囊胚注射概念囊胚注射（Blastocystinjection）是一種生物技術(shù)方法，用于將特定基因或DNA序列導入到胚胎的囊胚階段。這種技術(shù)通常用于轉(zhuǎn)基因研究和基因編輯領(lǐng)域。囊胚是胚胎發(fā)育的一個早期階段，特點是胚胎形成囊狀結(jié)構(gòu)，并且內(nèi)部有胚冠細胞和內(nèi)細胞群（ICM）。囊胚注射可以通過微注射的方式將外源基因?qū)氲侥遗叩囊徊糠旨毎小Ｄ遗咦⑸湓谵D(zhuǎn)基因研究中的應(yīng)用主要有兩個方面。首先，可以將人工合成的DNA片段或外源基因組導入到囊胚中，使這些基因能夠在發(fā)育過程中表達，并觀察其對胚胎發(fā)育的影響。其次，囊胚注射地可以將一種特定的基因敲除或靶向編輯，以研究該基因的功能和作用機制。囊胚注射需要高超的顯微注射技...

胚胎激光破膜儀的應(yīng)用領(lǐng)域 胚胎激光破膜儀主要用于胚胎活檢（EB）、產(chǎn)前遺傳診斷（PGD）和輔助孵化（AH）等實驗和研究方面。其中，胚胎活檢是指通過對胚胎進行活檢，獲取胚胎內(nèi)部細胞團（ICM）和外部細胞團（TE）等細胞，以進行基因組學、轉(zhuǎn)錄組學、蛋白質(zhì)組學等研究；產(chǎn)前遺傳診斷是指通過對胚胎進行基因檢測，篩查出患有某些遺傳病的胚胎，以便進行選擇性的胚胎移植；輔助孵化是指通過對胚胎進行一系列的輔助技術(shù)，以提高胚胎的存活率和發(fā)育質(zhì)量。 激光破膜儀主要應(yīng)用于IVF領(lǐng)域。Hamilton Thorne激光破膜RED-i其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)...

激光二極管內(nèi)包括兩個部分：***部分是激光發(fā)射部分(可用LD表示)，它的作用是發(fā)射激光，如圖12中電極(2);第二部分是激光接受部分(可用PD表示)，它的作用是接受、監(jiān)測『LD發(fā)出的激光(當然，若不需監(jiān)測LD的輸出，PD部分則可不用)，如圖12中電極(3);這兩個部分共用公共電極(1)，因此，激光二極管有三個電極。激光二極管具有體積小、重量輕、耗電低、驅(qū)動電路簡單、調(diào)制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點，但它對過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感，因此，在使用時，要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其最大允許值，可采用的方法如下：(1)用直流恒流源驅(qū)動激光二極管。(2)在激光_極管電路上串聯(lián)限流電阻器，...

工作原理播報編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱...

***代試管嬰兒（invitrofertilization,IVF體外受精）解決的是因女性因素引致的不孕第二代試管嬰兒（intracytoplasmicsperminjection,ICSI單精子卵細胞漿內(nèi)注射）解決因男性因素引致的不育問題第三代試管嬰兒（pre-implantationgeneticscreening/diagnosis,PGS胚胎植入前篩查）幫助人類選擇生育**健康的后代試管嬰兒技術(shù)給不孕不育夫婦們帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒，并成功擁有了自己的寶寶?？茖W研究發(fā)現(xiàn)，要想成功妊娠，健康胚胎很關(guān)鍵。而通過試管嬰兒方法獲得的胚胎有40-60%存在染色體異常，...

激光二極管內(nèi)包括兩個部分：***部分是激光發(fā)射部分(可用LD表示)，它的作用是發(fā)射激光，如圖12中電極(2);第二部分是激光接受部分(可用PD表示)，它的作用是接受、監(jiān)測『LD發(fā)出的激光(當然，若不需監(jiān)測LD的輸出，PD部分則可不用)，如圖12中電極(3);這兩個部分共用公共電極(1)，因此，激光二極管有三個電極。激光二極管具有體積小、重量輕、耗電低、驅(qū)動電路簡單、調(diào)制方便、耐機械沖擊以及抗震動等優(yōu)點，但它對過電流、過電壓以及靜電干擾極為敏感，因此，在使用時，要特別注意不要使其工作參數(shù)超過其最大允許值，可采用的方法如下：(1)用直流恒流源驅(qū)動激光二極管。(2)在激光_極管電路上串聯(lián)限流電阻器，...

簡介播報編輯體細胞核移植（Somatic Cell nuclear transfer）:又稱體細胞克隆，作為動物細胞工程技術(shù)的常用技術(shù)手段，即把體細胞核移入去核卵母細胞中，使其發(fā)生再程序化并發(fā)育為新的胚胎，這個胚胎**終發(fā)育為動物個體。用核移植方法獲得的動物稱為克隆動物。由于體細胞高度分化，恢復全能性困難，體細胞核移植的原理即是細胞核的全能性。操作過程播報編輯細胞核的采集和卵母細胞的準備從供體身體的某一部位上取體細胞，并通過體細胞培養(yǎng)技術(shù)對該體細胞進行增殖。采集卵母細胞，體外培養(yǎng)到減數(shù)第二次分裂中期，通過顯微操作去除卵母細胞中的核，由于減二中期細胞核的位置靠近***極體，用微型吸管可以一并吸出...

20年前，我國育齡人群中的不孕不育率*為3%，處于全世界較低水平。2009中國不孕不育高峰論壇公布的《中國不孕不育現(xiàn)狀調(diào)研報告》顯示，全國不孕不育患者人數(shù)已超過5000萬，以25歲至30歲人數(shù)**多，呈年輕化趨勢。平均每8對育齡夫婦中就有1對面臨生育方面的困難，不孕不育率攀升到12.5%~15%，接近發(fā)達國家15%~20%的比率。**為嚴峻的是，這一發(fā)生比例還在不斷攀升，衛(wèi)生組織**預估中國的不孕不育率將會在近幾年攀升到20%以上。衛(wèi)生組織**認為，精神和環(huán)境的雙重壓力讓付出沉重的“生命代價”不孕不育已成為嚴重的社會問題。如何有效幫助不孕不育患者解決生育難題，對于社會，醫(yī)院及大夫都提出了更高的...

激光的產(chǎn)生圖1在講激光產(chǎn)生機理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程，一是處于高能態(tài)的粒子自發(fā)向低能態(tài)躍遷，稱之為自發(fā)輻射；二是處于高能態(tài)的粒子在外來光的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態(tài)的粒子吸收外來光的能量向高能態(tài)躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發(fā)輻射，即使是兩個同時從某一高能態(tài)向低能態(tài)躍遷的粒子，它們發(fā)出光的相位、偏振狀態(tài)、發(fā)射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當位于高能態(tài)的粒子在外來光子的激發(fā)下向低能態(tài)躍遷，發(fā)出在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發(fā)生的輻射就是受激輻射，它發(fā)出的激光在頻率、相位、偏振狀態(tài)等方面完全一樣...

應(yīng)用圖4 激光二極管隨著技術(shù)和工藝的發(fā)展，多層結(jié)構(gòu)。常用的激光二極管有兩種：①PIN光電二極管。它在收到光功率產(chǎn)生光電流時，會帶來量子噪聲。②雪崩光電二極管。它能夠提供內(nèi)部放大，比PIN光電二極管的傳輸距離遠，但量子噪聲更大。為了獲得良好的信噪比，光檢測器件后面須連接低噪聲預放大器和主放大器。半導體激光二極管的工作原理，理論上與氣體激光器相同。 激光二極管⑴波長：即激光管工作波長，可作光電開關(guān)用的激光管波長有635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。⑵閾值電流Ith ：即激光管開始產(chǎn)生激光振蕩的電流，對一般小功率激光管而言，其值...

囊胚注射概念囊胚注射（Blastocystinjection）是一種生物技術(shù)方法，用于將特定基因或DNA序列導入到胚胎的囊胚階段。這種技術(shù)通常用于轉(zhuǎn)基因研究和基因編輯領(lǐng)域。囊胚是胚胎發(fā)育的一個早期階段，特點是胚胎形成囊狀結(jié)構(gòu)，并且內(nèi)部有胚冠細胞和內(nèi)細胞群（ICM）。囊胚注射可以通過微注射的方式將外源基因?qū)氲侥遗叩囊徊糠旨毎?。囊胚注射在轉(zhuǎn)基因研究中的應(yīng)用主要有兩個方面。首先，可以將人工合成的DNA片段或外源基因組導入到囊胚中，使這些基因能夠在發(fā)育過程中表達，并觀察其對胚胎發(fā)育的影響。其次，囊胚注射地可以將一種特定的基因敲除或靶向編輯，以研究該基因的功能和作用機制。囊胚注射需要高超的顯微注射技...

檢測方法播報編輯（1）阻值測量法：拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴重老化，不能再使用了。（2）電流測量法：用萬用表測量激光二極管驅(qū)動電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據(jù)歐姆定律估算出流過該管的電流值，當電流超過100mA時，若調(diào)節(jié)激光功率電位器，而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴重老化。若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學諧振腔已損壞。激光破膜儀主要應(yīng)用于IVF領(lǐng)域。北京連續(xù)...

囊胚注射概念囊胚注射（Blastocystinjection）是一種生物技術(shù)方法，用于將特定基因或DNA序列導入到胚胎的囊胚階段。這種技術(shù)通常用于轉(zhuǎn)基因研究和基因編輯領(lǐng)域。囊胚是胚胎發(fā)育的一個早期階段，特點是胚胎形成囊狀結(jié)構(gòu)，并且內(nèi)部有胚冠細胞和內(nèi)細胞群（ICM）。囊胚注射可以通過微注射的方式將外源基因?qū)氲侥遗叩囊徊糠旨毎小Ｄ遗咦⑸湓谵D(zhuǎn)基因研究中的應(yīng)用主要有兩個方面。首先，可以將人工合成的DNA片段或外源基因組導入到囊胚中，使這些基因能夠在發(fā)育過程中表達，并觀察其對胚胎發(fā)育的影響。其次，囊胚注射地可以將一種特定的基因敲除或靶向編輯，以研究該基因的功能和作用機制。囊胚注射需要高超的顯微注射技...

試管嬰兒技術(shù)給不孕夫婦帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術(shù)成功迎來自己的寶寶?？茖W研究表明，健康的胚胎是成功懷孕的關(guān)鍵。然而，通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常，胚胎染色體異常的風險隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是妊娠失敗和自然流產(chǎn)的主要原因。 健康的胚胎是試管嬰兒成功的第一步。因此，植入前遺傳學篩查越來越受到重視，PGD/PGS應(yīng)運而生。那么，染色體異常會導致哪些遺傳病，基因檢測是如何進行的呢？染色體問題有多嚴重？首先需要注意的是，能夠順利出生的健康寶寶，其實只是冰山一角。大部分染色體異常的胚胎無法植入、流產(chǎn)或停止，導致自然淘汰。99%的流...

1989年Handyside AH首先將PGD成功應(yīng)用于臨床，用PCR技術(shù)行Y染色體特異基因體外擴增，將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測性別，選女性胚胎移植，幫助有風險生育血友病A、進行性肌營養(yǎng)不良等X連鎖遺傳病后代的夫婦妊娠分娩出一正常女嬰。但按遺傳規(guī)律，此法無疑否定健康男孩的出生，而允許攜帶者女孩繁衍，并不能切斷致病基因的傳遞。1992年美國首先報道用PCR檢測囊性纖維成功，并通過胚胎篩選，誕生了健康嬰兒。之后，α-1-抗胰島素缺乏癥、色素沉著視網(wǎng)膜炎等多種單基因遺傳病的PGD檢測方法建立，PGD進入對單基因遺傳病的檢測預防階級。1993年以后，...

激光破膜儀在醫(yī)學領(lǐng)域的其他應(yīng)用 除了在輔助生殖技術(shù)中的應(yīng)用，激光破膜儀還具有以下醫(yī)學應(yīng)用：?***殺菌?：激光可以加快局部血液循環(huán)，****防御，抑制細菌等病原體繁殖?34。?促進傷口愈合?：刺激細胞活性，改善微循環(huán)，降低***風險?34。?緩解疼痛?：通過刺激神經(jīng)末梢釋放鎮(zhèn)痛物質(zhì)，減輕疼痛?34。?改善局部血液循環(huán)?：激光能量穿透皮膚，調(diào)節(jié)血管功能，增加血流量?34。?美容護膚?：利用激光刺激膠原蛋白再生，改善皮膚質(zhì)量?34。 軟件提供圖像和影像縮略圖，方便回放。上海DTS激光破膜RED-iGCSR-LDGCSR-LD（光柵耦合采樣反射激光二極管）是一種波長可大范圍調(diào)諧的LD，其結(jié)...

試管嬰兒技術(shù)給不孕夫婦帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術(shù)成功迎來自己的寶寶?？茖W研究表明，健康的胚胎是成功懷孕的關(guān)鍵。然而，通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常，胚胎染色體異常的風險隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是妊娠失敗和自然流產(chǎn)的主要原因。 健康的胚胎是試管嬰兒成功的第一步。因此，植入前遺傳學篩查越來越受到重視，PGD/PGS應(yīng)運而生。那么，染色體異常會導致哪些遺傳病，基因檢測是如何進行的呢？染色體問題有多嚴重？首先需要注意的是，能夠順利出生的健康寶寶，其實只是冰山一角。大部分染色體異常的胚胎無法植入、流產(chǎn)或停止，導致自然淘汰。99%的流...

試管嬰兒技術(shù)給不孕夫婦帶來了希望，越來越多無法自然受孕的夫婦選擇試管嬰兒技術(shù)成功迎來自己的寶寶?？茖W研究表明，健康的胚胎是成功懷孕的關(guān)鍵。然而，通過試管嬰兒獲得的胚胎中有40-60%存在染色體異常，胚胎染色體異常的風險隨著孕婦年齡的增長而增加。染色體異常是妊娠失敗和自然流產(chǎn)的主要原因。 健康的胚胎是試管嬰兒成功的第一步。因此，植入前遺傳學篩查越來越受到重視，PGD/PGS應(yīng)運而生。那么，染色體異常會導致哪些遺傳病，基因檢測是如何進行的呢？染色體問題有多嚴重？首先需要注意的是，能夠順利出生的健康寶寶，其實只是冰山一角。大部分染色體異常的胚胎無法植入、流產(chǎn)或停止，導致自然淘汰。99%的流...

基因檢測減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常風險染色體異常是導致流產(chǎn)和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常，可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施。基因檢測提高移植成功率在進行試管嬰兒移植前，醫(yī)生通常會選擇比較好質(zhì)的受精卵進行移植。通過基因檢測，醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等，并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵，提高著床率和...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內(nèi)，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發(fā)日趨成熟，國際上*少數(shù)幾家廠商可提供商用產(chǎn)品。優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)，有源區(qū)為應(yīng)變超晶格QW。有源區(qū)周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結(jié)構(gòu)。有源區(qū)附近的光波導區(qū)為DFB光柵，采用一些特殊的設(shè)計，如：波紋坡度可調(diào)分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續(xù)相移等結(jié)構(gòu)，提高器件性能。生產(chǎn)技術(shù)中，金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關(guān)鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應(yīng)離...

PGS適用人群播報編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復自然流產(chǎn)史的孕婦（自然流產(chǎn)≥3次）反復胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數(shù)目及結(jié)構(gòu)異常的夫婦注意事項播報編輯選擇了PGS，常規(guī)產(chǎn)前檢查仍不可忽視。因為全世界各種遺傳性疾病有4000余種，而PGS只能檢查胚胎23對染色體結(jié)構(gòu)和數(shù)目的異常，無法覆蓋所有疾病。因為PGS取材有限，只是取一定數(shù)量的卵裂球或者囊胚期細胞，雖然不會影響胚胎的正常發(fā)育，但取材細胞和留下繼續(xù)發(fā)育的細胞團遺傳構(gòu)成并非完全相同，故對于某些染色體嵌合型疾病可能出現(xiàn)篩查結(jié)果不符。另外染色體疾病的發(fā)病原因至今不明，也沒有預防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎，...

工作原理播報編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結(jié)，在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內(nèi)與反向偏置電壓值無關(guān)的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結(jié)空間電荷層中的電場強度達到臨界值產(chǎn)生載流子的倍增過程，產(chǎn)生大量電子空穴對，產(chǎn)生了數(shù)值很大的反向擊穿電流，稱...

基因檢測減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常風險染色體異常是導致流產(chǎn)和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常，可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施?；驒z測提高移植成功率在進行試管嬰兒移植前，醫(yī)生通常會選擇比較好質(zhì)的受精卵進行移植。通過基因檢測，醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等，并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵，提高著床率和...

基因檢測減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常風險染色體異常是導致流產(chǎn)和胚胎發(fā)育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫(yī)生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產(chǎn)和胚胎發(fā)育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進行。如果提前發(fā)現(xiàn)胚胎攜帶染色體異常，可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施?；驒z測提高移植成功率在進行試管嬰兒移植前，醫(yī)生通常會選擇比較好質(zhì)的受精卵進行移植。通過基因檢測，醫(yī)生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等，并根據(jù)這些信息選擇**適合移植的受精卵，提高著床率和...

檢測方法播報編輯（1）阻值測量法：拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴重老化，不能再使用了。（2）電流測量法：用萬用表測量激光二極管驅(qū)動電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據(jù)歐姆定律估算出流過該管的電流值，當電流超過100mA時，若調(diào)節(jié)激光功率電位器，而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴重老化。若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學諧振腔已損壞。極體活組織檢查也離不開激光破膜儀的精確協(xié)...

有哪些疾病與染色體有關(guān)？染色體/基因異常導致的常見疾病:1.染色體數(shù)目丟失(非整倍體):定義:一個健康人有23對染色體，每對都是二倍體，也就是兩對。如果有1，3或更多的染色體，這是染色體數(shù)目錯誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數(shù)字引起的遺傳病有上百種，如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結(jié)構(gòu):定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現(xiàn)易位、倒位、重疊等問題。，這是結(jié)構(gòu)異常，平衡易位**常見。如果發(fā)現(xiàn)患者是易位攜帶者，流產(chǎn)或IVF周期失敗的風險更大。遺傳病...

在移植前對胚胎的遺傳病和缺陷進行篩查和診斷，將會提高植入率，降低晚期流產(chǎn)的風險和嬰兒的健康。PGS和PGD有什么不同？PGS和PGD都是在移植前檢測胚胎的健康狀況，但**重要的區(qū)別是PGS是基因篩查，PGD是基因診斷。PGS是一種基因篩選測試，用于篩選胚胎的所有染色體。它可以檢查染色體是否缺失，形態(tài)和結(jié)構(gòu)是否正確。在受精卵形成胚胎(孵化的第3天)或囊胚(孵化的第5天)后檢查PGS。染色體有問題的胚胎很難自然成熟，懷孕第五、六個月中斷流產(chǎn)的情況并不少見。即使胚胎能夠存活到自然分娩，未來出生的嬰兒也很可能有健康問題。因此，對于高齡、反復流產(chǎn)的孕婦，PGS是一項非常有價值的技術(shù)。PGD是基因診斷的一...

其它類型LD光模塊激光二極管內(nèi)置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅(qū)動電路，輸出光信號。其體積小，可靠性高，使用方便，在城域網(wǎng)、同步傳輸系統(tǒng)、同步光纖網(wǎng)絡(luò)中都大量采用2.5Gb/s光發(fā)射模塊，10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段，向高速化、低成本、微型化發(fā)展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性，加熱器改變高分子材料光柵溫度，引發(fā)其折射率和光柵節(jié)距變化，使其反射波長改變。已研制出Polymer-AWG波長可調(diào)的集成模塊,有16個波長通道，波長間隔200GHz，插損8--9dB，串擾-25dB。用一個高速調(diào)制器對每個波長進行時間調(diào)制的多波長LD正處于研制階段。這是一種...

二、激光打孔技術(shù)在薄膜材料中的應(yīng)用1.微孔加工在薄膜材料中，微孔加工是一種常見的應(yīng)用場景。利用激光打孔技術(shù)，可以在薄膜材料上形成微米級的孔洞，滿足各種不同的應(yīng)用需求。例如，在太陽能電池板的生產(chǎn)中，利用激光打孔技術(shù)可以在硅片表面形成微孔，提高太陽能的吸收效率。在濾膜的制備中，通過激光打孔技術(shù)可以制備出具有微孔結(jié)構(gòu)的濾膜，實現(xiàn)對氣體的過濾和分離。2.納米級加工隨著科技的發(fā)展，納米級加工成為了薄膜材料加工的重要方向。激光打孔技術(shù)作為一種先進的加工手段，在納米級加工中具有廣泛的應(yīng)用前景。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡，可以在薄膜材料上形成納米級的孔洞，實現(xiàn)納米級結(jié)構(gòu)的制備。這種加工方式可以顯著提高...

半導體激光二極管的基本結(jié)構(gòu)：垂直于PN結(jié)面的一對平行平面構(gòu)成法布里——珀羅諧振腔，它們可以是半導體晶體的解理面，也可以是經(jīng)過拋光的平面。其余兩側(cè)面則相對粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。半導體中的光發(fā)射通常起因于載流子的復合。當半導體的PN結(jié)加有正向電壓時，會削弱PN結(jié)勢壘，迫使電子從N區(qū)經(jīng)PN結(jié)注入P區(qū)，空穴從P區(qū)經(jīng)過PN結(jié)注入N區(qū)，這些注入PN結(jié)附近的非平衡電子和空穴將會發(fā)生復合，從而發(fā)射出波長為λ的光子，其公式如下：λ = hc/Eg ⑴式中：h—普朗克常數(shù)； c—光速； Eg—半導體的禁帶寬度。上述由于電子與空穴的自發(fā)復合而發(fā)光的現(xiàn)象稱為自發(fā)輻射。當自發(fā)輻射所產(chǎn)生的光子通過半導...