添加特殊字符（1）靠近器件管腳擺放網(wǎng)絡(luò)名，擺放要求同器件字符，（2）板名、版本絲?。悍胖迷赑CB的元件面，水平放置，比元件位號(hào)絲印大（常規(guī)絲印字符寬度10Mil，高度80Mil）；扣板正反面都需要有板名絲印，方便識(shí)別。添加特殊絲?。?）條碼：條碼位置應(yīng)靠近PCB板名版本號(hào)，且長(zhǎng)邊必須與傳送方向平行，區(qū)域內(nèi)不能有焊盤(pán)直徑大于0.5mm的導(dǎo)通孔，如有導(dǎo)通孔則必須用綠油覆蓋。條碼位置必須符合以下要求，否則無(wú)法噴碼或貼標(biāo)簽。1、預(yù)留區(qū)域?yàn)橥繚M油墨的絲印區(qū)。2、尺寸為22.5mmX6.5mm。3、絲印區(qū)外20mm范圍內(nèi)不能有高度超過(guò)25mm的元器件。2）其他絲?。核猩漕lPCB建議添加標(biāo)準(zhǔn)“RF”的絲印...

放置固定結(jié)構(gòu)件（1）各固定器件坐標(biāo)、方向、1腳位置、頂?shù)讓臃胖门c結(jié)構(gòu)圖固定件完全一致，并將器件按照結(jié)構(gòu)圖形對(duì)應(yīng)放置。（2）當(dāng)有如下列情形時(shí)，需將問(wèn)題描述清楚并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中，同時(shí)郵件通知客戶修改確認(rèn)。結(jié)構(gòu)圖形與部分管腳不能完全重合；結(jié)構(gòu)圖形1腳標(biāo)識(shí)與封裝1腳焊盤(pán)指示不符；結(jié)構(gòu)圖形指示孔徑與封裝孔徑不符；文字描述、標(biāo)注尺寸等和結(jié)構(gòu)圖實(shí)際不一致；其他有疑問(wèn)的地方。（3）安裝孔坐標(biāo)、孔徑、頂?shù)讓优c結(jié)構(gòu)圖完全一致。（4）安裝孔、定位孔為NPTH且保留焊環(huán)時(shí)，焊環(huán)離孔距離8Mil以上，焊盤(pán)單邊比孔大33mil（5）固定結(jié)構(gòu)件放置完畢后，對(duì)器件賦予不可移動(dòng)屬性。（6）在孔符層進(jìn)行尺寸標(biāo)注，標(biāo)...

電源、地處理，（1）不同電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮分割帶優(yōu)先≥20Mil，在BGA投影區(qū)域內(nèi)分隔帶小為10Mil。（2）開(kāi)關(guān)電源按器件資料單點(diǎn)接地，電感下不允許走線；（3）電源、地網(wǎng)絡(luò)銅皮的最小寬度處滿足電源、地電流大小的通流能力，參考4.8銅皮寬度通流表。（4）電源、地平面的換層處過(guò)孔數(shù)量必須滿足電流載流能力，參考4.8過(guò)孔孔徑通流表。（5）3個(gè)以上相鄰過(guò)孔反焊盤(pán)邊緣間距≥4Mil，禁止出現(xiàn)過(guò)孔割斷銅皮的情況，（6）模擬電源、模擬地只在模擬區(qū)域劃分，數(shù)字電源、數(shù)字地只在數(shù)字區(qū)域劃分，投影區(qū)域在所有層面禁止重疊，如下如圖所示。建議在模擬區(qū)域的所有平面層鋪模擬地處理（7）跨區(qū)信號(hào)線從模擬地和數(shù)字地的橋接處...

ADC和DAC是數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)的接口，在通信領(lǐng)域，射頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為中頻信號(hào)，中頻信號(hào)經(jīng)過(guò)ADC轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，經(jīng)過(guò)數(shù)字算法處理后，再送入DAC轉(zhuǎn)換成中頻，再進(jìn)行了變頻為射頻信號(hào)發(fā)射出去。（1）ADC和DAC的PCBLAYOUT1、布局原則：優(yōu)先兼顧ADC、DAC前端模擬電路，嚴(yán)格按照原理圖電路順序呈一字型對(duì)ADC、DAC前端模擬電路布局。2、ADC、DAC本身通道要分開(kāi)，不同通道的ADC、DAC也要分開(kāi)。3、ADC、DAC前端模擬電路放置在模擬區(qū)，ADC、DAC數(shù)字輸出電路放置在數(shù)字區(qū)，因此，ADC、DAC器件實(shí)際上跨區(qū)放置，一般在A/D之間將模擬地和數(shù)字地相連或加磁珠處理。4、如果有多路模...

繪制結(jié)構(gòu)特殊區(qū)域及拼板（1）設(shè)置允許布局區(qū)域：回流焊?jìng)魉瓦叺膶挾纫鬄?mm以上,傳送邊上不能有貼片元器件；一般使用板框長(zhǎng)邊用作回流焊?jìng)魉瓦?；短邊?nèi)縮默認(rèn)2mm，不小于1mm；如短邊作為傳送邊時(shí)，寬長(zhǎng)比＞2:3；傳送邊進(jìn)板方向不允許有缺口；傳送邊中間有缺口時(shí)長(zhǎng)度不超過(guò)傳送邊1/3。特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄表》中。（2）設(shè)置允許布線區(qū)域：允許布線區(qū)域?yàn)閺陌蹇蜻吘墐?nèi)縮默認(rèn)40Mil，不小于20Mil；特殊要求按照《PCBLayout業(yè)務(wù)資料及要求》要求進(jìn)行，并記錄到《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（3）螺釘孔禁布區(qū)域由器件焊盤(pán)單邊向外擴(kuò)大1mm，...

ADC/DAC電路：（4）隔離處理：隔離腔體應(yīng)做開(kāi)窗處理、方便焊接屏蔽殼，在屏蔽腔體上設(shè)計(jì)兩排開(kāi)窗過(guò)孔屏蔽，過(guò)孔應(yīng)相互錯(cuò)開(kāi)，同排過(guò)孔間距為150Mil。，在腔體的拐角處應(yīng)設(shè)計(jì)3mm的金屬化固定孔，保證其固定屏蔽殼，隔離腔體內(nèi)的器件與屏蔽殼的間距＞0.5mm。如圖6-1-2-4所示。腔體的周邊為密封的，接口的線要引入腔體里采用帶狀線的結(jié)構(gòu)；而腔體內(nèi)部不同模塊之間可以采用微帶線的結(jié)構(gòu)，這樣內(nèi)部的屏蔽腔采用開(kāi)槽處理，開(kāi)槽的寬度一般為3mm、微帶線走在中間。（5）布線原則1、首先參考射頻信號(hào)的處理原則。2、嚴(yán)格按照原理圖的順序進(jìn)行ADC和DAC前端電路布線。3、空間允許的情況下，模擬信號(hào)采用包地處理，...

DDR的PCB布局、布線要求1、DDR數(shù)據(jù)信號(hào)線的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，在布局時(shí)保證緊湊的布局，即控制器與DDR芯片緊湊布局，需要注意DDR數(shù)據(jù)信號(hào)是雙向的，串聯(lián)端接電阻放在中間可以同時(shí)兼顧數(shù)據(jù)讀/寫(xiě)時(shí)良好的信號(hào)完整性。2、對(duì)于DDR信號(hào)數(shù)據(jù)信號(hào)DQ是參考選通信號(hào)DQS的，數(shù)據(jù)信號(hào)與選通信號(hào)是分組的；如8位數(shù)據(jù)DQ信號(hào)+1位數(shù)據(jù)掩碼DM信號(hào)+1位數(shù)據(jù)選通DQS信號(hào)組成一組，如是32位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成4組，如是64位數(shù)據(jù)信號(hào)將分成8組，每組里面的所有信號(hào)在布局布線時(shí)要保持拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性和長(zhǎng)度上匹配，這樣才能保證良好的信號(hào)完整性和時(shí)序匹配關(guān)系，要保證過(guò)孔數(shù)目相同。數(shù)據(jù)線同組（DQS、DM、DQ[7:0]）組內(nèi)...

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)和提供的參考設(shè)計(jì)進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點(diǎn)連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時(shí)，在電源入口處通過(guò)將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過(guò)磁珠或電感拆分成模擬電源。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過(guò)入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過(guò)經(jīng)過(guò)磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模...

ADC/DAC電路：（2）模擬地與數(shù)字地處理：大多數(shù)ADC、DAC往往依據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)和提供的參考設(shè)計(jì)進(jìn)行地分割處理，通常情況是將PCB地層分為模擬地AGND和數(shù)字地DGND，然后將二者單點(diǎn)連接，（3）模擬電源和數(shù)字電源當(dāng)電源入口只有統(tǒng)一的數(shù)字地和數(shù)字電源時(shí)，在電源入口處通過(guò)將數(shù)字地加磁珠或電感，將數(shù)字地拆分成成模擬地；同樣在電源入口處將數(shù)字電源通過(guò)磁珠或電感拆分成模擬電源。負(fù)載端所有的數(shù)字電源都通過(guò)入口處數(shù)字電源生成、模擬電源都通過(guò)經(jīng)過(guò)磁珠或電感隔離后的模擬電源生成。如果在電源入口處（外部提供的電源）既有模擬地又有數(shù)字地、既有模擬電源又有數(shù)字電源，板子上所有的數(shù)字電源都用入口處的數(shù)字電源生成、模...

評(píng)估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評(píng)估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關(guān)注分布范圍大，及電流大于1A以上的電源(如:+5V，+3.3V此類整板電源、FPGA/DSP的核電源、DDR電源等）。通常情況下：如果板內(nèi)無(wú)BGA封裝的芯片，一般可以用一個(gè)電源層處理所有的電源；如果有BGA封裝的芯片，主要以BGA封裝芯片為評(píng)估對(duì)象，如果BGA內(nèi)的電源種類數(shù)≤3種，用一個(gè)電源平面，如果＞3種，則使用2個(gè)電源平面，如果＞6則使用3個(gè)電源平面，以此類推。備注：1、對(duì)于電流＜1A的電源可以采用走線層鋪銅的方式處理。2、對(duì)于電流較大且分布較集中或者空間充足的情況下采用信號(hào)層鋪銅的方式處理。地平面層數(shù)的評(píng)估：在確定了走線層...

整板扇出（1）對(duì)板上已處理的表層線和過(guò)孔按照規(guī)則進(jìn)行相應(yīng)的調(diào)整。（2）格點(diǎn)優(yōu)先選用25Mil的，其次采用5Mil格點(diǎn)，過(guò)孔扇出在格點(diǎn)上，相同器件過(guò)孔走線采用復(fù)制方式，保證過(guò)孔上下左右對(duì)齊、常見(jiàn)分立器件的扇出形式（3）8MIL過(guò)孔中心間距35MIL以上，10MIL過(guò)孔中心間距40MIL以上，以免將平面層隔斷；差分過(guò)孔間距一般為30Mil（或過(guò)孔邊緣距為8Mil）。（4）芯片電源管腳先過(guò)電容再打過(guò)孔（5）所有電源/地管腳就近打孔，高速差分過(guò)孔附近30-50Mil內(nèi)加回流地孔，模塊內(nèi)通過(guò)表層線直連，無(wú)法連接的打過(guò)孔處理。（6）電源輸出過(guò)孔打在輸出濾波電容之后，電源輸入過(guò)孔扇出在輸入濾波電容之前，過(guò)孔...

關(guān)鍵信號(hào)布線（1）射頻信號(hào)：優(yōu)先在器件面走線并進(jìn)行包地、打孔處理，線寬8Mil以上且滿足阻抗要求，如下圖所示。不相關(guān)的線不允許穿射頻區(qū)域。SMA頭部分與其它部分做隔離單點(diǎn)接地。（2）中頻、低頻信號(hào)：優(yōu)先與器件走在同一面并進(jìn)行包地處理，線寬≥8Mil，如下圖所示。數(shù)字信號(hào)不要進(jìn)入中頻、低頻信號(hào)布線區(qū)域。（3）時(shí)鐘信號(hào)：時(shí)鐘走線長(zhǎng)度＞500Mil時(shí)必須內(nèi)層布線，且距離板邊＞200Mil，時(shí)鐘頻率≥100M時(shí)在換層處增加回流地過(guò)孔。（4）高速信號(hào)：5G以上的高速串行信號(hào)需同時(shí)在過(guò)孔處增加回流地過(guò)孔。PCB設(shè)計(jì)布局的整體思路是什么？宜昌定制PCB設(shè)計(jì)加工DDR2模塊相對(duì)于DDR內(nèi)存技術(shù)（有時(shí)稱為DDR...

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項(xiàng)1、在同一個(gè)屏蔽腔體內(nèi)，布局時(shí)應(yīng)該按RF主信號(hào)流一字布局，由于空間限制，如果在同一個(gè)屏蔽腔內(nèi)，RF主信號(hào)的元器件不能采用一字布局時(shí)，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對(duì)U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會(huì)出問(wèn)題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個(gè)接收通道和發(fā)射通道。3、布局時(shí)就要考慮RF主信號(hào)走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開(kāi)來(lái)，簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是讓高功率RF發(fā)射...

存儲(chǔ)模塊介紹：存儲(chǔ)器分類在我們的設(shè)計(jì)用到的存儲(chǔ)器有SRAM、DRAM、EEPROM、Flash等，其中DDR系列用的是多的，其DDR-DDR4的詳細(xì)參數(shù)如下：DDR采用TSSOP封裝技術(shù)，而DDR2和DDR3內(nèi)存均采用FBGA封裝技術(shù)。TSSOP封裝的外形尺寸較大，呈長(zhǎng)方形，其優(yōu)點(diǎn)是成本低、工藝要求不高，缺點(diǎn)是傳導(dǎo)效果差，容易受干擾，散熱不理想，而FBGA內(nèi)存顆粒精致小巧，體積大約只有DDR內(nèi)存顆粒的三分之一，有效地縮短信號(hào)傳輸距離，在抗干擾、散熱等方面更有優(yōu)勢(shì)，而DDR4采用3DS(3-DimensionalStack)三維堆疊技術(shù)來(lái)增大單顆芯片容量，封裝外形則與DDR2、DDR3差別不大。...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過(guò)孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對(duì)整板DRC進(jìn)行檢查、修改、確認(rèn)、記錄。（3）Stub殘端走線及過(guò)孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過(guò)孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對(duì)在分隔帶上的阻抗線進(jìn)行調(diào)整。（5）走線串?dāng)_檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對(duì)稱層需檢查殘銅率是否對(duì)稱并進(jìn)行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。如何設(shè)計(jì)PCB布線規(guī)則？...

整板布線，1）所有焊盤(pán)必須從中心出線,線路連接良好，（2）矩形焊盤(pán)出線與焊盤(pán)長(zhǎng)邊成180度角或0度角出線，焊盤(pán)內(nèi)部走線寬度必須小于焊盤(pán)寬度，BGA焊盤(pán)走線線寬不大于焊盤(pán)的1/2，走線方式，（3）所有拐角處45度走線，禁止出現(xiàn)銳角和直角走線，（4）走線到板邊的距離≥20Mil，距離參考平面的邊沿滿足3H原則，（5）電感、晶體、晶振所在器件面區(qū)域內(nèi)不能有非地網(wǎng)絡(luò)外的走線和過(guò)孔。（6）光耦、變壓器、共模電感、繼電器等隔離器件本體投影區(qū)所有層禁止布線和鋪銅。（7）金屬殼體正下方器件面禁止有非地網(wǎng)絡(luò)過(guò)孔存在，非地網(wǎng)絡(luò)過(guò)孔距離殼體1mm以上。（8）不同地間或高低壓間需進(jìn)行隔離。（9）差分線需嚴(yán)格按照工藝計(jì)...

PCBLAYOUT規(guī)范PCBLayout整個(gè)流程是：網(wǎng)表導(dǎo)入-結(jié)構(gòu)繪制-設(shè)計(jì)規(guī)劃-布局-布線-絲印調(diào)整-Gerber輸出。1.1網(wǎng)表導(dǎo)入網(wǎng)表導(dǎo)入子流程如下：創(chuàng)建PCB文件→設(shè)置庫(kù)路徑→導(dǎo)入網(wǎng)表。創(chuàng)建PCB文件（1）建立一個(gè)全新PCBLayout文件，并對(duì)其命名。（2）命名方式：“項(xiàng)目名稱+日期+版本狀態(tài)”，名稱中字母全部大寫(xiě)，以日期加上版本狀態(tài)為后綴，用以區(qū)分設(shè)計(jì)文件進(jìn)度。舉例：ABC123_1031A1其中ABC123為項(xiàng)目名稱，1031為日期，A1為版本狀態(tài)，客戶有特殊指定要求的除外。（3）改版沿用上一版的PCB文件。設(shè)置庫(kù)路徑（1）將封裝庫(kù)文件放入LIB文件夾內(nèi)或庫(kù)文件內(nèi)，由客戶提供的封...

電源模塊擺放電源模塊要遠(yuǎn)離易受干擾的電路，如ADC、DAC、RF、時(shí)鐘等電路模塊，發(fā)熱量大的電源模塊，需要拉大與其它電路的距離，與其他模塊的器件保持3mm以上的距離。不同模塊的用法電源，靠近模塊擺放，負(fù)載為整板電源供電的模塊優(yōu)先擺放在總電源輸入端。其它器件擺放（1）JTAG接口及外部接口芯片靠近板邊擺放，便于插拔,客戶有指定位置除外。（2）驅(qū)動(dòng)電路靠近接口擺放。（3）測(cè)溫電路靠近發(fā)熱量大的電源模塊或功耗比較高的芯片擺放,擺放時(shí)確定正反面。（4）光耦、繼電器、隔離變壓器、共模電感等隔離器件的輸入輸出模塊分開(kāi)擺放,隔離間距40Mil以上。（5）熱敏感元件（電解電容、晶振）遠(yuǎn)離大功率的功能模塊、散熱...

射頻、中頻電路（3）射頻電路的PCBLAYOUT注意事項(xiàng)1、在同一個(gè)屏蔽腔體內(nèi)，布局時(shí)應(yīng)該按RF主信號(hào)流一字布局，由于空間限制，如果在同一個(gè)屏蔽腔內(nèi)，RF主信號(hào)的元器件不能采用一字布局時(shí)，可以采用L形布局，比較好不要用U字形布局，在使用U字形布局前，一定要對(duì)U形布局的輸出與輸入間的隔離度要做仔細(xì)分析，確保不會(huì)出問(wèn)題。2、相同單元的布局要保證完全相同，例如TRX有多個(gè)接收通道和發(fā)射通道。3、布局時(shí)就要考慮RF主信號(hào)走向，和器件間的相互耦合作用。4、感性器件應(yīng)防止互感，與鄰近的電感垂直放置中的電感布局。5、把高功率RF放大器(HPA)和低噪音放大器(LNA)隔離開(kāi)來(lái)，簡(jiǎn)單地說(shuō)，就是讓高功率RF發(fā)射...

通過(guò)規(guī)范PCBLayout服務(wù)操作要求，提升PCBLayout服務(wù)質(zhì)量和保證交期的目的。適用范圍適用于我司PCBLayout業(yè)務(wù)。文件維護(hù)部門(mén)設(shè)計(jì)部。定義與縮略語(yǔ)（1）PCBLayout：利用EDA軟件將邏輯原理圖設(shè)計(jì)為印制電路板圖的全過(guò)程。（2）PCB:印刷電路板。（3）理圖：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具繪制，表達(dá)硬件電路中各種器件之間的連接關(guān)系的圖。（4）網(wǎng)表：一般由原理圖設(shè)計(jì)工具自動(dòng)生成的，表達(dá)元器件電氣連接關(guān)系的文本文件，一般包含元器件封裝，網(wǎng)絡(luò)列表和屬性定義等部分。（5）布局：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求、結(jié)構(gòu)圖和原理圖，把元器件放置到板上的過(guò)程。（6）布線：PCB設(shè)計(jì)過(guò)程中，按照設(shè)計(jì)要求...

DDR的PCB布局、布線要求4、對(duì)于DDR的地址及控制信號(hào)，如果掛兩片DDR顆粒時(shí)拓?fù)浣ㄗh采用對(duì)稱的Y型結(jié)構(gòu)，分支端靠近信號(hào)的接收端，串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置（5mm以內(nèi)），并聯(lián)電阻靠近接收端放置（5mm以內(nèi)），布局布線要保證所有地址、控制信號(hào)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的一致性及長(zhǎng)度上的匹配。地址、控制、時(shí)鐘線（遠(yuǎn)端分支結(jié)構(gòu)）的等長(zhǎng)范圍為≤200Mil。5、對(duì)于地址、控制信號(hào)的參考差分時(shí)鐘信號(hào)CK\CK#的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，布局時(shí)串聯(lián)電阻靠近驅(qū)動(dòng)端放置，并聯(lián)電阻靠近接收端放置，布線時(shí)要考慮差分線對(duì)內(nèi)的平行布線及等長(zhǎng)(≤5Mil)要求。6、DDR的IO供電電源是2.5V，對(duì)于控制芯片及DDR芯片，為每個(gè)IO2.5V電源管腳...

射頻、中頻電路（1）射頻電路★基本概念1、射頻：是電磁波按應(yīng)用劃分的定義,專指具有一定波長(zhǎng)可用于無(wú)線電通信的電磁波，射頻PCB可以定義為具有頻率在30MHz至6GHz范圍模擬信號(hào)的PCB。2、微帶線：是一種傳輸線類型。由平行而不相交的帶狀導(dǎo)體和接地平面構(gòu)成。微帶線的結(jié)構(gòu)如下圖中的圖1所示它是由導(dǎo)體條帶（在基片的一邊）和接地板（在基片的另一邊）所構(gòu)成的傳輸線。微帶線是由介質(zhì)基片，接地平板和導(dǎo)體條帶三部分組成。在微帶線中，電磁能量主要是集中在介質(zhì)基片中傳播的，3、屏蔽罩：是無(wú)線設(shè)備中普遍采用的屏蔽措施。其工作原理如下：當(dāng)在電磁發(fā)射源和需要保護(hù)的電路之間插入一高導(dǎo)電性金屬時(shí)，該金屬會(huì)反射和吸收部分輻...

布線優(yōu)化布線優(yōu)化的步驟：連通性檢查→DRC檢查→STUB殘端走線及過(guò)孔檢查→跨分割走線檢查→走線串?dāng)_檢查→殘銅率檢查→走線角度檢查。（1）連通性檢查：整板連通性為100%，未連接網(wǎng)絡(luò)需確認(rèn)并記錄《項(xiàng)目設(shè)計(jì)溝通記錄》中。（2）整板DRC檢查：對(duì)整板DRC進(jìn)行檢查、修改、確認(rèn)、記錄。（3）Stub殘端走線及過(guò)孔檢查：整板檢查Stub殘端走線及孤立過(guò)孔并刪除。（4）跨分割區(qū)域檢查：檢查所有分隔帶區(qū)域，并對(duì)在分隔帶上的阻抗線進(jìn)行調(diào)整。（5）走線串?dāng)_檢查：所有相鄰層走線檢查并調(diào)整。（6）殘銅率檢查：對(duì)稱層需檢查殘銅率是否對(duì)稱并進(jìn)行調(diào)整。（7）走線角度檢查：整板檢查直角、銳角走線。在PCB設(shè)計(jì)中如何繪制結(jié)...

調(diào)整器件字符的方法還有：“1”、“O”、△、或者其他符號(hào)要放在對(duì)應(yīng)的1管腳處；對(duì)BGA器件用英文字母和阿拉伯?dāng)?shù)字構(gòu)成的矩陣方式表示。帶極性器件要把“+”或其他標(biāo)識(shí)放在正極旁；對(duì)于管腳較多的器件要每隔5個(gè)管腳或者收尾管腳都要標(biāo)出管腳號(hào)（6）對(duì)于二極管正極標(biāo)注的擺放需要特別注意：首先在原理圖中確認(rèn)正極對(duì)應(yīng)的管腳號(hào)（接高電壓），然后在PCB中，找到對(duì)應(yīng)的管腳，將正極極性標(biāo)識(shí)放在對(duì)應(yīng)的管腳旁邊7）穩(wěn)壓二級(jí)管是利用pn結(jié)反向擊穿狀態(tài)制成的二極管。所以正極標(biāo)注放在接低電壓的管腳處。如何創(chuàng)建PCB文件、設(shè)置庫(kù)路徑？湖北P(pán)CB設(shè)計(jì)包括哪些評(píng)估平面層數(shù)，電源平面數(shù)的評(píng)估：分析單板電源總數(shù)與分布情況，優(yōu)先關(guān)注分布...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫(xiě)兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫(xiě)操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。OD...

DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB電路板上，而DDRII則把匹配直接設(shè)計(jì)到DRAM芯片內(nèi)部，用來(lái)改善信號(hào)品質(zhì)，這使得DDRII的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)較DDR簡(jiǎn)單，布局布線也相對(duì)較容易一些。說(shuō)明：ODT（On-Die Termination）即芯片內(nèi)部匹配終結(jié)，可以節(jié)省PCB面積，另一方面因?yàn)閿?shù)據(jù)線的串聯(lián)電阻位置很難兼顧讀寫(xiě)兩個(gè)方向的要求。而在DDR2芯片提供一個(gè)ODT引腳來(lái)控制芯片內(nèi)部終結(jié)電阻的開(kāi)關(guān)狀態(tài)。寫(xiě)操作時(shí)，DDR2作為接收端，ODT引腳為高電平打開(kāi)芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻，讀操作時(shí)，DDR2作為發(fā)送端，ODT引腳為低電平關(guān)閉芯片內(nèi)部的終結(jié)電阻。OD...

繪制各禁止布局、布線、限高、亮銅、挖空、銑切、開(kāi)槽、厚度削邊區(qū)域大小，形狀與結(jié)構(gòu)圖完全一致，所在層由各EDA軟件確定。對(duì)以上相應(yīng)區(qū)域設(shè)置如下特性：禁布區(qū)設(shè)置禁止布局、禁止布線屬性；限高區(qū)域設(shè)置對(duì)應(yīng)高度限制屬性；亮銅區(qū)域鋪相應(yīng)網(wǎng)絡(luò)屬性銅皮和加SolderMask；板卡金屬導(dǎo)軌按結(jié)構(gòu)圖要求鋪銅皮和加SolderMask，距導(dǎo)軌內(nèi)沿2mm范圍內(nèi)，禁止布線、打孔、放置器件。挖空、銑切、開(kāi)槽區(qū)域周邊0.5mm范圍增加禁止布局、布線區(qū)域，客戶有特殊要求除外。如何解決PCB設(shè)計(jì)中電源電路放置問(wèn)題？黃岡專業(yè)PCB設(shè)計(jì)功能工藝、層疊和阻抗信息確認(rèn)（1）與客戶確認(rèn)阻抗類型，常見(jiàn)阻抗類型如下：常規(guī)阻抗：?jiǎn)味?0歐姆...

SDRAM模塊SDRAM介紹：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器）的簡(jiǎn)稱，是使用很的一種存儲(chǔ)器，一般應(yīng)用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指時(shí)鐘頻率與SDRAM控制器如CPU前端其時(shí)鐘頻率與CPU前端總線的系統(tǒng)時(shí)鐘頻率相同，并且內(nèi)部命令的發(fā)送和數(shù)據(jù)的傳輸都以它為準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷刷新來(lái)保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性一次存儲(chǔ)，而是自由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫(xiě)。為了配合SDRAM控制芯片的總線位寬，必須配合適當(dāng)數(shù)量的SDRAM芯片顆粒，如32位的...

電源電路放置優(yōu)先處理開(kāi)關(guān)電源模塊布局，并按器件資料要求設(shè)計(jì)。RLC放置（1）濾波電容放置濾波電容靠近管腳擺放（BGA、SOP、QFP等封裝的濾波電容放置），多與BGA電源或地的兩個(gè)管腳共用同一過(guò)孔。BGA封裝下放置濾波電容：BGA封裝過(guò)孔密集很難把所有濾波電容靠近管腳放置，優(yōu)先把電源、地進(jìn)行合并，且合并的管腳不能超過(guò)2個(gè)，充分利用空管腳，騰出空間，放置多的電容，可參考以下放置思路。1、1.0MM間距的BGA，濾波電容可換成圓焊盤(pán)或者8角焊盤(pán)：0402封裝的電容直接放在孔與孔之間；0603封裝的電容可以放在十字通道的中間；大于等于0805封裝的電容放在BGA四周。2、大于1.0間距的BGA，04...