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閃存參考單元的隧穿氧化層103中會捕獲一些主要從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴,在浮柵里面會注入所需要的電子。編譯過程中浮柵104可以捕獲電子,擦除過程中隧穿氧化層103會捕獲空穴;在經(jīng)過多次的編譯以及擦除后,會在浮柵104中有更多的電子,隧穿氧化層103中有更多的空**7中經(jīng)編譯和擦除循環(huán)后電子空穴的凈值(差值)與未經(jīng)編譯和擦除循環(huán)的電子空穴的凈值(差值)相等,從而保證閃存參考單元編譯和擦除循環(huán)后的輸出電流與編譯和擦除循環(huán)前的輸出電流是相等的。擦除過程中隧穿氧化層捕獲的空穴為深能級的空穴,這些深能級的空穴不容易移動,而在浮柵里面捕獲的電子比較活躍,在htol測試過程中高溫下會比較容易丟失,從而補償了閃存參考單元從生產(chǎn)工藝帶來的淺能級的空穴在htol測試過程中的丟失。本地HTOL測試機推薦
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