熱紅外顯微鏡P10

來源: 發(fā)布時間:2025-07-20

致晟光電自主研發(fā)的熱紅外顯微鏡 Thermal EMMI P系列,是電子工業(yè)中不可或缺的精密檢測工具,在半導體芯片、先進封裝技術、功率電子器件以及印刷電路板(PCB)等領域的失效分析中發(fā)揮著舉足輕重的作用。

該設備搭載——實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析(RTTLIT)系統(tǒng),并集成高靈敏度紅外相機、多倍率可選顯微鏡鏡頭、精確高低壓源表等技術組件,賦予其三大特性:超凡靈敏度與亞微米級檢測精度,可捕捉微弱熱信號與光子發(fā)射;高精度溫度測量能力(鎖相靈敏度達0.001℃),支持動態(tài)功耗分析;無損故障定位特性,無需破壞器件即可鎖定短路、開路等缺陷。憑借技術集成優(yōu)勢,ThermaEMMIP系列不僅能快速定位故障點,更能通過失效分析優(yōu)化產品質量與可靠性,為半導體制造、先進封裝及電子器件研發(fā)提供關鍵技術支撐。 熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率,助力復雜半導體失效分析 。熱紅外顯微鏡P10

熱紅外顯微鏡P10,熱紅外顯微鏡

RTTLIT P10 熱紅外顯微鏡在光學配置上的靈活性,可通過多種可選物鏡得以充分體現,為不同尺度、不同場景的熱分析需求提供精細適配。

Micro 廣角鏡頭擅長捕捉大視野范圍的整體熱分布,適合快速定位樣品宏觀熱異常區(qū)域,如整片晶圓的整體散熱趨勢觀測;0.2X 鏡頭在保持一定視野的同時提升細節(jié)捕捉能力,可用于中等尺寸器件(如傳感器模組)的熱行為分析,平衡效率與精度;0.4X 鏡頭進一步聚焦局部,能清晰呈現芯片封裝級的熱分布特征,助力排查封裝缺陷導致的散熱不均問題;1X 與 3X 鏡頭則聚焦微觀尺度,1X 鏡頭可解析芯片內部功能模塊的熱交互,3X 鏡頭更是能深入到微米級結構(如晶體管陣列、引線鍵合點),捕捉納米級熱點的細微溫度波動。



制造熱紅外顯微鏡熱紅外顯微鏡突破傳統(tǒng)限制,以超分辨率清晰呈現芯片內部熱分布細節(jié) 。

熱紅外顯微鏡P10,熱紅外顯微鏡

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI )技術不僅可實現電子設備的故障精細定位,更在性能評估、熱管理優(yōu)化及可靠性分析等領域展現獨特價值。通過高分辨率熱成像捕捉設備熱點分布圖譜,工程師能深度解析器件熱傳導特性,以此為依據優(yōu)化散熱結構設計,有效提升設備運行穩(wěn)定性與使用壽命。此外,該技術可實時監(jiān)測線路功耗分布與異常發(fā)熱區(qū)域,建立動態(tài)熱特征數據庫,為線路故障的早期預警與預防性維護提供數據支撐,從根本上去降低潛在失效風險。

致晟光電在推動產學研一體化進程中,積極開展校企合作。公司依托南京理工大學光電技術學院,專注開發(fā)基于微弱光電信號分析的產品及應用。雙方聯合攻克技術難題,不斷優(yōu)化實時瞬態(tài)鎖相紅外熱分析系統(tǒng)(RTTLIT),使該系統(tǒng)溫度靈敏度可達0.0001℃,功率檢測限低至1uW,部分功能及參數優(yōu)于進口設備。此外,致晟光電還與其他高校建立合作關系,搭建起學業(yè)-就業(yè)貫通式人才孵化平臺。為學生提供涵蓋研發(fā)設計、生產實踐、項目管理全鏈條的育人平臺,輸送了大量實踐能力強的專業(yè)人才,為企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新注入活力。通過建立科研成果產業(yè)孵化綠色通道,高校的前沿科研成果得以快速轉化為實際生產力,實現了高??蒲匈Y源與企業(yè)市場轉化能力的優(yōu)勢互補。



熱紅外顯微鏡在工業(yè)生產中,用于在線監(jiān)測電子器件的熱質量 。

熱紅外顯微鏡P10,熱紅外顯微鏡

無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析(NDA)技術,為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價值樣品的前提下,捕捉隱性熱信號以定位內部缺陷,既保障了分析的準確性,又為后續(xù)驗證、復盤保留了完整樣本,讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環(huán)更高效、更可靠。

相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測,這些有損分析方法雖能獲取內部結構信息,但會破壞樣品完整性,更適合無需保留樣品的分析場景,與無損分析形成互補。 熱紅外顯微鏡可用于研究電子元件在不同環(huán)境下的熱行為 。半導體失效分析熱紅外顯微鏡原理

在半導體制造中,通過逐點熱掃描篩選熱特性不一致的晶圓,提升良率。熱紅外顯微鏡P10

致晟光電熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)系列中的 RTTLIT P20 實時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng),采用鎖相熱成像(Lock-inThermography)技術,通過調制電信號提升特征分辨率與靈敏度,并結合軟件算法優(yōu)化信噪比,實現顯微成像下超高靈敏度的熱信號測量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測器,測溫靈敏度達0.1mK,顯微分辨率低至2μm,具備良好的檢測靈敏度與測試效能。該系統(tǒng)重點應用于對測溫精度和顯微分辨率要求嚴苛的場景,包括半導體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導體、LED及microLED等的失效分析,是電子集成電路與半導體器件失效分析及缺陷定位領域的關鍵工具。熱紅外顯微鏡P10