是一種具有三個PN結的功率型半導體器件。常見的晶閘管有塑封式、陶瓷封裝式、金屬殼封裝式和大功率螺栓式等形狀。晶體閘流管可分為:單向晶閘管、雙向晶閘管、可關斷晶閘管等多種。[12]晶體閘流管的文字符號為“VS”,圖形符號如圖示。晶閘管的主要參數(shù)有:額定通態(tài)平均電流、正反向阻斷峰值電壓、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流等。使用時應注意不能超過其極限參數(shù)指標,并留有一定余量,以免造成器件損壞。[13]晶閘管具有三個電極。單向晶閘管的三個電極是:陽極A、陰極K、控制極G。雙向晶閘管的三個電極是:兩個主電極T1、T2以及控制極G。使用中應注意識別。[14]晶閘管具有可控的單向導電性,即不但具有一般...
晶閘管智能模塊的輸出特性 模塊的控制電壓與控制角α的關系因負載性質和電路形式的不同而有所區(qū)別: 單相交流調壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~ 180°,控制電壓對應0.5V~9.5V。 單相整流調壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~180°,控制電壓對應0.5V~9.5V;感性負載時α范圍為0°~90°,控制電壓對應于5V~9.5V。 三相全控整流調壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~120°,控制電壓對應2V~8V;感性負載時α范圍為0°~90°,控制電壓對應于3.5V~8V。 三相半控整流調壓模塊用于阻性負載時,α有效范圍為0°~180°,控...
晶閘管智能模塊電流規(guī)格的選取方法 考慮到晶閘管智能模塊產品一般都是非正弦電流,存在導通角的問題并且負載電流有一定的波動性和不穩(wěn)定因素,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,在選取模塊電流規(guī)格時需要留出一定余量。推薦選擇方法可按照以下公式計算: I>K×I負載×U較大∕U實際 K :安全系數(shù),阻性負載K= 1.5,感性負載K= 2; I負載:負載流過的較大電流; U實際:負載上的較大電壓; U較大:模塊能輸出的較大電壓;(三相整流模塊為輸入電壓的1.35倍,單相整流模塊為輸入電壓的0.9倍,其余規(guī)格均為1.0倍); I:需要選擇模塊的較大電流,模塊標稱的電...
[1]單結管即單結晶體管,又稱為雙基極二極管,是一種具有一個PN結和兩個歐姆電極的負阻半導體器件。常見的有陶瓷封裝和金屬殼封裝的單結晶體管。[2]單結晶體管可分為N型基極單結管和P型基極單結管兩大類。單結晶體管的文字符號為“VT”,圖形符號如圖所示。[3]單結晶體管的主要參數(shù)有:①分壓比η,指單結晶體管發(fā)射極E至基極B1間的電壓(不包括PN結管壓降)在兩基極間電壓中所占的比例。②峰點電壓UP,是指單結晶體管剛開始導通時的發(fā)射極E與基極B1的電壓,其所對應的發(fā)射極電流叫做峰點電流IP。③谷點電壓UV,是指單結晶體管由負阻區(qū)開始進入飽和區(qū)時的發(fā)射極E與基極B1間的電壓,其所對應的發(fā)射極電流...
但是在設定電流限值時必須要根據電動機的初始轉矩來設定,否則設置過小會起動失敗或燒壞電機。此種起動方式起動時間相對較長。圖3限流起動4、突跳起動這種起動方式主要應用在負載相對較重的工作環(huán)境下。在轉矩控制的基礎下,在起動的瞬間采用一個突跳轉矩用來克服負載的靜轉矩,然后轉矩在逐漸上升,直至電動機到達正常工作狀態(tài)。這種起動方式的優(yōu)點是可以縮短起動時間,起動較重的負載,但在起動的時候會對電網產生一定的沖擊,影響同一電網下其他負荷的工作。圖4突跳起動5、軟停車軟停車的實際上就相當于相反軟起動過程,主要作用是消除了系統(tǒng)的反慣性沖擊,對于泵類負載來講就是克服了“水錘”效應。其主要過程是在電動機實行軟停...
這里的電壓差定義為:晶閘管調功器的另外一種接法是三角形連接:晶閘管電阻絲串聯(lián)角接兩種方法的控制方式沒有區(qū)別,不再贅述。電阻星形接法與三角形接法有什么不同假設有三個電阻絲R1,R2,R3,電阻絲的阻值相等,供電電源為220V對稱三相電源,把三個電阻絲分別接成星形和三角形兩種接法,如果供電電源發(fā)出的電流相等,那么,電阻絲的阻值如何選擇?電阻絲星接上圖中,三個阻值相同的阻抗連接成星形結構,它們構成了對稱三相負載,對于A相電路來說,電阻R流過的電流為:而對于采用三角形連接的電阻,如下圖所示:電阻絲角接線電流Ia等于流經電阻R的電流Iab與流經電阻R的Iac的和,當三相對稱電源分別接星形接法的對...
并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3,當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后,門極已失去作用。在晶閘管導通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由于a1...
使設備進入穩(wěn)態(tài)運行。若一次起動不成功,即自動調頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號,此時,它激信號便會一直掃描到比較低頻率,重復起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段,便進行一次再起動,把它激信號再推到比較高頻率,重新掃描一次,直至起動成功,重復起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號,經IC1A轉換成方波信號,輸入到IC6的30角,由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經IC7A隔離放大后,驅動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構成逆變壓控時鐘,輸入到IC6的33腳CLOK2;同時又由IC7B進行頻壓轉換后用于驅動頻率表。W6微調電位器用于...
當C5上的電壓上升到氛管的導通電壓時,雙向晶閘管就會被觸發(fā)導通。另一種是用兩個NPN型三極管反向串聯(lián)(基極開路)代替雙向觸發(fā)二極管,調壓效果還不錯。再有一種是用RC電路取代雙向觸發(fā)二極管,調壓效果要差一些,在對調壓器性能要求不高的情況下可以使用。雙向晶閘管能不能也采用單結晶體管張弛振蕩器組成的觸發(fā)電路呢?雙向晶閘管的特點是不論給它的控制極加上正的或負的觸發(fā)脈沖都能使它導通,所以,單結晶體管張弛振蕩器同樣可以作為雙向晶閘管的觸發(fā)電路。這種觸發(fā)電路調壓效果很好,只是電路比較復雜。由于單結晶體管張弛振蕩器必須由直流電源供電,所以應用橋式整流電路得到全波脈動直流電壓,再經過穩(wěn)壓管VD削波成為梯...
并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產生更大的極電極電流Ic1流經NPN管的發(fā)射結。這樣強烈的正反饋過程迅速進行。從圖3,當a1和a2隨發(fā)射極電流增加而(a1+a2)≈1時,式(1—1)中的分母1-(a1+a2)≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時,流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向導通狀態(tài)。式(1—1)中,在晶閘管導通后,1-(a1+a2)≈0,即使此時門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導通。晶閘管在導通后,門極已失去作用。在晶閘管導通后,如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時,由于a1...
構成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復合管圖2當晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導銅,必須使承受反向電壓的PN結J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復合的晶體管電路,當有足夠的門機電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導通,晶體管飽和導通。設PNP管和NPN管的集電極電流相應為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設流過J2結的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1...
過流保護如果想得到較安全的過流保護,建議用戶優(yōu)先使用內部帶過流保護功能的模塊。另外還可采用外接快速熔斷器、快速過電流繼電器、傳感器的方法。快速熔斷器是**簡單常用的方法,介紹如下:(1)快速熔斷器的選擇:①、熔斷器的額定電壓應大于模塊輸入端電壓;②、熔斷器的額定電流應為模塊標稱輸入電流的,按照計算值選擇相同電流或稍大一點的熔斷器。模塊輸入、輸出電流的換算關系參考本本博客有關文章。用戶也可根據經驗和試驗自行確定熔斷器的額定電流。(2)接線方法:快速熔斷器接在模塊的輸入端,負載接輸出端。2、過壓保護晶閘管承受過電壓的能力較差,當元件承受的反向電壓超過其反向擊穿電壓時,即使時間很短,也會造成元...
晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件,整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關系,選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V,選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊,其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇,必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的比較大輸出電壓值,如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開機時溫度很低,額定電流會很大或加熱到比較高溫度時,額定電流會很大或加熱到比較高溫度時,額定電...
晶閘管智能調壓模塊的使用方法 1、各功能端相對com端必須為正,若com端為負極,極性相反,則晶閘管智能調壓模塊主回路輸出端可能失控。 2、晶閘管智能調壓模塊各功能端的控制特性均為正極性,即控制電壓越高,模塊強電主回路輸出電壓越高。 3、晶閘管智能調壓模塊在某一時刻宜使用一種輸入控制方式,若2種以上方式同時輸入使用,則輸入信號較強的一種起主要作用。 4、晶閘管智能調壓模塊電源為上進下出,三相交流電路的進線R、S、T無相序要求,導線粗細按實際使用電流選擇。 5、晶閘管智能調壓模塊N線*為模塊內部開關電源用,用1平方細導線即可,N線與各輸入控制端之間為全隔離絕緣設...
現(xiàn)在想要設計一個硬件電路,用單片機控制晶閘管來控制白熾燈燈光的亮度(220V的)。想問一下,晶閘管怎么連接在電路中?怎么和零線火線連接?單片機怎么和晶閘管連接?晶閘管上有還有...現(xiàn)在想要設計一個硬件電路,用單片機控制晶閘管來控制白熾燈燈光的亮度(220V的)。晶閘管怎么連接在電路中?怎么和零線火線連接?單片機怎么和晶閘管連接?晶閘管上有還有4個接頭,,現(xiàn)代科技理論與生產實踐相結合的基礎上,依托科研單位的多年技術積累、深厚的技術底蘊,是專業(yè)從事智能電網、無功補償、電能質量產品研發(fā)、生產、銷售和服務為一體的高科技企業(yè);是智能電網、無功補償、電能質量整體解決方案前列供應商;目前所提供的產品...
晶閘管模塊的應用方法 1、模塊的控制功能端口定義 +12V: 外接 +12V直流電源正極。 GND: 直流電源地線。 GND1: 控制信號地線,與GND 相通。 CON10V: 0~10V 控制信號輸入。 TESTE: 檢測電源,可外接 4.7K~20K電位器,取出0~10V 信號。 CON20mA:4~20mA控制信號輸入。 2、模塊的控制端口與控制線 模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式,分別對應于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產品只用**腳端口,其余為空腳,采用電流信號的9腳為信號輸入,控制線的屏...
滿足晶閘管模塊工作的必要條件 晶閘管模塊使用中一定要具有以下條件: (1)+12V直流電源:模塊內部控制電路的工作電源。 ①輸出電壓要求:+12V電源:12±0.5V ,紋波電壓小于20mv 。 ②輸出電流要求:標稱電流小于500安培產品:I+12V>0.5A,標稱電流大于500安培產品:I+12V> 1A。 (2)控制信號: 0~10V或4~20mA控制信號,用于對輸出電壓大小進行調整的控制信號,正極接CON10V或CON20mA,負極接GND1。 (3)供電電源和負載:供電電源一般為電網電源,電壓460V以下的或者供電變壓器,接模塊的輸入端子;負載為...
由于晶閘管在導通期間,載流子充滿元件內部,所以元件在關斷過程中,正向電壓下降到零時,內部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產生的感應電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢與電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復阻斷的元件上,可能導致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關斷引起的過電壓,稱為關斷過電壓,其數(shù)值可達工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容與電感產生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上...
額定電壓V1mA的下限是線路工作電壓峰值,考慮到電網電壓的波動以及多次承受沖擊電流以后V1mA值可能下降,因此,額定電壓的取值應適當提高。目前通常采用30[%]的余量計算。V1mA≥√2?U式中U――壓敏電阻兩端正常工作電壓的有效值。壓敏電阻的數(shù)量:三相整流模塊和三相交流模塊均為三只、單相整流模塊和單相交流模塊均為一只。全部接在交流輸入端。3、過熱保護晶閘管在電流通過時,會產生一定的壓降,而壓降的存在則會產生一定的功耗,電流越大則功耗越大,產生的熱量也就越大。如果不把這些熱量快速散掉,會造成燒壞晶閘管芯片的問題。因此要求使用晶閘管模塊時,一定要安裝散熱器。散熱條件的好壞,是影響模塊能否...
晶閘管智能模塊的選擇 晶閘管智能模塊是電加熱爐控制裝置中**關鍵的功率器件,整機裝置是否工作可靠與正確選擇智能可控硅調壓模塊的額定電壓、額定電流等參數(shù)有很大關系,選型的原則是考慮工作可靠性,即電流、電壓必須留有足夠余量。一般加熱爐額定電壓為380V,選擇工作電壓為460V的晶閘管智能模塊,其他電壓的晶閘管智能模塊需要訂做。對晶閘管智能模塊電流的選擇,必須考慮加熱爐爐絲(或加熱件)的額定工作電流及智能可控硅調壓模塊的比較大輸出電壓值,如果加熱絲為NTC或PTC特性的(即加熱絲額定電流隨溫度變化,開機時溫度很低,額定電流會很大或加熱到比較高溫度時,額定電流會很大或加熱到比較高溫度時,額定電...
1)安裝1)按電路元件明細表配齊元件,并對元件進行檢測。2)在面包板上根據電路圖合理安排元件的位置。3)安裝元件,確認無誤后調試。(2)調試安裝完畢的電路經檢查確認無誤后,接通電源進行調試。先調控制電路,然后再調試主電路。控制電路的調試步驟是:在控制電路接上電源后,先用示波器觀察穩(wěn)壓管兩端的電壓波形,應為梯形波;再觀察電容器兩端的電壓波形,應為鋸齒波;調節(jié)電位器RP,鋸齒波的頻率有均勻的變化。表12—2所示為觸發(fā)電路各點的波形圖。主電路的調試步驟是:用調壓器給主電路加一個低電壓(40~50V),用示波器觀察晶閘管陽、陰極之間的電壓波形。波形上有一部分是一條平線,它是晶閘管的導通部分;調...
2)要準確測量GTO的關斷增益βoff,必須有**測試設備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進行估測。由于測試條件不同,測量結果*供參考,或作為相對比較的依據。逆導晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向導通晶閘管。其特點是在晶閘管的陽極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽極與陰極的發(fā)射結均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結構,使之具有耐高壓、耐高溫、關斷時間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如,逆導晶閘管的關斷時間*幾微秒,工作頻率達幾十千赫,優(yōu)于快速晶閘管(FSCR)。該器件適用于開關電源、UPS不間斷電源中,一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,不僅使用...
晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅;1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上晶閘管產品,并于1958年使其商業(yè)化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個極:陽極,陰極和門極;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管等。它是一種大功率開關型半導體器件,在電路中用文字符號為“V”、“VT”表示(舊標準中用字母“SCR”表示)。晶閘管具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作,且其工作過程可以控制、被應用于可控整流、交流調壓、無觸點電子開關、逆變及變頻等電子電路中。...
:觸發(fā)脈峰值電壓:≥22V觸發(fā)脈峰值電流:≥3A觸發(fā)脈沖前沿陡度:≥2A/μS(逆變的觸發(fā)脈沖變壓器是外接的)比較大外型尺寸:238×175×40mm。:控制板在檢測到故障信號時,輸出一組接點信號,該接點容量為AC:5A/220V:DC:10A/28V。6、電路原理整個控制電路除逆變末級觸發(fā)單元外,做成一塊印刷電路板結構。功能上包括電源、整流觸發(fā)、調節(jié)器、逆變、啟動演算等,除調節(jié)器為模擬運算電路外,其余均為數(shù)字電路。組成該控制板的集成電路為IC6,型號為MPU-2,它是一塊**超大規(guī)模數(shù)字集成電路,有3路時鐘輸入口,31路輸入/輸出口,內部功能包括整流移相觸發(fā)、相序自適應、逆變觸發(fā)、逆...
而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測單向晶閘管:萬用表置于“R×10Ω”擋,黑表筆接控制極G,紅表筆接陰極K,測量其正向電阻,應有較小的阻值。對調兩表筆測其反向電阻,應比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻,均應為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結反向串聯(lián),不論正、反向均不應導通,否則晶閘管已壞。[16]檢測雙向晶閘管:萬用表置于“R×1Ω”擋,兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻,均應為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻,均應為無窮大。[17]檢測單向晶閘管導通特性:萬用表置于“R×1Ω”擋,黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,表針指示...