為確保足夠的導(dǎo)熱性，可以在陰極冷卻壁與靶材之間加墊一層石墨紙。請注意一定要仔細(xì)檢查和明確所使用濺射頭冷卻壁的平整度，同時確保O型密封圈始終在位置上。由于所使用冷卻水的潔凈程度和設(shè)備運行過程中可能會產(chǎn)生的污垢會沉積在陰極冷卻水槽內(nèi)，所以在安裝靶材時需要對陰極冷卻水槽進(jìn)行檢查和清理，確保冷卻水循環(huán)的順暢和進(jìn)出水口不會被堵塞。有些陰極設(shè)計是與陽極的空隙較小，所以在安裝靶材時需要確保陰極與陽極之間沒有接觸也不能存在導(dǎo)體，否則會產(chǎn)生短路。請參考設(shè)備商操作手冊中關(guān)于如何正確安裝靶材的相關(guān)信息。在收緊靶材夾具時，請先用手轉(zhuǎn)緊一顆鏍栓，再用手轉(zhuǎn)緊對角線上的另外一顆鏍栓，如此重復(fù)直到安裝上所有鏍栓后，再用工具收緊。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反應(yīng)必須在一個固體表面進(jìn)行。硼靶材功能
氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 在磁控濺射或反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，工作氣體或反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對磁控靶濺射電壓能夠造成一定的影響。 1.工作氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 一般的規(guī)律是：在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時，隨著工作氣體(如氬氣)壓強(qiáng)(0.1~10Pa)的逐步增加，氣體放電等離子體的密度也會同步增加，致使等離子體等效阻抗減小，磁控靶的濺射電流會逐步上升，濺射工作電壓亦會同步下降。 2. 反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對靶濺射電壓的影響 在反應(yīng)磁控濺射鍍膜的工藝過程中，在真空設(shè)備環(huán)境條件確定和靶電源的控制面板設(shè)置參數(shù)不變時，隨著反應(yīng)氣體(如氮氣、氧氣)壓強(qiáng)(或流量)的逐步增加(一般應(yīng)注意不要超過工藝設(shè)定值的上限值)，隨著磁控靶面和基片(工件)表面逐步被絕緣膜層覆蓋，陰-陽極間放電的等效阻抗也會同步增高，磁控靶的濺射電流會逐步下降(直至“陰極中毒”和“陽極消失”為止)，濺射工作電壓亦會同步上升。常州WTi靶材型號采用閉環(huán)控制反應(yīng)氣體的通入量。
非晶硅薄膜的制備方法 非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長多晶硅薄膜的方法有：化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(APCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)以及液相生長、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態(tài)非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。它的特點是非晶固體發(fā)生晶化的溫度低于其熔融后結(jié)晶的溫度。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射方法在不同的條件下制備了a- Si: H 和a- Si 薄膜，并采取高溫退火和激光誘導(dǎo)晶化的方式，利用X- 射線衍射及拉曼光譜，對制備的非晶硅薄膜晶化過程進(jìn)行了系統(tǒng)地研究。
利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時間、氬氣氣壓等因素對非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實驗結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會隨濺射功率、濺射時間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。 對制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實驗結(jié)果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化;退火溫度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。 此外，通過拉曼激光誘導(dǎo)晶化，結(jié)果表明：拉曼激光誘導(dǎo)非晶硅晶化為局域晶化，具有晶化速度快的特點;晶化過程中，需要控制激光強(qiáng)度，過強(qiáng)的激光會把非晶硅薄膜燒蝕掉。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。
熔融鑄造法：
熔融鑄造法是制作濺射靶材的基本方法之一。為保證鑄錠中雜質(zhì)元素含量盡可能低，通常其冶煉和澆注在真空或保護(hù)性氣氛下進(jìn)行。但鑄造過程中，材料組織內(nèi)部難免存在一定的孔隙率，這些孔隙會導(dǎo)致濺射過程中的微粒飛濺，從而影響濺射薄膜的質(zhì)量。為此，需要后續(xù)熱加工和熱處理工藝降低其孔隙率。八．購買靶材的注意事項有哪些許多用戶在采購靶材時沒有從專業(yè)的角度去考慮，下面為大家指出購買靶材時需要注意的事項。
對于所有的金屬來說，純度是靶材的主要性能指標(biāo)之一，靶材的純度對后期產(chǎn)品薄膜的性能影響很大。但是每一個產(chǎn)品對靶材的純度要求也有不相同的地方。 濺射靶材的制備按工藝可分為熔融鑄造和粉末冶金兩大類。無錫NiCrCu靶材圖片
所以如果是表面容易變質(zhì)的靶材，如果不拋光去除表面變質(zhì)部分，沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是表面變質(zhì)的雜質(zhì)。硼靶材功能
作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材的比較大厚度為28-30mm，例如可以是28mm、28.1mm、28.2mm、28.3mm、28.4mm、28.5mm、28.6mm、28.7mm、28.8mm、28.9mm、29mm、29.1mm、29.2mm、29.3mm、29.4mm、29.5mm、29.6mm、29.7mm、29.8mm、29.9mm或30mm等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材組件還包括用于固定靶材的背板。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材呈凹形結(jié)構(gòu)。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述靶材包括用于濺射的濺射面。 地，所述濺射面包括***平面、第二平面和斜面。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面與水平面的夾角≤10°，例如可以是10°、9°、8°、7°、6°、5°、4°、3°、2°或1°等，但不限于所列舉的數(shù)值，該范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。作為本發(fā)明 的技術(shù)方案，所述斜面位于所述***平面和第二平面之間。 地，所述平面為圓形。 地，所述第二平面為環(huán)形。硼靶材功能
江陰典譽(yù)新材料科技有限公司地處江蘇省江陰市，是一家專業(yè)生產(chǎn)濺射靶材和蒸發(fā)材料的公司，濺射靶材充分借鑒國外的先進(jìn)技術(shù)，并通過與國內(nèi)外**研發(fā)機(jī)構(gòu)合作，整合各行業(yè)資源優(yōu)勢，生產(chǎn)出多系列***濺射靶材產(chǎn)品。 公司目前主要生產(chǎn)金屬，合金，陶瓷三大類靶材產(chǎn)品。經(jīng)過幾年的發(fā)展和技術(shù)積累，已經(jīng)擁有：真空熱壓，冷壓燒結(jié)，真空熔煉，熱等靜壓，等離子噴涂等技術(shù)。另外也可根據(jù)客戶要求研發(fā)新型靶材并提供靶材金屬化、綁定和背板服務(wù)。 江陰典譽(yù)新材料科技有限公司已為以下行業(yè)提供***的靶材：平面顯示、裝飾與工具、太陽能光伏和光熱、電子和半導(dǎo)體、建筑與汽車玻璃大面積鍍膜等工業(yè)領(lǐng)域。同時也為國內(nèi)外各大院校和研究所提供了很多常規(guī)和新型的試驗用靶材。 江陰典譽(yù)目前擁有真空熱壓爐兩臺，冷壓燒結(jié)爐一臺，真空熔煉設(shè)備兩臺，等靜壓設(shè)備一臺，等離子噴涂兩套，綁定平臺兩套，各類機(jī)加工設(shè)備七臺，檢驗設(shè)備若干，確保出廠的每件產(chǎn)品都能達(dá)到甚至超過客戶的預(yù)期。 江陰典譽(yù)秉承：“一切以客戶的需求為導(dǎo)向，客戶的所有需求一次做好。”的發(fā)展理念。