光敏電阻對光線十分敏感,其在無光照時,呈高阻狀態(tài),暗電阻一般可達1.5MΩ。當有光照時,材料中激發(fā)出自由電子和空穴,其電阻值減小,隨著光照強度的升高,電阻值迅速降低,亮電阻值可小至1KΩ以下。光敏電阻器的光照特性在大多數(shù)情況下是非線性的,只有在微小的范圍內(nèi)呈線性,光敏電阻器的電阻值有較大的離散性(電阻變化、范圍大無規(guī)律)。光敏電阻器的靈敏度是指光敏電阻器不受到光照是的電阻值(暗阻)和受到光照時電阻值(亮阻)的相對變化值。光敏電阻的暗阻和亮阻間阻值之比約為1500:1,暗阻值越大越好,使用時給其施加直流或交流偏壓,MG型光敏電阻器適用于可見光。其主要用于各種自動控制電路、光電計數(shù)、光電跟蹤、光控...
“壓敏電阻"是一種具有非線性伏安特性的電阻器件,主要用于在電路承受過壓時進行電壓嵌位,吸收多余的電流以保護敏感器件。[1]英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡寫為“VDR”, 或者叫做“Varistor"。壓敏電阻器的電阻體材料是半導體,所以它是半導體電阻器的一個品種。大量使用的"氧化鋅"(ZnO)壓敏電阻器,它的主體材料有二價元素鋅(Zn)和六價元素氧(O)所構(gòu)成。所以從材料的角度來看,氧化鋅壓敏電阻器是一種“Ⅱ-Ⅵ族氧化物半導體”。 在中國臺灣,壓敏電阻器被稱為"突波吸收器"或“電沖擊(浪涌)抑制器(吸收器)”。根據(jù)使用的目的不同,壓敏電阻可分為保護用壓敏電...