低電阻納米銀膏

納米銀膏燒結(jié)原理 納米銀燒結(jié)是一種基于銀離子的擴散融合過程， 其驅(qū)動力是總表面能的降低，以及界面能的降低，銀顆粒尺寸越小其表面能越高，燒結(jié)驅(qū)動力越大，還可以通過外部施加的壓力來增強此驅(qū)動力。銀燒結(jié)主要有3個階段：初始階段以表面原子擴散為特征，燒結(jié)頸是在顆粒之間相互以點或者面接觸形成的，此階段對致密化的貢獻在2%左右；中間階段以致密化為特征，發(fā)生在形成單獨孔隙之前，此階段致密化達到90%左右；階段是形成單獨孔隙后的燒結(jié)，此階段小孔隙逐漸消失，大孔隙逐漸變小，形成組織致密的燒結(jié)銀。納米銀膏因其低溫燒結(jié)，高導熱導電特性，可應(yīng)用在半導體激光器封裝。低電阻納米銀膏

納米銀膏，一種在功率半導體行業(yè)具有比較廣應(yīng)用前景的新材料產(chǎn)品。它以其低溫燒結(jié)，高溫服役，高導熱導電和高可靠性的性能，很好的解決了功率器件散熱及可靠性等問題。 納米銀膏的主要特點是其納米級別的銀顆粒，這些顆粒通過特殊的制備工藝在膏體中均勻分布，形成了一種高度穩(wěn)定的復(fù)合材料。這種材料具有良好的導電性和導熱性，能夠有效地提高器件的性能和穩(wěn)定性。同時，納米銀膏還具有良好的抗氧化性和耐腐蝕性，能夠在各種惡劣環(huán)境下保持穩(wěn)定的工作狀態(tài)。 總的來說，隨著微波射頻器件、5G通信網(wǎng)絡(luò)基站、新能源汽車為的功率器件的發(fā)展，半導體器件不斷向小型化、智能化、高集成、高可靠方向發(fā)展，半導體器件功率越來越大，散熱要求越來越高，納米銀膏將在功率半導體行業(yè)中發(fā)揮更大的作用。天津高導熱納米銀膏價格納米銀膏是一款低電阻封裝焊料。

納米銀膏——創(chuàng)新科技帶領(lǐng)行業(yè)革新 隨著電子科學技術(shù)的迅速發(fā)展，電子元器件向高功率、小型化發(fā)展. 在封裝領(lǐng)域，隨著功率半導體的興起，尤其是第三代半導體材料如 SiC和 GaN出現(xiàn)，功率器件具有高擊穿電壓、高飽和載流子遷移率、高熱穩(wěn)定性、高熱導率和高溫服役場合等特點；因此對封裝材料提出了低溫連接、高溫服役、優(yōu)良的熱疲勞抗性、高導電導熱性的要求； 納米銀膏采用納米級銀顆粒或納米級與微米級銀顆?；旌闲问?，同時添加有機成分組成。其內(nèi)部的銀顆粒粒徑較小使得燒結(jié)過程不經(jīng)過液相線，燒結(jié)溫度<250℃遠低于金屬銀的熔點（Tm=961℃ ） ，可以實現(xiàn)其低溫連接、高溫服役，因此得到了國內(nèi)外比較廣關(guān)注； 南京芯興電子科技有限公司專注于半導體先進封裝材料研發(fā)生產(chǎn)，并成功推出納米銀膏產(chǎn)品，具有低溫燒結(jié)（200℃-250℃），高溫服役（>500℃）,高導熱率（>220W）；高粘接強度（>70MPa）,SiC、GaN 三代半導體功率器件，大功率激光器、MOSFET及IGBT 器件，電網(wǎng)的逆變轉(zhuǎn)換器，新能源汽車電源模塊，半導體集成電路，光電器件以及其它需要高導熱、高導電的領(lǐng)域

納米銀膏：技術(shù)產(chǎn)品，遙遙 在激烈競爭的市場環(huán)境中，納米銀膏產(chǎn)品層出不窮，各種品牌和型號的納米銀膏都在爭奪市場份額。然而，我們的納米銀膏在市場中具有的差異化優(yōu)勢。作為納米銀膏的行家，我將從市場的角度為您展示與眾不同的優(yōu)勢。 1、我們的納米銀膏采用了自研制備技術(shù)進行生產(chǎn)，確保了產(chǎn)品無裂紋和低空洞，保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性和批量生產(chǎn)的一致性； 2、我們深知企業(yè)對成本效益的關(guān)注，因此我們致力于通過成熟的制備工藝，自動化的設(shè)備來提高生產(chǎn)效率，降低成本，讓客戶可以享受到高性價比的產(chǎn)品； 3、得益于成熟的制備工藝和設(shè)備，我司產(chǎn)品具有更低的燒結(jié)溫度（<200度），更高粘接強度（>80MPa）。 我們的納米銀膏在市場上具有的優(yōu)勢，作為市場的者，我們持續(xù)研發(fā)，不斷迭代，努力解決國內(nèi)關(guān)鍵電子材料的“卡脖子”問題，突破國外技術(shù)封鎖，實現(xiàn)國產(chǎn)替代。納米銀膏焊接原理是銀離子擴散融合和界面形成冶金鏈接，因此需要焊接面鍍金/鍍銀/鍍銅。

納米銀膏作為一種先進的封裝材料，在功率器件封裝領(lǐng)域中正受到越來越多的關(guān)注。作為納米銀膏的行家，我們深知產(chǎn)品的性能優(yōu)勢，以下是納米銀膏在導熱率、電阻率、剪切強度和熱膨脹系數(shù)等方面的數(shù)據(jù)表現(xiàn)，以證明其的性能優(yōu)勢。 1、導熱率：納米銀膏具有較高的導熱率>200W，通過數(shù)據(jù)對比，我們發(fā)現(xiàn)納米銀膏的導熱率比傳統(tǒng)軟釬焊料高出約5倍，這意味著熱量能夠更快地降熱量傳導到基板，從而有效地降低有源區(qū)溫度，提高器件的穩(wěn)定性和使用壽命。 2、電阻率：納米銀膏具有較低的電阻率<5x10-6Ω?cm，這意味著電流能夠更順暢地流過。與傳統(tǒng)的錫基焊料相比，納米銀膏能夠降低電阻。 3、剪切強度：納米銀膏燒結(jié)后高粘接強度，通過測試發(fā)現(xiàn)，無壓銀膏>30MPa，有壓銀膏>80MPa（尺寸：2x2mm） 4、熱膨脹系數(shù)：納米銀膏的熱膨脹系數(shù)和常用的半導體材料（陶瓷覆銅板，鎢銅/銅熱沉，AMB板等）更加接近，從而改善因溫度變化而產(chǎn)生的形變和破裂等問題。 總之，納米銀膏在導熱率、電阻率、剪切強度和熱膨脹系數(shù)等方面的數(shù)據(jù)表現(xiàn)都證明了其的性能優(yōu)勢，我們將持續(xù)研發(fā)，不斷提升產(chǎn)品性能，為半導體封裝材料行業(yè)發(fā)展貢獻一份力量。納米銀膏材料可以提高功率器件的穩(wěn)定性和可靠性，滿足電動汽車對電力電子器件的嚴苛要求。貴州高質(zhì)量納米銀膏價格

納米銀膏高導熱性能，這有利于解決激光器由于熱量產(chǎn)生而引發(fā)的波長紅移、功率降低、閾值電流增大等問題。低電阻納米銀膏

納米銀膏和金錫焊料是兩種不同的電子封裝材料，它們在價格、工藝、可靠性等方面存在一些差異。首先，價格方面，納米銀膏的價格比金錫焊料低；此外，銀的導電導熱性能也優(yōu)于金，因此在功率半導體器件封裝上，特別是金屬陶瓷封裝領(lǐng)域，納米銀膏因其比金錫焊料更高的熱導率，更低的電阻率而更加適合。其次，工藝方面，納米銀膏的焊接工藝相對簡單；金錫焊料的焊接工藝需要掌握一定的技巧和經(jīng)驗，而納米銀膏的焊接工藝相對容易掌握。此外，納米銀膏的潤濕性和流動性也優(yōu)于金錫焊料，因此可以更好地填充焊縫，提高焊接質(zhì)量。，可靠性方面，納米銀膏也表現(xiàn)出一定的優(yōu)勢。由于銀的導電性能和耐腐蝕性能都優(yōu)于金，因此納米銀膏在長期使用過程中可以保持更好的電氣性能和耐腐蝕性能。 總之，納米銀膏在成本、工藝、可靠性及導熱率和電阻率等方面都具有一定的優(yōu)勢，因此在大功率器件封裝，特別是金屬陶瓷封裝應(yīng)用中有望逐步替代金錫焊料。低電阻納米銀膏