導(dǎo)致偏移量發(fā)生的原因是在htol可靠性驗(yàn)證過程中閃存參考單元會(huì)有空穴丟失，而丟失的空穴是在制作閃存的生產(chǎn)工藝過程中捕獲(引入)的，短期內(nèi)無法消除。而閃存產(chǎn)品從工程樣品(es，engineeringsample)到客戶樣品(cs，customersample)的時(shí)間不容延期。從測(cè)試端找出解決方案非常迫在眉睫。本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。上海頂策科技智能HTOL系統(tǒng)，自主研發(fā)在線實(shí)時(shí)單顆監(jiān)測(cè)技術(shù)。一體化HTOL測(cè)試機(jī)專賣店
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本發(fā)明提供了一種閃存htol測(cè)試方法，以解決閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問題。本發(fā)明提供的閃存htol測(cè)試方法，包括：提供待測(cè)閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中部分丟失，以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。進(jìn)一步的，所述閃存參考單元包括襯底、位于所述襯底中的導(dǎo)電溝道、位于所述導(dǎo)電溝道兩側(cè)的源極和漏極，位于所述導(dǎo)電溝道上方的柵極單元，所述柵極單元從下到上依次包括隧穿氧化層、浮柵、柵間介質(zhì)層以及控制柵，所述柵極單元的兩側(cè)分布有側(cè)墻。 怎樣選擇HTOL測(cè)試機(jī)參數(shù)TH801智能老化系統(tǒng)，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄每顆芯片電壓，電流，頻率，寄存器狀態(tài)等數(shù)據(jù)。
在每個(gè)時(shí)間點(diǎn)讀點(diǎn)過程為：將閃存參考單元的輸出電流iref與閃存陣列單元的輸出電流i的差值經(jīng)由讀出放大器進(jìn)行比對(duì)判斷，若iref＜i，則閃存讀出“1”；若iref＞i，則閃存讀出“0”。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有如下有益效果：本發(fā)明所提供的閃存htol測(cè)試方法，對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中存在丟失，以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。降低了閃存參考單元的輸出電流iref的偏移量，從而使閃存htol讀“0”通過，解決了閃存htol測(cè)試中讀點(diǎn)失效的問題，提高閃存質(zhì)量。附圖說明圖1為本發(fā)明實(shí)施例的閃存htol測(cè)試方法流程圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行編譯示意圖；圖4為本發(fā)明實(shí)施例的對(duì)閃存參考單元進(jìn)行擦除示意圖；圖5為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元未經(jīng)過編譯和擦除直接進(jìn)行htol測(cè)試的輸出電流iref分布圖；
MIL-STD-883K-2016：穩(wěn)態(tài)反向偏置S級(jí)**少時(shí)間有240h到120h共6個(gè)級(jí)別；B級(jí)**少時(shí)間352h到12h共10個(gè)級(jí)別；K級(jí)**少時(shí)間從700h到320h共6個(gè)級(jí)別。S級(jí)最低溫度從125℃到150℃共6個(gè)級(jí)別；B級(jí)別最低溫度從100℃到250℃；K級(jí)最低溫度從100℃到125℃。電壓大小全部為額定電壓B：穩(wěn)態(tài)正向偏置C：穩(wěn)態(tài)功率反向偏置D：并聯(lián)勵(lì)磁E：環(huán)形振蕩器F：溫度加速試驗(yàn)————————————————版權(quán)聲明：本文為CSDN博主「月丶匈」的原創(chuàng)文章，遵循，轉(zhuǎn)載請(qǐng)附上原文出處鏈接及本聲明。原文鏈接：blog./qq_36671997/article/details/。 TH801智能老化系統(tǒng)，方便靈活配置芯片狀態(tài)、施加信號(hào)，提高HTOLdebug及Setup效率。
芯片HTOL測(cè)試項(xiàng)目柔性開發(fā)，芯片HTOL測(cè)試自研設(shè)備。上海頂策科技有限公司自主研發(fā)TH801智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)，擁有多項(xiàng)發(fā)明專利及軟件著作權(quán)，可實(shí)時(shí)發(fā)現(xiàn)問題并介入分析，大幅提高HTOL效率。提供可靠性設(shè)備，HTOL/LTOL、雙85、HAST等幾十項(xiàng)可靠性測(cè)試方案制定，PCB設(shè)計(jì)制作，測(cè)試試驗(yàn)，滿足各類芯片可靠性測(cè)試需求。涵蓋模擬，數(shù)字，混合信號(hào)，SOC，RF等各類芯片的可靠性方案設(shè)計(jì)，原理圖設(shè)計(jì)，PCBlayout加工制作，老化程序開發(fā)調(diào)試，可靠性測(cè)試試驗(yàn)，出具可靠性報(bào)告。上海頂策科技有限公司智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801可以為芯片HTOL測(cè)試節(jié)省更多時(shí)間、FA成本。國(guó)內(nèi)HTOL測(cè)試機(jī)市面價(jià)
上海頂策科技有限公司自主研發(fā)智能一體化HTOL測(cè)試機(jī)TH801實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)并記錄環(huán)境溫度。一體化HTOL測(cè)試機(jī)專賣店
一種閃存htol測(cè)試方法，包括：提供待測(cè)閃存，所述閃存包括閃存參考單元和閃存陣列單元；所述閃存參考單元中捕獲有空穴；對(duì)所述閃存參考單元循環(huán)進(jìn)行編譯和擦除，以在所述閃存參考單元中引入電子；對(duì)所述閃存進(jìn)行htol測(cè)試，所述引入電子在所述htol測(cè)試過程中部分丟失，以對(duì)htol測(cè)試過程中所述空穴的丟失形成補(bǔ)償。具體的，待測(cè)閃存在同一閃存芯片(die)中的不同區(qū)域分布有閃存參考單元和閃存陣列單元，閃存陣列單元用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，閃存參考單元用于提供參考閾值電壓以區(qū)分閃存陣列單元的狀態(tài)。提供的待測(cè)閃存在其生產(chǎn)工藝過程中易在閃存參考單元中捕獲。引入)空穴，所述空穴在htol測(cè)試過程中存在丟失。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的閃存參考單元的結(jié)構(gòu)示意圖，一體化HTOL測(cè)試機(jī)專賣店
上海頂策科技有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來、有夢(mèng)想有目標(biāo)，有組織有體系的公司，堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明，攜手共畫藍(lán)圖，在上海市等地區(qū)的儀器儀表行業(yè)中積累了大批忠誠(chéng)的客戶粉絲源，也收獲了良好的用戶口碑，為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ)，也希望未來公司能成為行業(yè)的翹楚，努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量，我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息，斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將引領(lǐng)上海頂策科技供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌，共創(chuàng)佳績(jī)，一直以來，公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠(chéng)實(shí)守信的方針，員工精誠(chéng)努力，協(xié)同奮取，以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場(chǎng)，我們一直在路上！