從傳統(tǒng)熱發(fā)射顯微鏡到熱紅外顯微鏡的演變,是其技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)微觀熱分析需求的深度洞察與持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。它既延續(xù)了通過(guò)紅外熱輻射解析熱行為的原理,又通過(guò)全尺度觀測(cè)、高靈敏度檢測(cè)、場(chǎng)景化分析等創(chuàng)新,突破了傳統(tǒng)技術(shù)的邊界。如今,這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體失效分析、新材料熱特性研究、精密器件研發(fā)等領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)工具,為行業(yè)在微觀熱管控、缺陷排查、性能優(yōu)化等方面提供了更高效的技術(shù)支撐,推動(dòng)微觀熱分析從 “可見(jiàn)” 向 “可知”“可控” 邁進(jìn)。熱紅外顯微鏡通過(guò)分析熱輻射分布,評(píng)估芯片散熱設(shè)計(jì)的合理性 。荔灣區(qū)熱紅外顯微鏡
熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI) 圖像分析是通過(guò)探測(cè)物體自身發(fā)出的紅外輻射,將其轉(zhuǎn)化為可視化圖像,進(jìn)而分析物體表面溫度分布等信息的技術(shù)。其原理是溫度高于零度的物體都會(huì)向外發(fā)射紅外光,熱紅外顯微鏡通過(guò)吸收這些紅外光,利用光電轉(zhuǎn)換將其變?yōu)闇囟葓D像。物體內(nèi)電荷擾動(dòng)會(huì)產(chǎn)生遠(yuǎn)場(chǎng)輻射和近場(chǎng)輻射,近場(chǎng)輻射以倏逝波形式存在,強(qiáng)度隨遠(yuǎn)離物體表面急劇衰退,通過(guò)掃描探針技術(shù)可散射近場(chǎng)倏逝波,從而獲取物體近場(chǎng)信息,實(shí)現(xiàn)超分辨紅外成像。顯微熱紅外顯微鏡設(shè)備制造熱紅外顯微鏡通過(guò) AI 輔助分析,一鍵生成熱譜圖,大幅提升科研與檢測(cè)效率。
非制冷熱紅外顯微鏡基于微測(cè)輻射熱計(jì),無(wú)需低溫制冷裝置,具有功耗低、維護(hù)成本低等特點(diǎn),適合長(zhǎng)時(shí)間動(dòng)態(tài)監(jiān)測(cè)。其通過(guò)鎖相熱成像等技術(shù)優(yōu)化后,雖靈敏度(通常 0.01-0.1℃)和分辨率(普遍 5-20μm)略遜于制冷型,但性?xún)r(jià)比更高,。與制冷型對(duì)比,非制冷型無(wú)需制冷耗材,適合 PCB、PCBA 等常規(guī)電子元件失效分析;而制冷型(如 RTTLIT P20)靈敏度達(dá) 0.1mK、分辨率低至 2μm,價(jià)格高,多用于半導(dǎo)體晶圓等檢測(cè)。非制冷熱紅外顯微鏡在中低端工業(yè)檢測(cè)領(lǐng)域應(yīng)用較多。
熱紅外顯微鏡和紅外顯微鏡并非同一事物,二者是包含與被包含的關(guān)系。紅外顯微鏡是個(gè)廣義概念,涵蓋利用0.75-1000微米紅外光進(jìn)行分析的設(shè)備,依波長(zhǎng)分近、中、遠(yuǎn)紅外等,通過(guò)樣品對(duì)紅外光的吸收、反射等特性分析化學(xué)成分,比如識(shí)別材料中的官能團(tuán),應(yīng)用于材料科學(xué)、生物學(xué)等領(lǐng)域。而熱紅外顯微鏡是其分支,專(zhuān)注7-14微米的熱紅外波段,無(wú)需外部光源,直接探測(cè)樣品自身的熱輻射,依據(jù)黑體輻射定律生成溫度分布圖像,主要用于研究溫度分布與熱特性,像定位電子芯片的熱點(diǎn)、分析復(fù)合材料熱傳導(dǎo)均勻性等。前者側(cè)重成分分析,后者聚焦熱特性研究。定位芯片內(nèi)部微短路、漏電、焊點(diǎn)虛接等導(dǎo)致的熱異常點(diǎn)。
致晟光電自主研發(fā)的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列,是電子工業(yè)中不可或缺的精密檢測(cè)工具,在半導(dǎo)體芯片、先進(jìn)封裝技術(shù)、功率電子器件以及印刷電路板(PCB)等領(lǐng)域的失效分析中發(fā)揮著舉足輕重的作用。
該設(shè)備搭載——實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相紅外熱分析(RTTLIT)系統(tǒng),并集成高靈敏度紅外相機(jī)、多倍率可選顯微鏡鏡頭、精確高低壓源表等技術(shù)組件,賦予其三大特性:超凡靈敏度與亞微米級(jí)檢測(cè)精度,可捕捉微弱熱信號(hào)與光子發(fā)射;高精度溫度測(cè)量能力(鎖相靈敏度達(dá)0.001℃),支持動(dòng)態(tài)功耗分析;無(wú)損故障定位特性,無(wú)需破壞器件即可鎖定短路、開(kāi)路等缺陷。憑借技術(shù)集成優(yōu)勢(shì),ThermaEMMIP系列不僅能快速定位故障點(diǎn),更能通過(guò)失效分析優(yōu)化產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性,為半導(dǎo)體制造、先進(jìn)封裝及電子器件研發(fā)提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。 熱紅外顯微鏡在電子產(chǎn)品研發(fā)階段,輔助優(yōu)化熱管理方案 。高分辨率熱紅外顯微鏡價(jià)格走勢(shì)
熱紅外顯微鏡通過(guò)熱輻射相位差算法,三維定位 3D 封裝中 Z 軸方向的失效層。荔灣區(qū)熱紅外顯微鏡
通過(guò)大量海量熱圖像數(shù)據(jù),催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學(xué)習(xí)算法,構(gòu)建熱圖像識(shí)別模型,可快速準(zhǔn)確地從復(fù)雜熱分布中識(shí)別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中,模型能自動(dòng)比對(duì)正常與異常芯片的熱圖像,定位短路、斷路等故障點(diǎn),有效縮短分析時(shí)間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集成熱傳導(dǎo)數(shù)值模擬功能,結(jié)合實(shí)驗(yàn)測(cè)得的熱數(shù)據(jù),反演材料內(nèi)部熱導(dǎo)率、比熱容等參數(shù),從熱傳導(dǎo)理論層面深入解析熱現(xiàn)象,為材料熱性能研究與器件熱設(shè)計(jì)提供量化指導(dǎo)。荔灣區(qū)熱紅外顯微鏡