頻率倍增用二極管，頻率倍增用二極管英文名稱為Frequency doubled diode，對二極管的頻率倍增作用而言，有依靠變?nèi)荻O管的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極管的頻率倍增。頻率倍增用的變?nèi)荻O管稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變?nèi)荻?..

在高電壓或大電流的情況下,如果手頭沒有承受高電壓或整定大電濾的整流元件,可以把二極管串聯(lián)或并聯(lián)起來使用，二極管并聯(lián)的情況:兩只二極管并聯(lián)、每只分擔電路總電流的一半口三只二極管并聯(lián),每只分擔電路總電流的三分之一。總之,有幾只二極管并聯(lián),"流經(jīng)每只二極管的電流就等...

mos管，mos管是金屬（metal）-氧化物（oxide）-半導體（semiconductor）場效應晶體管，或者稱是金屬-絕緣體（insulator）-半導體，MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在...

晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。 當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相...

1874年，德國物理學家卡爾·布勞恩在卡爾斯魯厄理工學院發(fā)現(xiàn)了晶體的整流能力。因此1906年開發(fā)出的頭一代二極管——“貓須二極管”是由方鉛礦等礦物晶體制成的。早期的二極管還包含了真空管，真空管二極管具有兩個電極 ，一個陽極和一個熱式陰極。在半導體性能被發(fā)現(xiàn)后，...

穩(wěn)壓二極管和普通二極管應用場景區(qū)別，由于穩(wěn)壓二極管具有穩(wěn)定的電壓支撐作用，因此它主要應用于需要高精度控制電壓的電路中。例如，在通信設備中，穩(wěn)壓二極管可以確保電路中的電壓穩(wěn)定，從而保證通信質(zhì)量；在電源設備中，穩(wěn)壓二極管可以穩(wěn)定輸出電壓，保護電子設備免受電壓波動的...

三極管是一種控制元件，主要用來控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當基極電壓UB有一個微小的變化時，基極電流IB也會隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會有一個很大的變化，基極電流IB越大，集電極電...

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負...

場效應管注意事項：為了防止場效應管柵極感應擊穿，要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地；管腳在焊接時，先焊源極；在連入電路之前，管的全部引線端保持互相短接狀態(tài)，焊接完后才把短接材料去掉；從元器件架上取下管時，應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采...

在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負的方向...

單極型場效應管以其簡單而獨特的結構區(qū)別于雙極型晶體管，它依靠一種載流子（電子或空穴）來導電。這種結構使得它的輸入電阻極高，幾乎沒有柵極電流，就像一個幾乎不消耗能量的信號接收站。在高阻抗信號放大與處理領域，它大顯身手。在傳感器信號調(diào)理電路中，以光電傳感器為例，當...

三極管的作用是什么？1、電流放大。這也是其較基本的作用。以共發(fā)射極接法為例，一旦由基極輸入一個微小的電流，在集電極輸出的電流大小便是輸入電流的β倍，β被叫做三極管的電流放大系數(shù)。將輸入的微弱信號擴大β倍后輸出，這便是三極管的電流放大作用。2、用作開關。三極管在...

三極管的參數(shù)。三極管主要性能參數(shù)：直流參數(shù)： 1、共射直流電流放大系數(shù)β;2、ICBO是發(fā)射極開路時，集電結的反向飽和電流;3、ICEO是基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。交流參數(shù)： 1、共射交流電流放大系數(shù)β;2、特征頻率fT，頻率升高，β降為1時對...

二極管是否損壞如何判斷：單負導電性能的檢測及好壞的判斷，通常，鍺材料二極管的正向電阻值為1kΩ左右，反向電阻值為300左右。硅材料二極管的電阻值為5kΩ左右，反向電阻值為（無窮大）。正向電阻越小越好，反向電阻越大越好。正、反向電阻值相差越懸殊，說明二極管的單向...

三極管的構造，三極管有三個區(qū)域，分別被命名為發(fā)射結、基極和集電結。它的基本原理是利用半導體材料中P型和N型材料間的PN結和PNP結的特性來實現(xiàn)信號放大。三極管的白色瓷體上標注著三個觸點，分別為發(fā)射極、基極和集電極。三極管的工作原理，三極管的工作原理很復雜，但可...

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅(qū)動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，后邊再詳細介紹。在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極管。這個叫體二極管，在驅(qū)動感性負...

場效應管與晶體管的比較：（1）場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。（2）場效應管是利用多數(shù)載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體...

交流參數(shù)：a.交流電流放大系數(shù)β（或hFE）交流電流放大系數(shù)是指采用共發(fā)射極接法時，集電極輸出電流的變化量ΔIC與基極輸入電流的變化量ΔIB之比。b.截止頻率fβ、fα晶體管的頻率參數(shù)描述晶體管的電流放大系數(shù)對高頻信號的適應能力。根據(jù)fβ的定義，所謂共射截止頻...

在1882年的時候，他們突然想了一個辦法，將一片銅片放在燈絲和玻璃之間，以為能阻止燈絲的老化。很遺憾，這個辦法不行。他們接下來在這個銅片上施加一定的電壓希望能夠改善燈絲的壽命，可是這樣做依然無濟于事。雖然，提高燈絲壽命的實驗失敗了，但是在這個過程中，他們發(fā)現(xiàn)了...

三極管的兩個PN結，類似于兩個共陰或共陽的二極管。與晶閘管和MOS管相比，三極管的特點是具有放大功能，而晶閘管和MOS管則沒有這種功能。三極管的工作原理。三極管的工作原理基于小電流控制大電流的原則，其工作機制像一個可控制的閥門。根據(jù)不同的工作狀態(tài)和連接方式，三...

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS...

在要求輸入阻抗較高的場合使用時，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場效應管的輸入電阻降低。如果用四引線的場效應管，其襯底引線應接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應注意避光使用。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須...

N溝道耗盡型MOSFET場效應管的基本結構：a.結構：N溝道耗盡型MOS管與N溝道增強型MOS管基本相似。b.區(qū)別：耗盡型MOS管在vGS=0時，漏——源極間已有導電溝道產(chǎn)生，而增強型MOS管要在vGS≥VT時才出現(xiàn)導電溝道。c.原因：制造N溝道耗盡型MOS管...

SOA失效（電流失效）再簡單說下第二點，SOA失效，SOA失效是指電源在運行時異常的大電流和電壓同時疊加在MOSFET上面，造成瞬時局部發(fā)熱而導致的破壞模式?；蛘呤切酒c散熱器及封裝不能及時達到熱平衡導致熱積累，持續(xù)的發(fā)熱使溫度超過氧化層限制而導致的熱擊穿模式...

三極管是一種控制元件，主要用來控制電流的大小，以共發(fā)射極接法為例（信號從基極輸入，從集電極輸出，發(fā)射極接地），當基極電壓UB有一個微小的變化時，基極電流IB也會隨之有一小的變化，受基極電流IB的控制，集電極電流IC會有一個很大的變化，基極電流IB越大，集電極電...

LED 燈具的驅(qū)動。設計LED燈具的時候經(jīng)常要使用MOS管，對LED恒流驅(qū)動而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH)時MOSFET才開始導通。因此，設計時...

三極管一個重要參數(shù)就是電流放大系數(shù)β。當三極管的基極B上加一個微小的電流時，在集電極C上可以得到一個是基極電流β倍的電流，即集電極電流。集電極電流隨基極電流的變化而變化，并且基極電流很小的變化可以引起集電極電流很大的變化，這就是三極管的放大作用。電流控制：NP...

眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極較大程度上致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同，其兩大結構特點:頭一，金屬柵極采用V型槽結構；第二，具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流動，...

三極管，全稱應為半導體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導體器件·其作用是把微弱信號放大成輻值較大的電信號，具有電流放大作用，也用作無觸點開關，是電子電路的主要元件。三極管的作用：1、放大作用。三極管的單向?qū)щ娦?，使得它很容易把信號?..

晶體二極管分類如下：鍵型二極管，鍵型二極管是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介于點接觸型二極管和合金型二極管之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極管的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優(yōu)良。多作開關用，有時也被應用于檢波和電源整流（不大于50m...