開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓,用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS<VT時(shí),不能形成導(dǎo)電溝道,管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí),才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后,在漏—...
肖特基二極管,利用金屬和半導(dǎo)體二者的接合面的'肖特基效應(yīng)'的整流作用。由于正向的切入電壓較低,導(dǎo)通回復(fù)時(shí)間也短,適合用于高頻率的整流。一般而言漏電流較多,突波耐受度較低。也有針對(duì)此缺點(diǎn)做改善的品種推出。穩(wěn)壓二極管(Reference Diode)(常用稱法:齊...
高、低頻小功率管,高頻小功率三極管一般指特征頻率大于3MHz,功率小于1W的晶體三極管。主要使用于工作頻率比較高,功率不高于1W的放大電路,高頻振蕩電路。比如在晶體管收錄機(jī)、收音機(jī)、電視機(jī)的高頻電路中,可選用高頻小功率管。如3CG3A—E,3DG6A-D。低頻...
二極管的誕生得益于半導(dǎo)體技術(shù),從原理上講它涉及到微觀電子學(xué),所以它的底層原理是比較復(fù)雜的,但我們實(shí)際運(yùn)用時(shí)主要在于根據(jù)我們電路的特點(diǎn)選擇合適的二極管型號(hào),所以底層原理這里沒(méi)有說(shuō)明,之后在實(shí)際電子設(shè)計(jì)中再將進(jìn)一步了解。你是否還記得,很多時(shí)候你媽媽興沖沖的走到你面...
早期的二極管包含“貓須晶體("Cat's Whisker" Crystals)”以及真空管(英國(guó)稱為“熱游離閥(Thermionic Valves)”)。現(xiàn)今較普遍的二極管大多是使用半導(dǎo)體材料如硅或鍺。正向性,外加正向電壓時(shí),在正向特性的起始部分,正向電壓很小...
三級(jí)管作用是什么?主要是將較微弱的信號(hào)轉(zhuǎn)變成較大幅度值的電信號(hào)。三極管的全稱稱為半導(dǎo)體三極管,也就是人們常說(shuō)的雙極型晶體管和晶體三極管,它主要是控制電流的一種半導(dǎo)體器件。三級(jí)管的工作狀態(tài)是怎么樣的?1、截止?fàn)顟B(tài),當(dāng)三極管中的發(fā)射結(jié)電壓小于導(dǎo)通電壓時(shí),集電極與發(fā)...
三極管的分類:a.按材質(zhì)分: 硅管、鍺管。b.按結(jié)構(gòu)分: NPN 、 PNP。c.按功能分: 開關(guān)管、功率管、達(dá)林頓管、光敏管等。d. 按功率分:小功率管、中等功率管、大功率管。e.按工作頻率分:低頻管、高頻管、超頻管。f.按結(jié)構(gòu)工藝分:合金管、平面管。g.按...
金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MESFET),其結(jié)構(gòu)獨(dú)特之處在于利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的肖特基勢(shì)壘作為柵極。這種特殊的柵極結(jié)構(gòu),當(dāng)施加合適的柵源電壓時(shí),能夠極為精細(xì)地調(diào)控溝道的導(dǎo)電能力。從微觀層面來(lái)看,高純度的半導(dǎo)體材料使得電子遷移率極高,電子在其中移動(dòng)時(shí)幾乎不受阻礙...
晶體三極管的種類:硅管和鍺管(按半導(dǎo)體材料分),鍺管比硅管的起始工工作電壓低、飽和壓降較低。三極管導(dǎo)通時(shí),發(fā)射極和集電極的電壓鍺管比硅管更低。因?yàn)殒N材料制成的PN結(jié)比硅材料制成的PN結(jié)的正向?qū)妷旱?,前者?.2~0.3V,后者為0.6~0.7V。所以鍺三極...
瞬態(tài)抑制二極管(TVS管),瞬態(tài)電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor,簡(jiǎn)稱TVS,它是一種高效保護(hù)器件的一種二極管。當(dāng)瞬態(tài)電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí),它能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度,將其兩極間的高...
普通二極管是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件,即將一個(gè)PN結(jié)加一兩條電極引線做成管芯,并用管殼封裝而成。P型區(qū)的引出線稱為正極或陽(yáng)極,N型區(qū)的引出線稱為負(fù)極或陰極,如圖1所示。普通二極管有硅管或鍺管兩種,它們的正向?qū)妷海≒N結(jié)電壓)差別較大,鍺管為0.2~0....
當(dāng)滿足 MOS 管的導(dǎo)通條件時(shí),MOS 管的 D 極和 S 極會(huì)導(dǎo)通,這個(gè)時(shí)候體二極管是截止?fàn)顟B(tài)。因?yàn)?MOS 管導(dǎo)通內(nèi)阻很小,不足以使寄生二極管導(dǎo)通。MOS管的導(dǎo)通條件,PMOS增強(qiáng)型管:UG-US|UGSTH| , UGSTH是開啟電壓;NMOS增強(qiáng)型管:...
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET):1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類:結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式,它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極,它們是:柵極;漏極;源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原...
開關(guān)時(shí)間:場(chǎng)效應(yīng)管從完全關(guān)閉到完全導(dǎo)通(或相反)所需的時(shí)間。柵極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)對(duì)開關(guān)時(shí)間有明顯影響,同時(shí)寄生電容的大小也會(huì)影響開關(guān)時(shí)間,此外,器件的物理結(jié)構(gòu),也會(huì)影響開關(guān)速度。典型應(yīng)用電路:開關(guān)電路:開關(guān)電路是指用于控制場(chǎng)效應(yīng)管開通和關(guān)斷的電路。放大電路:場(chǎng)效...
我們經(jīng)??碝OS管的PDF參數(shù),MOS管制造商采用RDS(ON)參數(shù)來(lái)定義導(dǎo)通阻抗,對(duì)開關(guān)應(yīng)用來(lái)說(shuō),RDS(ON)也是較重要的器件特性。數(shù)據(jù)手冊(cè)定義RDS(ON)與柵極(或驅(qū)動(dòng))電壓VGS以及流經(jīng)開關(guān)的電流有關(guān),但對(duì)于充分的柵極驅(qū)動(dòng),RDS(ON)是一個(gè)相對(duì)靜...
三極管主要參數(shù),三極管的參數(shù)有很多,可以分成三大類:直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)。1、直流參數(shù),共發(fā)射極直流放大倍數(shù):共發(fā)射極電路中,沒(méi)有交流輸入時(shí),集電極電流與基極電流之比;集電極-基極反向截至電流:發(fā)射極開路時(shí),集電極上加有規(guī)定的反向偏置電壓,此時(shí)的集電極...
正向偏置(Forward Bias),二極管的陽(yáng)極側(cè)施加正電壓,陰極側(cè)施加負(fù)電壓,這樣就稱為正向偏置,所加電壓為正向偏置。如此N型半導(dǎo)體被注入電子,P型半導(dǎo)體被注入空穴。這樣一來(lái),讓多數(shù)載流子過(guò)剩,耗盡層縮小、消滅,正負(fù)載流子在PN接合部附近結(jié)合并消滅。整體來(lái)...
三極管的開關(guān)功能,三極管的集電極電流在一定范圍內(nèi)隨基極電流呈線性變化,這就是放大特性。當(dāng)基極電流高過(guò)此范圍時(shí),三極管集電極電流會(huì)達(dá)到飽和值 (導(dǎo)通),基極電流低于此范圍時(shí),三極管會(huì)進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)(斷路), 這種導(dǎo)通或截止的特性在電路中還可起到開關(guān)作用。三極管的其...
恒流二極管 ( 英語(yǔ) : Constant Current Diode ) (或稱定電流二極管,CRD、Current Regulative Diode),被施加順?lè)较螂妷旱膱?chǎng)合,無(wú)論電壓多少,可以得到一定的電流的元件。通常的電流容量在1~15mA的范圍。雖然...
單極型場(chǎng)效應(yīng)管在生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的應(yīng)用:生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)對(duì)信號(hào)檢測(cè)精度的要求極高,單極型場(chǎng)效應(yīng)管在其中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在生物傳感器領(lǐng)域,例如檢測(cè)血糖的傳感器,當(dāng)血液中的葡萄糖分子與傳感器表面的特定物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)時(shí),會(huì)產(chǎn)生微弱的電信號(hào)。單極型場(chǎng)效應(yīng)管憑借其高輸入阻抗的特...
三極管具有放大信號(hào)、開關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能,對(duì)電子設(shè)備的正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。放大信號(hào),三極管可以將微弱的輸入信號(hào)放大成較大的輸出信號(hào)。它通過(guò)調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化,使輸出信號(hào)得以放大。這種放大作用在無(wú)線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無(wú)線電...
三極管的原理,三極管可以看做一個(gè)小閥門控制大閥門的元件,基極和發(fā)射極原理為一個(gè)二極管,當(dāng)給基極一個(gè)電壓,基極和發(fā)射極就會(huì)導(dǎo)通,基極也就有了電流,這個(gè)時(shí)候集電極和發(fā)射極也會(huì)導(dǎo)通,當(dāng)基極電壓越大集電極流向發(fā)射極的電流也會(huì)越大,也就是閥門打開的越大,微弱的基極電流和...
強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管在深空探測(cè)中的意義:深空探測(cè)環(huán)境極端惡劣,強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管是探測(cè)器能夠正常工作的關(guān)鍵保障。探測(cè)器在穿越輻射帶、靠近太陽(yáng)等過(guò)程中,會(huì)遭受宇宙射線的輻射,這種輻射強(qiáng)度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了普通電子設(shè)備的承受能力。強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)管采用特殊材料與結(jié)構(gòu),能夠有效抵御輻射粒...
對(duì)比:場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn):1.場(chǎng)效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。2.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件,由vGS控制iD,其放大系數(shù)gm一般較小,因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差;三極管是電流控制電流器...
三極管分為NPN和PNP兩種類型,示意圖如下所示:以下都以NPN型三極管為例說(shuō)明三極管原理。三極管發(fā)射區(qū)的參雜濃度非常高,有非常多的載流子——自由電子,集電區(qū)的參雜濃度低一些,但是面積非常大,基區(qū)的厚度非常薄,厚度只有幾十微米。由于電子的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)以及漂移運(yùn)動(dòng),...
二極管是由管芯、管殼和兩個(gè)電極構(gòu)成。管芯就是一個(gè)PN結(jié),在PN結(jié)的兩端各引出一個(gè)引線,并用塑料、玻璃或金屬材料作為封裝外殼,就構(gòu)成了晶體二極管,如下圖所示。P區(qū)的引出的電極稱為正極或陽(yáng)極,N區(qū)的引出的電極稱為負(fù)極或陰極。二極管的伏安特性,半導(dǎo)體二極管的主要是P...
如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了,因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的,PMOS的閾值電壓是負(fù)的,所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào),一個(gè)工程師可能說(shuō),"PMOS Vt從0.6V...
三極管的工作原理:這里主要講一下PNP和NPN。1、PNP,PNP是一種BJT,其中一種n型材料被引入或放置在兩種p型材料之間。在這樣的配置中,設(shè)備將控制電流的流動(dòng)。PNP晶體管由2個(gè)串聯(lián)的晶體二極管組成。二極管的右側(cè)和左側(cè)分別稱為集電極-基極二極管和發(fā)射極-...
三極管的作用:模擬。用三極管夠成的電路還可以模擬其它元器件。大功率可變電阻價(jià)貴難覓,用圖9(g)電路可作模擬品,調(diào)節(jié)510電阻的阻值,即可調(diào)節(jié)三極管C、E兩極之間的阻抗,此阻抗變化即可代替可變電阻使用。圖9(h)為用三極管模擬的穩(wěn)壓管。其穩(wěn)壓原理是:當(dāng)加到A、...
二極管是較常用的電子元件之一,它較大的特性就是單向?qū)щ?,也就是電流只可以從二極管的一個(gè)方向流過(guò),二極管的作用有整流電路,檢波電路,穩(wěn)壓電路,各種調(diào)制電路,主要都是由二極管來(lái)構(gòu)成的,其原理都很簡(jiǎn)單,正是由于二極管等元件的發(fā)明,才有我們現(xiàn) 在豐富多彩的電子信息世界...