發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中，具體標號如下：100-襯底；101-源極；102-漏極；103-隧穿氧化層；104-浮柵；105-柵間介質(zhì)層；106-控制柵；107-側(cè)墻；具體實施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法，以下結(jié)合附圖和具體實施例作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細的比例，*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖，什么是HTOL測試機專賣上海頂策科技有限公司可靠性測試服務(wù)，讓HTOL問題更容易分析，更有追溯性。
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