HJT整線(xiàn)解決商釜川，HJT（Heterojunction with Intrinsic Thin Layer）是一種新型的太陽(yáng)能電池技術(shù)，相比于傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能電池，HJT具有更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的溫度系數(shù)。在壽命和可靠性方面，HJT也有一定的優(yōu)勢(shì)。首先，...

在選擇電池濕法設(shè)備時(shí)，需要考慮以下因素：1.生產(chǎn)規(guī)模：根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模選擇合適的設(shè)備，以滿(mǎn)足生產(chǎn)需求。2.設(shè)備質(zhì)量：選擇質(zhì)量可靠、穩(wěn)定的設(shè)備，以確保生產(chǎn)過(guò)程中的安全和穩(wěn)定性。3.設(shè)備價(jià)格：根據(jù)預(yù)算選擇合適的設(shè)備，以確保經(jīng)濟(jì)效益。4.設(shè)備維護(hù)和保養(yǎng)：選擇易于維護(hù)和保...

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸...

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對(duì)太陽(yáng)能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，2022年成功研發(fā)雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級(jí)。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸...

光伏電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢(shì)：進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的...

高效異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)流程中使用的設(shè)備，PECVD 1.等離子化學(xué)氣相沉積（PlasmaEnhancedCVD，PECVD）是指利用輝光放電的物理作用來(lái)化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的CVD技術(shù)；2.異質(zhì)結(jié)非晶硅薄膜沉積是采用RPECVD技術(shù)，射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（RF...

光伏電鍍銅基本可以分為水平電鍍銅、VCP垂直電鍍銅、龍門(mén)線(xiàn)電鍍銅，電鍍銅后采用的表面處理方式業(yè)界存在多種路線(xiàn)。主要工藝流程控制和添加劑在線(xiàn)路板行業(yè)使用時(shí)間久遠(yuǎn)技術(shù)已經(jīng)成熟。電鍍銅+電鍍錫、電鍍銅+化學(xué)沉錫、電鍍銅+化學(xué)沉銀幾種路線(xiàn)。釜川，以半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備、太陽(yáng)...

光伏電池濕法設(shè)備濕法制絨設(shè)備HJT工藝功能是去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對(duì)太陽(yáng)光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢(shì)是進(jìn)口PLC控制，兼容MES，UPS和RFID功能。機(jī)械手分...

電池濕法設(shè)備Topcon工藝RCA槽式清洗設(shè)備主要功能去除多晶硅沉積的正面(LPCVD)PECVD繞鍍層，去除表面剩余的BSG。優(yōu)勢(shì)：閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對(duì)背面作拋光處理。...

電池濕法設(shè)備是一種用于電池制造的設(shè)備，主要用于電池的電解液制備和電極涂覆等工序。使用電池濕法設(shè)備需要注意以下幾點(diǎn)：1.設(shè)備安裝：首先需要將設(shè)備安裝在干燥、通風(fēng)、無(wú)塵的環(huán)境中，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。2.操作流程：根據(jù)設(shè)備的操作手冊(cè)，按照操作流程進(jìn)行操作，確保...

太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)的制造過(guò)程是一個(gè)復(fù)雜的工藝過(guò)程，需要多個(gè)步驟來(lái)完成。首先，需要準(zhǔn)備好基板，通常使用的是硅基板。然后，在基板上涂覆一層氧化硅，這一步是為了保護(hù)基板不受損傷。接著，在氧化硅上涂覆一層摻雜劑，通常使用的是磷或硼，這一步是為了形成p型或n型半導(dǎo)體。然后，將...

電池濕法設(shè)備是一種用于生產(chǎn)電池的設(shè)備，其主要作用是將電池的正負(fù)極材料浸泡在電解液中，使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而產(chǎn)生電能。為了提高電池的性能和降低生產(chǎn)成本，可以?xún)?yōu)化以下幾個(gè)參數(shù)：1.電解液配方：電解液是電池濕法設(shè)備中重要的組成部分之一，其配方的優(yōu)化可以顯著影響電池的...

HJT電池生產(chǎn)流程，HJT電池生產(chǎn)設(shè)備，制絨清洗的主要目的。1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對(duì)n型硅片進(jìn)行各項(xiàng)異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結(jié)構(gòu)（“金字塔結(jié)構(gòu)”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至...

HJT電池是一種新型的光伏技術(shù)，與傳統(tǒng)的晶體硅太陽(yáng)能電池相比，具有更高的效率和更低的溫度系數(shù)。與傳統(tǒng)的PERC電池相比，HJT電池具有更高的光電轉(zhuǎn)換效率和更低的暗電流，因此在低光條件下表現(xiàn)更好。此外，HJT電池還具有更高的可靠性和更長(zhǎng)的壽命。與其他新型光伏技術(shù)...

異質(zhì)結(jié)電鍍銅的主要工序：前面的兩道工藝制絨和 PVD 濺射。增加的工藝是用曝光機(jī)替代絲網(wǎng)印刷機(jī)和烤箱。具體分為圖形化和金屬化兩個(gè)環(huán)節(jié)：（1）圖形化：先使用 PVD 設(shè)備做一層銅的種子層，然后使用油墨印刷機(jī)（掩膜一體機(jī)）的濕膜法制作掩膜。在經(jīng)過(guò)掩膜一體機(jī)的印刷、...

HJT電池生產(chǎn)設(shè)備，本征非晶硅薄膜沉積（i-a-Si:H）i-a-Si:H/c-Si界面處存在復(fù)合活性高的異質(zhì)界面，是由于界面處非晶硅薄膜中的缺陷和界面上的懸掛鍵會(huì)成為復(fù)合中心，因此需要進(jìn)行化學(xué)鈍化；化學(xué)鈍化主要由氫鈍化非晶硅薄膜鈍化層來(lái)完成，將非晶硅薄膜中的...

太陽(yáng)能異質(zhì)結(jié)電池工藝 1.清洗制絨。通過(guò)腐蝕去除表面損傷層，并且在表面進(jìn)行制絨，以形成絨面結(jié)構(gòu)達(dá)到陷光效果，減少反射損失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉積。通過(guò)CVD方式在正面/背面分別沉積5~10nm的本征a-Si:H，作為鈍化層，然后再沉積摻雜層；3.正面/背...

HJT光伏電池是一種高效率、高穩(wěn)定性的太陽(yáng)能電池，其適用范圍廣闊。以下是HJT光伏電池的適用范圍：1.太陽(yáng)能發(fā)電：HJT光伏電池可以將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能，用于家庭、工業(yè)、商業(yè)等領(lǐng)域的發(fā)電。2.光伏建筑：HJT光伏電池可以嵌入建筑材料中，如玻璃幕墻、屋頂、墻面等，...

電池濕法設(shè)備是一種用于生產(chǎn)電池的設(shè)備，其主要功能是將原材料轉(zhuǎn)化為電池的正負(fù)極材料，以及制造電解液和電池外殼等組成部分。具體來(lái)說(shuō)，電池濕法設(shè)備的主要功能包括以下幾個(gè)方面：1.制備正負(fù)極材料：電池濕法設(shè)備可以將金屬氧化物、碳酸鹽等原材料轉(zhuǎn)化為電池的正負(fù)極材料，如鋰...

HJT電池整線(xiàn)解決方案，制絨清洗的主要目的有，1去除硅片表面的污染和損傷層；2利用KOH腐蝕液對(duì)n型硅片進(jìn)行各項(xiàng)異性腐蝕，將Si（100）晶面腐蝕為Si（111）晶面的四方椎體結(jié)構(gòu)（“金字塔結(jié)構(gòu)”），即在硅片表面形成絨面，可將硅片表面反射率降低至12.5%以下...

電鍍銅設(shè)備工序包括種子層制備、圖形化、電鍍?nèi)蟓h(huán)節(jié)，涌現(xiàn)多種設(shè)備方案。電鍍銅 工藝尚未定型，各環(huán)節(jié)技術(shù)方案包括（1）種子層：設(shè)備主要采用 PVD，主要技術(shù)分歧 在于是否制備種子層、制備整面/局部種子層和種子層金屬選用；（2）圖形化：感光材料 分為干膜和油墨，主...

光伏電池濕法XBC工藝制絨清洗設(shè)備，功能是硅片正面絨面產(chǎn)生，背面區(qū)域打開(kāi)。優(yōu)勢(shì)進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿(mǎn)足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢(shì)。l可配套無(wú)金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，...

HJT電池整線(xiàn)技術(shù)路線(xiàn)工藝 1.清洗制絨。通過(guò)腐蝕去除表面損傷層，并且在表面進(jìn)行制絨，以形成絨面結(jié)構(gòu)達(dá)到陷光效果，減少反射損失；2.正面/背面非晶硅薄膜沉積。通過(guò)CVD方式在正面/背面分別沉積5~10nm的本征a-Si:H，作為鈍化層，然后再沉積摻雜層；3.正...

電池濕法設(shè)備是一種用于生產(chǎn)電池的設(shè)備，其主要功能是將原材料轉(zhuǎn)化為電池的正負(fù)極材料，以及制造電解液和電池外殼等組成部分。具體來(lái)說(shuō)，電池濕法設(shè)備的主要功能包括以下幾個(gè)方面：1.制備正負(fù)極材料：電池濕法設(shè)備可以將金屬氧化物、碳酸鹽等原材料轉(zhuǎn)化為電池的正負(fù)極材料，如鋰...

電池濕法設(shè)備Topcon工藝，使用強(qiáng)堿腐蝕在硅片背面拋光形成近似鏡面的絨面結(jié)構(gòu)，提高硅片對(duì)長(zhǎng)波的吸收2.增加背鈍化膜的膜厚均勻性3.降低了背面的表面積，提升了少子壽命，降低背面復(fù)合速率。進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿(mǎn)足干...

高效HJT電池轉(zhuǎn)換效率高，拓展?jié)摿Υ?，工藝?jiǎn)單并且降本路線(xiàn)清晰，契合了光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的規(guī)律，是有潛力的下一代電池技術(shù)。 HJT裝備與材料：包含制絨清洗設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、金屬化設(shè)備等。 電鍍銅設(shè)備：采用金屬銅完全代替銀漿作為柵線(xiàn)電極，具備低成本、高...

濕法設(shè)備通常包括濕法制絨設(shè)備（Perc 工藝）、制絨設(shè)備（Topcon工藝）、濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）、RCA槽式清洗設(shè)備（Topcon工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）、濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）、電池濕法背拋清洗設(shè)備（XBC工藝）、制絨...

光伏濕法設(shè)備是一種用于生產(chǎn)太陽(yáng)能電池的設(shè)備，其生產(chǎn)效率主要取決于設(shè)備的技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝和材料質(zhì)量等因素。目前，光伏濕法設(shè)備的生產(chǎn)效率已經(jīng)非常高，可以達(dá)到非常高的水平。首先，光伏濕法設(shè)備采用的是先進(jìn)的生產(chǎn)工藝和技術(shù)，可以實(shí)現(xiàn)高效的生產(chǎn)過(guò)程。其次，設(shè)備采用的是高...

異質(zhì)結(jié)電鍍銅的主要工序：前面的兩道工藝制絨和PVD濺射。增加的工藝是用曝光機(jī)替代絲網(wǎng)印刷機(jī)和烤箱。具體分為圖形化和金屬化兩個(gè)環(huán)節(jié)：（1）金屬化：首先完成銅的沉積（電鍍銅），然后使用不同的抗氧化方法進(jìn)行處理（電鍍鋅或使用抗氧化劑制作保護(hù)層）。去掉之前的掩膜、銅種...

光伏異質(zhì)結(jié)電池生產(chǎn)設(shè)備，異質(zhì)結(jié)TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si異質(zhì)結(jié)后，電池被用一個(gè)~80納米的透明導(dǎo)電氧化物接觸。~80納米薄的透明導(dǎo)電氧化物（TCO）層和前面的金屬網(wǎng)格。透明導(dǎo)電氧化物通常是摻有Sn的InO（ITO）或摻有Al的ZnO。通常，TC...