半導體的分類，按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類，一般來說這些還會被分成小類。此外還有以應用領域、設計方法等進行分類，雖然不常用，但還是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其規(guī)模進行分...

電感 電感在電路中常用“L”加數字表示，如：L6表示編號為6的電感。電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很小；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電...

電容器電容器通常簡稱其為電容，用字母C表示。定義1：電容器，顧名思義，是“裝電的容器”，是一種容納電荷的器件。英文名稱：capacitor。電容是電子設備中大量使用的電子元件之一，廣泛應用于隔直，耦合，旁路，濾波，調諧回路， 能量轉換，控制電路等方面。定義2：...

瑞士米拉博證券公司技術、媒體和電信研究主管尼爾·坎普林在電子郵件中告訴消費者新聞與商業(yè)頻道記者：“我認為，這場新的技術冷戰(zhàn)正是中國攀爬技術曲線、積極開發(fā)本土技術的原因。 歐亞集團地緣-技術業(yè)務負責人保羅·特廖洛說：“新政策中列出的優(yōu)惠待遇將在某些領域起到幫...

LCR參數測試儀電感、電容、電阻參數測量儀，不僅能自動判斷元件性質，而且能將符號圖形顯示出來，并顯示出其值。其還能測量Q、D、Z、Lp、Ls、Cp、Cs、Kp、Ks等參數，且顯示出等效電路圖形。 、頻譜分析儀頻譜分析儀在頻域信號分析、測試、研究、維修中有著***...

日本半導體分立器件型號命名方法日本生產的半導體分立器件，由五至七部分組成。通常只用到**個部分，其各部分的符號意義如下： ***部分：用數字表示器件有效電極數目或類型。0-光電（即光敏）二極管三極管及上述器件的組合管、1-二極管、2三極或具有兩個pn...

中國半導體器件型號命名方法半導體器件型號由五部分（場效應器件、半導體特殊器件、復合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。 五個部分意義如下： ***部分：用數字表示半導體器件有效電極數目。2-二極管、3-三極管 第...

一般小功率電源變壓器。允許溫升為40℃～50℃，如果所用絕緣材料質量較好，允許溫升還可提高。H 檢測判別各繞組的同名端。在使用電源變壓器時，有時為了得到所需的次級電壓，可將兩個或多個次級繞組串聯(lián)起來使用。采用串聯(lián)法使用電源變壓器時，參加串聯(lián)的各繞組的同名端必須...

空載電流的檢測。(a) 直接測量法。將次級所有繞組全部開路，把萬用表置于交流電流擋500mA，串入初級繞組。當初級繞組的插頭插入220V交流市電時，萬用表所指示的便是空載電流值。此值不應大于變壓器滿載電流的10%～20%。一般常見電子設備電源變壓器的正常空載電...

電容 1、電容在電路中一般用“C”加數字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號...

無論從科技或是經濟發(fā)展的角度來看，半導體的重要性都是非常巨大的。大部分的電子產品，如計算機、移動電話或是數字錄音機當中的**單元都和半導體有著極為密切的關聯(lián)。常見的半導體材料有硅、鍺、砷化鎵等，硅是各種半導體材料應用中相當有有影響力的一種。 ...

美國半導體分立器件型號命名方法美國晶體管或其他半導體器件的命名法較混亂。美國電子工業(yè)協(xié)會半導體分立器件命名方法如下： ***部分：用符號表示器件用途的類型。JAN-軍級、JANTX-特軍級、JANTXV-超特軍級、JANS-宇航級、（無）-非***品...

把晶體二極管、三極管以及電阻電容都制作在同一塊硅芯片上，稱為集成電路。一塊硅芯片上集成的元件數小于 100個的稱為小規(guī)模集成電路，從 100個元件到1000 個元件的稱為中規(guī)模集成電路，從1000 個元件到100000 個元件的稱為大規(guī)模集...

將萬用表置于R×10k擋，一只手將兩個表筆分別接可變電容器的動片和定片的引出端，另一只手將轉軸緩緩旋動幾個來回，萬用表指針都應在無窮大位置不動。在旋動轉軸的過程中，如果指針有時指向零，說明動片和定片之間存在短路點；如果碰到某一角度，萬用表讀數不為無窮大而是出現(xiàn)...

網絡分析儀：網絡分析儀是一種能在寬頻帶內進行掃描測量以確定網絡參量的綜合性微波測量儀器，全稱為微波網絡分析儀。網絡分析儀是測量網絡參數的一種新型儀器，可直接測量有源或無源、可逆或不可逆的雙口和單口網絡的復數散射參數，并以掃頻方式給出各散射參數的幅度、相位頻率特...

基爾比之后半年，仙童半導體公司的羅伯特·諾伊斯開發(fā)了一種新的集成電路，比基爾比的更實用。諾伊斯的設計由硅制成，而基爾比的芯片由鍺制成。諾伊斯將以下原理歸功于斯普拉格電氣的庫爾特·利霍韋克p–n絕緣結，這也是集成電路背后的關鍵概念。[17]這種絕緣允許每個晶體管...

非晶態(tài)半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長程序。非晶...

測試注意事項：用數字式萬用表去測二極管時，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負極，此時測得的阻值才是二極管的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。4、常用的1N4000系列二極管耐壓比較如下：型號1N4001 1N4002 1N4003 1N4...

同時還配有測距聯(lián)用接口和聯(lián)用功能，以及數據輸出接口，可與紅外測距機聯(lián)用，構成組合式電子速測儀，一次觀測就可獲得所要的距離角度以及歸算結果等測定值。而且測量值可通過數據輸出接口自動地記錄到電子手薄上，既簡化了作業(yè)又減少了讀數誤差和記錄誤差，從而實現(xiàn)...

進入八九十年代以后，隨著微電子技術和計算機技術的日趨完善，以及元器件集成度的**提高，情況發(fā)生了很大的變化。從整機來看，電子經緯儀的體積和重量與光學經緯儀相差不多，用電量減少，成本大幅度下降，價格降低。目前在日本一臺電子經緯儀的價格還略低于...

非晶態(tài)半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬于半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長程序。非晶...

半導體發(fā)光二極管半導體發(fā)光二極管的結構是一個PN結，它正向通電流時，注入的少數載流子靠復合而發(fā)光。它可以發(fā)出綠光、黃光、紅光和紅外線等。所用的材料有 GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。半導...

這種由于電子-空穴對的產生而形成的混合型導電稱為本征導電。導帶中的電子會落入空穴，電子-空穴對消失，稱為復合。復合時釋放出的能量變成電磁輻射（發(fā)光）或晶格的熱振動能量（發(fā)熱）。在一定溫度下，電子-空穴對的產生和復合同時存在并達到動態(tài)平衡，此...

數字集成電路是將元器件和連線集成于同一半導體芯片上而制成的數字邏輯電路或系統(tǒng)。根據數字集成電路中包含的門電路或元器件數量，可將數字集成電路分為小規(guī)模集成(SSI)電路、中規(guī)模集成(MSI)電路、大規(guī)模集成(LSI)電路、超大規(guī)模集成(VLSI)電路和特大規(guī)模集...

1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大...

如果把電源的方向反過來接，則空穴和電子都背離偶極層流動而使偶極層變厚，同時電流被限制在一個很小的飽和值內(稱反向飽和電流)。因此，PN結具有單向導電性。此外，PN結的偶極層還起一個電容的作用，這電容隨著外加電壓的變化而變化。在偶極層內部電場很強。...

2002年OFC展覽會上有十多家自動封裝、自動熔接設備廠商參展，熔接、對準、壓焊等許多認為只能由人工操作的工藝都能由機械手進行。據ElectroniCast預測，到2005年自動化組裝與測試設備的銷量將達17.1億美元，光電子器件產值中的70%~80%將由全自...

總之，隨著外形尺寸縮小，幾乎所有的指標改善了，單位成本和開關功率消耗下降，速度提高。但是，集成納米級別設備的IC也存在問題，主要是泄漏電流。因此，對于**終用戶的速度和功率消耗增加非常明顯，制造商面臨改進芯片結構的尖銳挑戰(zhàn)。這個過程和在未來幾年所期望的進步，在...

應注意，有些型號的全站儀在距離測量時不能設定儀器高和棱鏡高，顯示的高差值是全站儀橫軸中心與棱鏡中心的高差。3）坐標測量（1）設定測站點的三維坐標。（2）設定后視點的坐標或設定后視方向的水平度盤讀數為其方位角。當設定后視點的坐標時，全站儀會自動計算后視方向的方位...

制作方式不同集成電路采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內。而芯片使用單晶硅晶圓（或III-V族，如砷化鎵）用作基層，然后使用光刻、摻雜、CMP等技術制成...