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紅外接收頭一般是接收、放大、解調(diào)一體頭,一般紅外信號(hào)經(jīng)接收頭解調(diào)后,數(shù)據(jù)“0”和“1”的區(qū)別通常體現(xiàn)在高低電平的時(shí)間長(zhǎng)短或信號(hào)周期上,單片機(jī)解碼時(shí),通常將接收頭輸出腳連接到單片機(jī)的外部中斷,結(jié)合定時(shí)器判斷外部中斷間隔的時(shí)間從而獲取數(shù)據(jù)。重點(diǎn)是找到數(shù)據(jù)“0”與“...
●能抵擋環(huán)境干撓光線;●低電壓工作;光電參數(shù)光電參數(shù)(T=25℃Vcc=5vf0=38KHZ):參數(shù)符號(hào)測(cè)試條件MinTypeMax單位工作電壓VCCV工作電流Icc-mA靜態(tài)電流Ice無(wú)信號(hào)輸入時(shí)mA接收距離L※1518M接收角度θ1/2+/-35Deg載波...
用UGN3501T還可以十分方便地組成如圖2所示的鉗形電流表。將霍爾元件置于鉗形冷軋硅鋼片的空隙中,當(dāng)有電流流過導(dǎo)線時(shí),就會(huì)在鉗形圓環(huán)中產(chǎn)生磁場(chǎng),其大小正比于流過導(dǎo)線電流的安匝數(shù)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳...
具體實(shí)施方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)描述,所述是對(duì)本發(fā)明的解釋而不是限定,一種高速高響應(yīng)度的硅基光電二極管,包括背面設(shè)有背面電極108的襯底107;襯底107正面依次設(shè)有高反層(109、外延層101、注入層、氧化硅層、氮化硅層和正面金屬電極10...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。1、紅外接收頭一般有三只引線腳,分別為接地、電源和信號(hào)輸出。不同型號(hào)的紅外接收頭,其引腳排...
有可以檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的開關(guān)類型和可以檢測(cè)磁場(chǎng)極性的鎖存類型。輸出特性根據(jù)垂直施加到傳感器的磁場(chǎng)強(qiáng)度,將輸出電壓確定為高或低。極點(diǎn)檢測(cè)結(jié)果共有三種:S極,N極和雙極。當(dāng)磁場(chǎng)的大小超過Bop時(shí),輸出電壓變低。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2...
其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件、光電開關(guān)、光電編碼器、紙張感應(yīng)器和光電耦合器等。經(jīng)過十余年的發(fā)展,世華高半導(dǎo)體已成為一家先進(jìn)的半導(dǎo)體器件制造商。公司在全球范圍內(nèi)設(shè)有多個(gè)銷售機(jī)構(gòu),分布在中國(guó)、印...
典型電路:★光耦器件4N25的強(qiáng)、弱電隔離;★由兩只二極管極幾只阻容元件組成的一個(gè)極簡(jiǎn)單的音頻振蕩器;應(yīng)用實(shí)例:停電聲光報(bào)警器點(diǎn)擊放大許多學(xué)校采用自動(dòng)打鈴裝置,這盡管給工作帶來(lái)了方便,但如遇停電,會(huì)使學(xué)校作息時(shí)間混亂。若裝有下面介紹的裝置,它會(huì)發(fā)出報(bào)警...
國(guó)產(chǎn)光耦廠家--**光半導(dǎo)體工業(yè)術(shù)語(yǔ)經(jīng)常模糊相似術(shù)語(yǔ)之間的界線。,我們發(fā)現(xiàn)光耦合器和光隔離器這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)可以互換使用,以指代相同的功能。這兩個(gè)術(shù)語(yǔ)之間的區(qū)別在于隔離的電壓量。光耦合器用于將模擬或數(shù)字信息從一個(gè)電壓電勢(shì)傳輸?shù)搅硪浑妷?,同時(shí)保持低于5,000...
可以在約10mm的彎曲半徑處獲得接近零的光學(xué)損耗。因此,基于圖8的曲線圖,取決于例如光耦合器220的可接受的或期望的光學(xué)損耗和期望的厚度“t”,可以選擇波導(dǎo)的厚度、彎曲半徑和數(shù)量,以獲得實(shí)現(xiàn)期望的光學(xué)特性的多個(gè)波導(dǎo)。圖9示出了包括不同厚度901、902...
所有紅外線遙控器的輸出都是用編碼后的串行數(shù)據(jù)對(duì)30~56kHz的方波進(jìn)行脈沖幅度調(diào)制而產(chǎn)生的。如果直接對(duì)已調(diào)波進(jìn)行測(cè)量,由于單芯片系統(tǒng)的指令周期是微秒(μs),而已調(diào)波的脈寬只有20多μs,會(huì)產(chǎn)生很大的誤差。因此先要對(duì)已調(diào)波進(jìn)行解調(diào),對(duì)解調(diào)后的波形進(jìn)行...
霍爾傳感器技術(shù)應(yīng)用于汽車工業(yè)霍爾傳感器技術(shù)在汽車工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用,包括動(dòng)力、車身控制、牽引力控制以及防抱死制動(dòng)系統(tǒng)。為了滿足不同系統(tǒng)的需要,霍爾傳感器有開關(guān)式、模擬式和數(shù)字式傳感器三種形式?;魻杺鞲衅骺梢圆捎媒饘俸桶雽?dǎo)體等制成,效應(yīng)質(zhì)量的改變?nèi)Q于...
傳感體同時(shí)作為密封元件起作用并且防止在空間與第二空間之間的壓力補(bǔ)償。傳感體在其緊固區(qū)段的區(qū)域中在其面朝支承體的一側(cè)上可以具有至少部分環(huán)繞的形狀鎖合元件。支承體在其面朝傳感體的緊固區(qū)段的一側(cè)上具有凹深部,該凹深部構(gòu)造成與傳感體的形狀鎖合元件互補(bǔ)。傳感體可...
緊固區(qū)段和測(cè)量區(qū)段的材料在此是相同的并且一體地由彈性體材料構(gòu)成。環(huán)狀的緊固區(qū)段的層厚在此比盤狀的測(cè)量區(qū)段的層厚大。層厚在此表示在表面與第二表面之間的間距。在測(cè)量區(qū)段與緊固區(qū)段之間的過渡在此可以是階梯狀的,其中,所述層厚突變式地升高。地,所述層厚從測(cè)量區(qū)...
傳感體同時(shí)作為密封元件起作用并且防止在空間與第二空間之間的壓力補(bǔ)償。傳感體在其緊固區(qū)段的區(qū)域中在其面朝支承體的一側(cè)上可以具有至少部分環(huán)繞的形狀鎖合元件。支承體在其面朝傳感體的緊固區(qū)段的一側(cè)上具有凹深部,該凹深部構(gòu)造成與傳感體的形狀鎖合元件互補(bǔ)。傳感體可...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。如果電流在預(yù)設(shè)的范圍內(nèi),則判定傳感器6合格,如果電流沒有在預(yù)設(shè)的范圍內(nèi),則判定傳感器6不合...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造?;魻杺鞲衅骷夹g(shù)應(yīng)用于汽車工業(yè)霍爾傳感器技術(shù)在汽車工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用,包括動(dòng)力、車身控制、...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。這類元件可以分為兩大類,一類是線性元件,另一類是開關(guān)類元件。線性霍爾元件的原理及應(yīng)用UGN...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。其產(chǎn)品范圍包括光電二極管、光電三極管、紅外線接收頭、發(fā)射管、發(fā)光二極管、硅光電池、霍爾元件...
有可以檢測(cè)磁場(chǎng)強(qiáng)度的開關(guān)類型和可以檢測(cè)磁場(chǎng)極性的鎖存類型。輸出特性根據(jù)垂直施加到傳感器的磁場(chǎng)強(qiáng)度,將輸出電壓確定為高或低。極點(diǎn)檢測(cè)結(jié)果共有三種:S極,N極和雙極。當(dāng)磁場(chǎng)的大小超過Bop時(shí),輸出電壓變低。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2...
按照霍爾開關(guān)的感應(yīng)方式可將它們分為:?jiǎn)螛O性霍爾開關(guān)、雙極性霍爾開關(guān)、全極性霍爾開關(guān)。深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。單極性...
霍爾傳感器信號(hào)為何會(huì)對(duì)地短路筆者近檢修了一臺(tái)帕薩特B5轎車,因其故障碼的輸出內(nèi)容有一定的典型性,現(xiàn)在總結(jié)出來(lái),希望能對(duì)同行正確理解故障碼的含義有所啟發(fā)和借鑒。該車配置ANQ型發(fā)動(dòng)機(jī),大修后出現(xiàn)啟動(dòng)困難故障,嚴(yán)重時(shí)類似于無(wú)點(diǎn)火癥狀,熱車后故障有所減輕。筆...
對(duì)于開關(guān)型傳感器的正值規(guī)定是:用磁鐵的S極接近傳感器的端面所形成的B值為正值。由圖3看出,當(dāng)B=0時(shí),V0為高電平;當(dāng)外磁場(chǎng)增至BOP時(shí),輸出V0由高電平轉(zhuǎn)為低電平。外磁場(chǎng)由BOP降至BrP時(shí),輸出V0由低電向,BrP被稱為釋放點(diǎn)。對(duì)于UGN3020,...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。故通常將霍爾元件與放大器電路、溫度補(bǔ)償電路及穩(wěn)壓電源電路等集成在一個(gè)芯片上,稱之為霍爾傳感...
由霍爾效應(yīng)的原理知,霍爾電勢(shì)的大小取決于:Rh為霍爾常數(shù),它與半導(dǎo)體材質(zhì)有關(guān);IC為霍爾元件的偏置電流;B為磁場(chǎng)強(qiáng)度;d為半導(dǎo)體材料的厚度。對(duì)于一個(gè)給定的霍爾器件,Vh將完全取決于被測(cè)的磁場(chǎng)強(qiáng)度B。由霍爾效應(yīng)的原理知,霍爾電勢(shì)的大小取決于:Rh為霍爾常...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。于是就剩下00515故障碼問題,經(jīng)過反復(fù)試車,發(fā)現(xiàn)有這樣的故障特征;在點(diǎn)火開關(guān)打開狀態(tài)(發(fā)...
該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造。相應(yīng)如下地選擇涂層,即,傳感體3的表面4和第二表面5被地可導(dǎo)電地涂覆??蓪?dǎo)電的涂層例如可以氣相蒸鍍到表面4和第二表面5上。然而所述涂層也可以構(gòu)造成具有可導(dǎo)電顆粒的漆的形式。傳感體3具有測(cè)量...
此外對(duì)于兩個(gè)可導(dǎo)電的表面的觸點(diǎn)接通而言所需的電極能夠簡(jiǎn)單地集成到緊固區(qū)段的區(qū)域中。傳感體的表面和第二表面可以被地可導(dǎo)電地涂覆。這簡(jiǎn)化了傳感體的兩個(gè)可導(dǎo)電地裝備的表面的觸點(diǎn)接通。在此特別是不需要的是:將分開的電極置入到、例如硫化到傳感體中??蓪?dǎo)電的表面和...
因此在為支承體涂層時(shí)自動(dòng)建立了在接觸元件與可導(dǎo)電的涂層之間的可導(dǎo)電的連接。地,支承體裝備有用于連接線纜或電纜接線夾的元件。這些元件與所述至少一個(gè)接觸元件電接觸。閉鎖體可以裝備有用于與傳感體的可導(dǎo)電的表面和/或可導(dǎo)電的第二表面可導(dǎo)電地觸點(diǎn)接通的至少一個(gè)另...
深圳市世華高半導(dǎo)體有限公司(SIVAGO)成立于2004年,總部設(shè)在深圳,主要負(fù)責(zé)研發(fā)和銷售工作。該公司選擇將汕尾深汕特別合作區(qū)作為生產(chǎn)基地,負(fù)責(zé)光電器件的制造?;魻杺鞲衅骷夹g(shù)應(yīng)用于汽車工業(yè)霍爾傳感器技術(shù)在汽車工業(yè)中有著廣泛的應(yīng)用,包括動(dòng)力、車身控制、...