檢測用熱紅外顯微鏡成像儀

無損熱紅外顯微鏡的非破壞性分析（NDA）技術(shù)，為失效分析提供了 “保全樣品” 的重要手段。它在不損傷高價值樣品的前提下，捕捉隱性熱信號以定位內(nèi)部缺陷，既保障了分析的準(zhǔn)確性，又為后續(xù)驗證、復(fù)盤保留了完整樣本，讓失效分析從 “找到問題” 到 “解決問題” 的閉環(huán)更高效、更可靠。

相較于無損熱紅外顯微鏡的非侵入式檢測，這些有損分析方法雖能獲取內(nèi)部結(jié)構(gòu)信息，但會破壞樣品完整性，更適合無需保留樣品的分析場景，與無損分析形成互補(bǔ)。 量化 SiC、GaN 等寬禁帶半導(dǎo)體的襯底熱阻、結(jié)溫分布，優(yōu)化散熱設(shè)計。檢測用熱紅外顯微鏡成像儀

熱紅外顯微鏡(Thermal EMMI)的突出優(yōu)勢一：

熱紅外顯微鏡（Thermal emmi ）能夠檢測到極其微弱的熱輻射和光發(fā)射信號，其靈敏度通?？梢赃_(dá)到微瓦甚至納瓦級別。同時，它還具有高分辨率的特點(diǎn)，能夠分辨出微小的熱點(diǎn)區(qū)域，分辨率可以達(dá)到微米甚至納米級別。具備極高的探測靈敏度，能夠捕捉微瓦級甚至納瓦級的熱輻射與光發(fā)射信號，適用于識別早期故障及微小異常。同時，該技術(shù)具有優(yōu)異的空間分辨能力，能夠準(zhǔn)確定位尺寸微小的熱點(diǎn)區(qū)域，其分辨率可達(dá)微米級，部分系統(tǒng)也已經(jīng)可實(shí)現(xiàn)納米級識別。通過結(jié)合熱圖像與光發(fā)射信號分析，熱紅外顯微鏡為工程師提供了精細(xì)、直觀的診斷工具，大幅提升了故障排查與性能評估的效率和準(zhǔn)確性。 科研用熱紅外顯微鏡訂制價格芯片復(fù)雜度提升對缺陷定位技術(shù)的精度與靈敏度提出更高要求。

致晟光電熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI）系列中的 RTTLIT P20 實(shí)時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)，采用鎖相熱成像（Lock-inThermography）技術(shù)，通過調(diào)制電信號提升特征分辨率與靈敏度，并結(jié)合軟件算法優(yōu)化信噪比，實(shí)現(xiàn)顯微成像下超高靈敏度的熱信號測量。RTTLIT P20搭載100Hz高頻深制冷型超高靈敏度顯微熱紅外成像探測器，測溫靈敏度達(dá)0.1mK，顯微分辨率低至2μm，具備良好的檢測靈敏度與測試效能。該系統(tǒng)重點(diǎn)應(yīng)用于對測溫精度和顯微分辨率要求嚴(yán)苛的場景，包括半導(dǎo)體器件、晶圓、集成電路、IGBT、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、LED及microLED等的失效分析，是電子集成電路與半導(dǎo)體器件失效分析及缺陷定位領(lǐng)域的關(guān)鍵工具。

通過大量海量熱圖像數(shù)據(jù)，催生出更智能的數(shù)據(jù)分析手段。借助深度學(xué)習(xí)算法，構(gòu)建熱圖像識別模型，可快速準(zhǔn)確地從復(fù)雜熱分布中識別出特定熱異常模式。如在集成電路失效分析中，模型能自動比對正常與異常芯片的熱圖像，定位短路、斷路等故障點(diǎn)，有效縮短分析時間。在數(shù)據(jù)處理軟件中集成熱傳導(dǎo)數(shù)值模擬功能，結(jié)合實(shí)驗測得的熱數(shù)據(jù)，反演材料內(nèi)部熱導(dǎo)率、比熱容等參數(shù)，從熱傳導(dǎo)理論層面深入解析熱現(xiàn)象，為材料熱性能研究與器件熱設(shè)計提供量化指導(dǎo)。熱紅外顯微鏡支持芯片、電路板等多類電子元件熱檢測。

在選擇 EMMI 微光顯微鏡時，需綜合考量應(yīng)用需求、預(yù)算、技術(shù)參數(shù)及售后服務(wù)等因素。首先明確具體應(yīng)用場景，例如 LED 檢測可能需要特定波長范圍，而集成電路分析則對分辨率要求更高。預(yù)算方面，進(jìn)口設(shè)備系列價格昂貴，但成立年限長、有品牌加持。而選擇國產(chǎn)設(shè)備——如致晟光電自主全國產(chǎn)研發(fā)的RTTLIT 實(shí)時瞬態(tài)鎖相熱分析系統(tǒng)在性價比方面更好，且在靈敏度和各種參數(shù)功能上已接近進(jìn)口水平，尤其在垂直芯片等場景中表現(xiàn)穩(wěn)定，適合預(yù)算有限的常規(guī)檢測。
熱紅外顯微鏡憑借≤0.001℃的溫度分辨率，助力復(fù)雜半導(dǎo)體失效分析 。無損熱紅外顯微鏡品牌

熱紅外顯微技術(shù)可透過硅片或封裝材料，實(shí)現(xiàn)非接觸式熱斑定位。檢測用熱紅外顯微鏡成像儀

熱紅外顯微鏡在半導(dǎo)體IC裸芯片熱檢測中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。對于半導(dǎo)體IC裸芯片而言，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)精密且集成度高，微小的熱異常都可能影響芯片性能甚至導(dǎo)致失效，因此熱檢測至關(guān)重要。熱紅外顯微鏡能夠非接觸式地對裸芯片進(jìn)行熱分布成像與分析，清晰捕捉芯片工作時的溫度變化情況。它可以定位芯片上的熱點(diǎn)區(qū)域，這些熱點(diǎn)往往是由電路設(shè)計缺陷、局部電流過大或器件老化等問題引起的。通過對熱點(diǎn)的檢測和分析，工程師能及時發(fā)現(xiàn)芯片潛在的故障風(fēng)險，為優(yōu)化芯片設(shè)計、改進(jìn)制造工藝提供重要依據(jù)。同時，該顯微鏡還能測量裸芯片內(nèi)部關(guān)鍵半導(dǎo)體結(jié)點(diǎn)的溫度，也就是結(jié)溫。結(jié)溫是評估芯片性能和可靠性的重要參數(shù)，過高的結(jié)溫會縮短芯片壽命，影響其穩(wěn)定性。熱紅外顯微鏡憑借高空間分辨率的熱成像能力，可實(shí)現(xiàn)對結(jié)溫的測量，幫助研發(fā)人員更好地掌握芯片的熱特性，從而制定合理的散熱方案，提升芯片的整體性能與可靠性。檢測用熱紅外顯微鏡成像儀