壓敏電阻的選用及注意事項(xiàng) 選用壓敏電阻器前，應(yīng)先了解以下相關(guān)技術(shù)參數(shù)：標(biāo)稱電壓是指在規(guī)定的溫度和直流電流下，壓敏電阻器兩端的電壓值 。漏電流是指在25℃條件下，當(dāng)施加較大連續(xù)直流電壓時(shí)，壓敏電阻器中流過(guò)的電流值。等級(jí)電壓是指壓敏電阻中通過(guò)8/20等級(jí)電流脈沖...

機(jī)器模型/模式自動(dòng)裝配設(shè)備使用導(dǎo)軌、傳動(dòng)帶、滑道、元件運(yùn)送器和其他裝置來(lái)移動(dòng)器件使之按工藝要求的方向運(yùn)動(dòng)，如果設(shè)備設(shè)計(jì)不當(dāng)，傳動(dòng)帶和運(yùn)送系統(tǒng)上可能會(huì)積累大量電荷，這些電荷將在工藝過(guò)程中通過(guò)器件泄放。設(shè)備部件通過(guò)器件放電就稱為機(jī)器模型/模式。帶電器件模型/模式如...

應(yīng)用領(lǐng)域：并行打印端口 對(duì)于傳統(tǒng)的并行端口（IEEE 1284），Philips 提供了多種ESD 保護(hù)二極管組，他們集成在一個(gè)很小的SMD 封裝里，從4 線到18 線不等的ESD 保護(hù)。與離散的二極管相比，這種ESD 的箝位性能更加優(yōu)良。 IEEE 1284...

瞬變二極管主要特性參數(shù)：①反向斷態(tài)電壓（截止電壓）VRWM與反向漏電流IR：反向斷態(tài)電壓（截止電壓）VRWM表示TVS管不導(dǎo)通的最高電壓，在這個(gè)電壓下只有很小的反向漏電流IR。②擊穿電壓VBR：TVS管通過(guò)規(guī)定的測(cè)試電流IT時(shí)的電壓，這是表示TVS管導(dǎo)通的標(biāo)志...

在ESD設(shè)計(jì)中我們會(huì)采用以下方法中的一種或幾種來(lái)進(jìn)行靜電保護(hù)：（1）電路板外端留保護(hù)帶的方法保護(hù)法。這種方法通常是在電路板周?chē)?huà)出不加組焊層的走線。在條件允許的情況下將該走線連接至外殼，同時(shí)要注意該走線不能構(gòu)成一個(gè)封閉的環(huán)，以免形成環(huán)形天線而引入更大的麻煩。2...

選擇靜電保護(hù)元件需要注意的參考系數(shù)我們常常會(huì)看到介紹ESD靜電保護(hù)器、ESD靜電釋放器、ESD靜電阻抗器、貼片壓敏電阻等產(chǎn)品，保護(hù)器件關(guān)鍵的參考系數(shù)是：1.快速響應(yīng)時(shí)間2.低箝位電壓3.高電流浪涌承受能力在選擇ESD靜電保護(hù)元件時(shí)，仍應(yīng)該細(xì)致地做好實(shí)際的對(duì)比，...

ESD的方法介紹四大原則*環(huán)境控制*人員控制*包裝材料控制*人員訓(xùn)練基本方法1.接地接地就是將靜電通過(guò)一條線的連接放入大地，這是防靜電措施中較直接較有效的。導(dǎo)體常用的接地方法有：帶防靜電手腕及工作表面接地等。2.靜電屏蔽靜電敏感元件在儲(chǔ)存或運(yùn)輸過(guò)程中會(huì)暴露于有...

壓敏電阻的金屬氧化較常見(jiàn)的壓敏電阻是金屬氧化物壓敏電阻（MOV,MetalOxideVaristor），它包含由氧化鋅顆粒與少量其他金屬氧化物或聚合物間隔構(gòu)成的陶瓷塊，夾于兩金屬片間。顆粒與鄰近氧化物交界處會(huì)形成二極管效應(yīng)，由于有大量雜亂顆粒，使得它等同于一大...

TVS/ESD靜電保護(hù)元件陣列ESD靜電保護(hù)元器件RLESD保護(hù)器件可避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD的?？商峁┓浅５偷碾娙?，與其他同類元件相比具有更優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試，以及IEC6100-4-2測(cè)試能力，尤其是在多采樣數(shù)（高達(dá)1000）之后。該...

場(chǎng)效應(yīng)管：場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（metal-oxidesemiconductorFET，簡(jiǎn)稱MOS-F...

靜電釋放器件：ESD是靜電釋放(Electro-Staticdischarge)的縮寫(xiě)。我們學(xué)過(guò)，靜電是一種自然現(xiàn)象，通過(guò)接觸、摩擦、電器間感應(yīng)等方式產(chǎn)生，靜電的特點(diǎn)是長(zhǎng)時(shí)間積聚、高電壓(可以產(chǎn)生幾千伏甚至上萬(wàn)伏的靜電)、低電量小電流和作用時(shí)間短。對(duì)于電子產(chǎn)品...

通常在接收端放置瞬態(tài)保護(hù)器。用短而粗的線(長(zhǎng)度小于5倍寬度,較好小于3倍寬度)連接到機(jī)箱地。從連接器出來(lái)的信號(hào)線和地線要直接接到瞬態(tài)保護(hù)器,然后才能接電路的其他部分?！鲈谶B接器處或者離接收電路25mm的范圍內(nèi),要放置濾波電容。(1)用短而粗的線連接到機(jī)箱地或者...

ESD靜電二極管參數(shù)詳解?VRWM：反向截止電壓、通俗地講，就是ESD允許施加的最大工作電壓，在該電壓下ESD處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)ESD的漏電流很小，為幾微安甚至更低。?VBR：擊穿電壓，擊穿電壓是ESD要開(kāi)始動(dòng)作（雪崩擊穿）的電壓，一般在規(guī)定的電流下測(cè)量，通常...

如何消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞？來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);...

通常在接收端放置瞬態(tài)保護(hù)器。用短而粗的線(長(zhǎng)度小于5倍寬度,較好小于3倍寬度)連接到機(jī)箱地。從連接器出來(lái)的信號(hào)線和地線要直接接到瞬態(tài)保護(hù)器,然后才能接電路的其他部分?！鲈谶B接器處或者離接收電路25mm的范圍內(nèi),要放置濾波電容。(1)用短而粗的線連接到機(jī)箱地或者...

一般可以通過(guò)串聯(lián)電阻或者磁珠來(lái)限制ESD放電電流，達(dá)到防靜電的目的。如圖。如手機(jī)的高輸入阻抗的端口可以串1K歐電阻來(lái)防護(hù)，如ADC，輸入的GPIO，按鍵等。不要擔(dān)心0402的電阻會(huì)被打壞，實(shí)踐證明是打不壞的。這里不詳細(xì)分析。用電阻做ESD防護(hù)幾乎不增加成本。如...

在卡的邊緣上放置安裝孔,安裝孔周?chē)脽o(wú)阻焊劑的頂層和底層焊盤(pán)連接到機(jī)箱地上?！鯬CB裝配時(shí),不要在頂層或者底層的焊盤(pán)上涂覆任何焊料。使用具有內(nèi)嵌墊圈的螺釘來(lái)實(shí)現(xiàn)PCB與金屬機(jī)箱/屏蔽層或接地面上支架的緊密接觸?！鲈诿恳粚拥臋C(jī)箱地和電路地之間,要設(shè)置相同的“隔離...

如何消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞？來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);...

ESD的靜電二極管參數(shù)詳解?VRWM：反向截止電壓、通俗地講，就是ESD允許施加的最大工作電壓，在該電壓下ESD處于截止?fàn)顟B(tài)，此時(shí)ESD的漏電流很小，為幾微安甚至更低。?VBR：擊穿電壓，擊穿電壓是ESD要開(kāi)始動(dòng)作（雪崩擊穿）的電壓，一般在規(guī)定的電流下測(cè)量，通...

TVS/ESD靜電保護(hù)元件陣列ESD靜電保護(hù)元器件RLESD保護(hù)器件可避免電子設(shè)備中的敏感電路受到ESD的。可提供非常低的電容，與其他同類元件相比具有更優(yōu)異的傳輸線脈沖（TLP）測(cè)試，以及IEC6100-4-2測(cè)試能力，尤其是在多采樣數(shù)（高達(dá)1000）之后。該...

ESD靜電二極管工作原理ESD（ElectrostaticDischargeProtectionDevices），靜電保護(hù)元器件，又稱瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列（TVSArray），是由多個(gè)TVS晶?；蚨O管采用不同的布局設(shè)計(jì)成具有特定功能的多路或單路ESD保護(hù)器...

靜電保護(hù) 1. 概述 隨著多媒體應(yīng)用在每個(gè)人的日常生活中扮演的角色日益增長(zhǎng)，計(jì)算機(jī)與消費(fèi)電子之間的關(guān)系也日益密切，對(duì)便攜性和功能性方面的增長(zhǎng)會(huì)有持續(xù)性的需求。這就要求元件有更高的集成度——總的趨勢(shì)卻是導(dǎo)致敏感而昂貴的芯片,由于存在外部接口的ESD 浪涌而遭到損...

應(yīng)用領(lǐng)域：并行打印端口 對(duì)于傳統(tǒng)的并行端口（IEEE 1284），Philips 提供了多種ESD 保護(hù)二極管組，他們集成在一個(gè)很小的SMD 封裝里，從4 線到18 線不等的ESD 保護(hù)。與離散的二極管相比，這種ESD 的箝位性能更加優(yōu)良。 IEEE 1284...

2000年嘜芯電子成立于科技之都---深圳。公司致力于成為電子元器件質(zhì)量代理商與分銷(xiāo)商。為電子廠商，包括原設(shè)備生產(chǎn)商（OEMs）、原設(shè)計(jì)生產(chǎn)商（ODMs）和電子制造服務(wù)提供商（EMS)提供質(zhì)量的元器件、工程設(shè)計(jì)及供應(yīng)鏈管理服務(wù)。公司總部位于深圳南山科技園，在香...

ESD 應(yīng)用領(lǐng)域：打印機(jī)，數(shù)碼相機(jī) USB2.0 接口由一對(duì)差分?jǐn)?shù)字信號(hào)構(gòu)成，數(shù)據(jù)傳輸率較高達(dá)到480 Mbps，普遍運(yùn)用于連接個(gè)人PC，筆記本和嵌入式計(jì)算機(jī)工作站的外設(shè)端口。Philips 在USB 運(yùn)用中提供了一系列的低電容的ESD 保護(hù)器件。 3.2 I...

ESD（Electro-Staticdischarge）意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀(jì)中期以來(lái)形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護(hù)等的學(xué)科。因此，國(guó)際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器。在一些電源和低速信號(hào)線上，電容也會(huì)用來(lái)抗...

ESD（Electro-Static discharge）的意思是“靜電釋放”。ESD是20世紀(jì)中期以來(lái)形成的以研究靜電的產(chǎn)生、危害及靜電防護(hù)等的學(xué)科。因此，國(guó)際上習(xí)慣將用于靜電防護(hù)的器材統(tǒng)稱為ESD，中文名稱為靜電阻抗器 IEC61340-5-1:2007標(biāo)...

ESD靜電二極管特性 ?低電容，比較低可達(dá)到零點(diǎn)幾皮法； ?快速響應(yīng)時(shí)間：通常小于1.0PS； ?體積小，小型化器件，節(jié)約PCB空間； ?工作電壓可以根據(jù)IC的工作電壓設(shè)計(jì)，比如：2.8V、3.3V、5V、12V、15V等等...

壓敏電阻 “壓敏電阻"是一種具有非線性伏安特性的電阻器件，主要用于在電路承受過(guò)壓時(shí)進(jìn)行電壓鉗位，吸收多余的電流以保護(hù)敏感器件。英文名稱叫“Voltage Dependent Resistor”簡(jiǎn)寫(xiě)為“VDR”, 或者叫做“Varistor"。壓敏電阻器的電阻體...

電壓保護(hù)器件 實(shí)現(xiàn)音頻設(shè)備ESD和EMI雙重保護(hù) ·出色的ESD保護(hù)能力，符合IEC61000-4-2四級(jí)標(biāo)準(zhǔn) ·可有效壓制無(wú)線通信所產(chǎn)生的TDMA噪聲 ·提高了無(wú)線通信接收器靈敏度 ·工作電壓為直流28V，實(shí)現(xiàn)大功率音頻輸...