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AEC-Q1001.對于非易失性存儲器樣品,在HTOL之前進行預(yù)處理:等級0:150℃,1000h等級1:125℃,1000h等級2:105℃,1000h等級3:85℃,1000h2.各等級溫度對應(yīng)的時間是比較低要求,通過計算或測量獲取HTOL的Tj(結(jié)溫);3.當(dāng)進行HTOL的器件Tj大于或等于最高工作溫度時的Tj,那么Tj可以代替Ta(環(huán)境溫度),但是要低于***比較大Tj;4.如果Tj被用來作為HTOL的條件,在Ta和1000h條件下的器件需要使用;(max)需要保證交直流參數(shù)?!鏅?quán)聲明:本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章,遵循,轉(zhuǎn)載請附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接:。 江蘇HTOL測試機哪里有賣的上海頂策科技有限公司可靠性測試服務(wù),讓HTOL問題更容易分析,更有追溯性。
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在每個時間點讀點過程為:將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進行比對判斷,若iref<i,則閃存讀出“1”;若iref>i,則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有如下有益效果:本發(fā)明所提供的閃存htol測試方法,對所述閃存參考單元循環(huán)進行編譯和擦除,以在所述閃存參考單元中引入電子;對所述閃存進行htol測試,所述引入電子在所述htol測試過程中存在丟失,以對htol測試過程中所述空穴的丟失形成補償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量,從而使閃存htol讀“0”通過,解決了閃存htol測試中讀點失效的問題,提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖;圖2為本發(fā)明實施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖;圖3為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行編譯示意圖;圖4為本發(fā)明實施例的對閃存參考單元進行擦除示意圖;圖5為本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進行htol測試的輸出電流iref分布圖;上海頂策科技有限公司可靠性測試服務(wù),涵蓋柔性方案開發(fā),出具可靠性報告等一條龍服務(wù)。
本發(fā)明實施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除的電荷分布示意圖;發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除后的電荷分布示意圖。圖8為本發(fā)明實施例的閃存參考單元經(jīng)過編譯和擦除循環(huán)后再進行htol測試的輸出電流iref分布圖。其中,具體標(biāo)號如下:100-襯底;101-源極;102-漏極;103-隧穿氧化層;104-浮柵;105-柵間介質(zhì)層;106-控制柵;107-側(cè)墻;具體實施方式本發(fā)明提供一種閃存htol測試方法,以下結(jié)合附圖和具體實施例作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明,本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是,附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精細的比例,*用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。圖1為本發(fā)明實施例的閃存htol測試方法流程圖,上海頂策科技有限公司,20年以上的豐富測試技術(shù)積累及運營經(jīng)驗,擁有多項發(fā)明專利及軟件著作權(quán)。長寧區(qū)HTOL測試機供應(yīng)商
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