納米銀膏在TPAK模塊中的應(yīng)用主要是作為導(dǎo)熱導(dǎo)電材料，用于芯片和基板以及Tpak模塊和散熱模塊的焊接。由于其優(yōu)異的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和高可靠性，納米銀膏可以提高器件/模塊的可靠性和穩(wěn)定性。 與傳統(tǒng)的焊錫相比，納米銀膏具有更低的電阻率和更高的附著力，能夠有效降低接觸電阻和熱阻，提高電流傳輸效率。此外，納米銀膏還具有高導(dǎo)熱性和穩(wěn)定性，可以快速的散熱從而提高器件/模塊的穩(wěn)定性和可靠性。 總之，納米銀膏在TPAK模塊中的應(yīng)用可以大幅度提高器件的性能和使用壽命，為新能源汽車(chē)電驅(qū)的發(fā)展提供了有力的支持。納米銀膏高導(dǎo)熱性能，這有利于解決激光器由于熱量產(chǎn)生而引發(fā)的波長(zhǎng)紅移、功率降低、閾值電流增大等問(wèn)題。山東無(wú)壓納米銀膏源頭工廠
納米銀膏在SIC/GaN功率器件上應(yīng)用背景 功率器件發(fā)展迅速并被比較廣運(yùn)用，其設(shè)計(jì)與制造朝著高頻開(kāi)關(guān)速率、高功率密度、高結(jié)溫等方向發(fā)展，尤其是第三代半導(dǎo)體SiC/GaN材料的出現(xiàn)，相對(duì)于傳統(tǒng)的Si基材料，第三代半導(dǎo)體有著高結(jié)溫 、低導(dǎo)通電阻、高臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高開(kāi)關(guān)頻率等性能優(yōu)勢(shì)。在常規(guī)封裝的功率開(kāi)關(guān)器件中，芯片底部的互連一般采用釬焊工藝，考慮到無(wú)鉛化的要求，所選擇的焊料熔點(diǎn)都低于250 ℃，如常用的 SnAgCu 系和 SnSb 系焊料等，因此不能充分發(fā)揮SiC/GaN芯片的高耐溫性能。此外，焊料在界面處極易產(chǎn)生脆硬的金屬間化合物，給產(chǎn)品的可靠性帶來(lái)了新的挑戰(zhàn)。目前，納米銀燒結(jié)技術(shù)是一種有效解決方案，銀因其熔點(diǎn)高達(dá)961 ℃，將其作為連接材料能極大提高器件封裝結(jié)構(gòu)的溫度耐受性，且納米銀的燒結(jié)溫度卻低于250℃，使用遠(yuǎn)低于熔點(diǎn)的燒結(jié)溫度就能得到較為致密的組織結(jié)構(gòu)，燒結(jié)后的銀層耐熱溫度高，連接強(qiáng)度高，導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能良好河北納米銀膏生產(chǎn)廠家納米銀膏材料已經(jīng)成為寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊必不可少的封裝焊料之一。
納米銀膏：帶領(lǐng)未來(lái)材料趨勢(shì)，開(kāi)啟創(chuàng)新應(yīng)用新時(shí)代 納米銀膏是由納米銀顆粒和有機(jī)溶劑制備而成的膏狀材料。它具有優(yōu)異的導(dǎo)電、導(dǎo)熱、等性能，被比較廣應(yīng)用于功率半導(dǎo)體、、新能源等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展，納米銀膏的應(yīng)用前景將更加廣闊。 在半導(dǎo)體領(lǐng)域，納米銀膏因其優(yōu)異的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能而備受關(guān)注；它可以替代傳統(tǒng)的軟釬焊料，提高器件的散熱性能和使用壽命，是功率半導(dǎo)體封裝用的理想材料。 此外，納米銀膏在、新能源等領(lǐng)域也有著不可替代的作用。納米銀膏因高粘接強(qiáng)度，高導(dǎo)熱率，高可靠性且相對(duì)于金錫焊料更低的成本，比較廣應(yīng)用于陶瓷管殼封裝；在新能源汽車(chē)，納米銀膏比較廣應(yīng)用于電驅(qū)電控中碳化硅模塊（Typk形式等）和水冷散熱基板的焊接，大幅提高散熱性能，從而提高產(chǎn)品性能。 作為納米銀膏領(lǐng)域的行家，我們緊跟市場(chǎng)趨勢(shì)，為客戶提供定制化的解決方案。我們不斷優(yōu)化產(chǎn)品配方與制備工藝，以提高產(chǎn)品的性能與可靠性。 展望未來(lái)，隨著第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵的興起，納米銀膏將會(huì)應(yīng)用更加比較廣。作為行業(yè)，我們將繼續(xù)加大研發(fā)投入，為客戶提供更品質(zhì)高、更具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品與服務(wù)。
納米銀膏：高性能材料，物有所值 納米銀膏作為一種先進(jìn)的材料，具有高導(dǎo)電、導(dǎo)熱等特性，在第三代半導(dǎo)體、、新能源等領(lǐng)域得到比較廣應(yīng)用。作為納米銀膏材料的行家，我們深知這種材料的價(jià)值，并致力于為客戶提供品質(zhì)高的產(chǎn)品和品質(zhì)高的服務(wù)。 在定價(jià)策略上，我們始終堅(jiān)持以客戶為中心，以產(chǎn)品的質(zhì)量和價(jià)值為導(dǎo)向。我們的定價(jià)策略充分考慮了產(chǎn)品的研發(fā)成本、生產(chǎn)成本、品質(zhì)保證以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力等因素。同時(shí)，我們也深知客戶的實(shí)際需求和預(yù)算限制，因此我們會(huì)提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格，確?？蛻裟軌颢@得物有所值的產(chǎn)品。 我們深知納米銀膏在各行各業(yè)的應(yīng)用價(jià)值，因此我們注重產(chǎn)品的研發(fā)和品質(zhì)保證。我們的專業(yè)團(tuán)隊(duì)不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新和工藝改進(jìn)，以提高產(chǎn)品的性能和可靠性。同時(shí)，我們也注重產(chǎn)品的成本控制，以確保我們能夠提供更具競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。 我們相信，通過(guò)我們的努力和專業(yè)知識(shí)，我們可以為您提供品質(zhì)高、高性能的納米銀膏材料，同時(shí)提供具有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。在購(gòu)買(mǎi)我們的產(chǎn)品時(shí)，您不僅可以獲得品質(zhì)高的產(chǎn)品，還可以獲得我們的專業(yè)咨詢和服務(wù)支持。我們期待與您合作，共同開(kāi)創(chuàng)美好的未來(lái)！納米銀膏可通過(guò)點(diǎn)膠或印刷的方式涂敷在基板上。
納米銀膏：是一款高導(dǎo)熱導(dǎo)電，高粘接強(qiáng)度，環(huán)境友好型電子封裝材料 隨著航空航天和雷達(dá)的微波射頻器件、通信網(wǎng)絡(luò)基站、大型服務(wù)器以及新能源汽車(chē)電源模塊為的半導(dǎo)體器件功率密度逐步增大，從而引起器件工作時(shí)的熱通量也越來(lái)越大。若高熱量無(wú)法快速排出，會(huì)造成功率半導(dǎo)體器件性能下降、連接可靠性下降的風(fēng)險(xiǎn)。 因此半導(dǎo)體器件連接對(duì)釬料的導(dǎo)熱性能和可靠性提出了更高的要求。為了滿足這一需求，我們推出了全新的納米銀膏。 納米銀膏的主要成分是納米級(jí)的銀顆粒，這些顆粒經(jīng)過(guò)特殊工藝處理后，具有極高的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性。這使得納米銀膏在SiC、GaN 三代半導(dǎo)體功率器件，大功率激光器、MOSFET 及 IGBT 器件，電網(wǎng)的逆變轉(zhuǎn)換器，新能源汽車(chē)電源模塊，半導(dǎo)體集成電路，光電 器件以及其它需要高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的領(lǐng)域具有比較廣的應(yīng)用前景金屬陶瓷封裝領(lǐng)域，納米銀膏因其粘接強(qiáng)度達(dá)標(biāo)的同時(shí)比金錫焊料更高的熱導(dǎo)率，更低的電阻率而更加適合。上海功率器件封裝用納米銀膏哪家好
納米銀膏焊接原理是銀離子擴(kuò)散融合和界面形成冶金鏈接，因此需要焊接面鍍金/鍍銀/鍍銅。山東無(wú)壓納米銀膏源頭工廠
納米銀膏——?jiǎng)?chuàng)新科技帶領(lǐng)行業(yè)革新 隨著電子科學(xué)技術(shù)的迅速發(fā)展，電子元器件向高功率、小型化發(fā)展. 在封裝領(lǐng)域，隨著功率半導(dǎo)體的興起，尤其是第三代半導(dǎo)體材料如 SiC和 GaN出現(xiàn)，功率器件具有高擊穿電壓、高飽和載流子遷移率、高熱穩(wěn)定性、高熱導(dǎo)率和高溫服役場(chǎng)合等特點(diǎn)；因此對(duì)封裝材料提出了低溫連接、高溫服役、優(yōu)良的熱疲勞抗性、高導(dǎo)電導(dǎo)熱性的要求； 納米銀膏采用納米級(jí)銀顆?；蚣{米級(jí)與微米級(jí)銀顆粒混合形式，同時(shí)添加有機(jī)成分組成。其內(nèi)部的銀顆粒粒徑較小使得燒結(jié)過(guò)程不經(jīng)過(guò)液相線，燒結(jié)溫度<250℃遠(yuǎn)低于金屬銀的熔點(diǎn)（Tm=961℃ ） ，可以實(shí)現(xiàn)其低溫連接、高溫服役，因此得到了國(guó)內(nèi)外比較廣關(guān)注； 南京芯興電子科技有限公司專注于半導(dǎo)體先進(jìn)封裝材料研發(fā)生產(chǎn)，并成功推出納米銀膏產(chǎn)品，具有低溫?zé)Y(jié)（200℃-250℃），高溫服役（>500℃）,高導(dǎo)熱率（>220W）；高粘接強(qiáng)度（>70MPa）,SiC、GaN 三代半導(dǎo)體功率器件，大功率激光器、MOSFET及IGBT 器件，電網(wǎng)的逆變轉(zhuǎn)換器，新能源汽車(chē)電源模塊，半導(dǎo)體集成電路，光電器件以及其它需要高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電的領(lǐng)域山東無(wú)壓納米銀膏源頭工廠