溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2.可控硅模塊溫升按下式計(jì)算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。3.可控硅模塊工作溫度的測(cè)定：被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定，通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行，也可單獨(dú)進(jìn)行，被測(cè)減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí)，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度相信大家在了解可控硅模塊的升溫測(cè)試方法之后，在以后的使用中就可以測(cè)試溫度，如果溫度過高就及時(shí)采取降溫措施，這樣能夠提高工作效率，又使機(jī)器受到了保護(hù)。以上便是小編給大家推薦的如何測(cè)試可控硅升溫的方法，希望對(duì)大家有所幫助?？煽毓?，也被叫做晶閘管，它是一種大功率的...

由于雙向可控硅模塊自身特點(diǎn)，在應(yīng)用時(shí)盡量避開Ⅳ象限。如果工作沒有Ⅳ象限，我們可以推薦客戶選用免緩沖三象限系列的雙向可控硅模塊。雙向可控硅模塊象限分布圖和說明：象限：T1(-)T2(+)，G相對(duì)T1為(+)第二象限：T1(-)T2(+)，G相對(duì)T1為(-)第三象限：T1(+)T2(-)，G相對(duì)T1為(-)第四象限：T1(+)T2(-)，G相對(duì)T1為(+)以上就是雙向可控硅模塊的工作象限，希望通過這篇文章可以對(duì)您有所幫助?？煽毓枘K的導(dǎo)通條件有哪些可控硅模塊設(shè)備相信大家都已經(jīng)熟悉并了解了，在您了解的知識(shí)中，您知道可控硅模塊的導(dǎo)通條件是什么嗎？下面正高電氣來講解一下?？煽毓枘K的工作條件：1.當(dāng)可控...

由可控硅組成的調(diào)工系統(tǒng)以及交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)得到了普遍的應(yīng)用。再說說晶閘管“晶閘管”是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，也被叫做可控硅整流器，之前被簡(jiǎn)稱為可控硅。晶閘管它的結(jié)構(gòu)是PNPN半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陰極，陽極以及控制極。晶閘管因?yàn)樗髌鞯奶匦?，被普遍?yīng)用在高電壓，大電流等工作中。接下來說一下兩者的區(qū)別晶閘管又叫可控硅，可控硅是簡(jiǎn)稱，它屬于功率器件領(lǐng)域，是一種半導(dǎo)體的開關(guān)元件。可控硅可以分為單向和雙向可控硅?？煽毓栌腥齻€(gè)，分別由陽極、陰極以及控制極三者組成。而單向可控硅和雙向可控硅的符號(hào)也不相同。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)，而單向可控硅有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓...

可控硅模塊的五種主要參數(shù)體積小、重量輕、可靠性高、價(jià)格低，這是人們對(duì)可控硅模塊的定義?？煽毓枘K憑借著上述的優(yōu)點(diǎn)，一經(jīng)誕生就受到了廣大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧，可謂是供不應(yīng)求?？煽毓枘K通常被稱為功率半導(dǎo)體模塊。它是由三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)組成的大功率半導(dǎo)體器件。正高的小編就和大家聊聊可控硅模塊的五種主要參數(shù)：1.額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2.正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓枘K承受的正向電壓峰值，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。3.反向阻斷峰...

不要將鉚釘芯軸放在設(shè)備接口件的側(cè)面。規(guī)則10：確保Rthj-a足夠低，使可控硅模塊長(zhǎng)期可靠地工作，使TJ保持在不高于Tjmax的值，對(duì)應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度。識(shí)別可控硅模塊的三個(gè)極的方法非常簡(jiǎn)單。根據(jù)P-N結(jié)的原理，可以用萬用表測(cè)量三個(gè)電極之間的電阻。由于缺乏這方面的相關(guān)知識(shí)，許多客戶在識(shí)別可控硅模塊的三極方面存在一些問題，詳情如下：鑒別可控硅模塊三個(gè)極的方法控制極與陰極之間存在P≤N結(jié)，其正向電阻在幾歐姆到幾百歐元之間，反向電阻大于正向電阻。但是，控制極二極管的特性不理想，反向沒有完全阻塞，并且可以通過較大的電流。因此，有時(shí)測(cè)量到的控制極反向電阻相對(duì)較小，這并不意味著控制極的特性不好。此外，在...

在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅模塊被觸發(fā)導(dǎo)通。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出Ug到來得早，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚，可控硅模塊導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小)。在電工技術(shù)中，常把交流電的半個(gè)周期定為180，稱為電角度。這樣，在U2的每個(gè)...

因此不能用平均值而用有效值來表示它的額定電流值。由于可控硅的過載能力比一般電磁器件小，因而一般家電中選用可控硅的電流值為實(shí)際工作電流值的2~3倍。同時(shí)，可控硅承受斷態(tài)重復(fù)峰值電壓VDRM和反向重復(fù)峰值電壓VRRM時(shí)的峰值電流應(yīng)小于器件規(guī)定的IDRM和IRRM。3.對(duì)通態(tài)電壓VTM的選擇：它是可控硅通以規(guī)定倍數(shù)額定電流時(shí)的瞬態(tài)峰值壓降。為了減少可控硅的熱損耗，應(yīng)盡可能選擇VTM小的可控硅。4.對(duì)維持電流：IH是維持可控硅保持通態(tài)所必需的極小主電流，它與結(jié)溫有關(guān)，結(jié)溫越高，則IH越小。5.對(duì)電壓上升率的：dv/dt指的是在關(guān)斷狀態(tài)下電壓的上升斜率，這是防止誤觸發(fā)的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)。由于雙向可控硅的制造...

溫度計(jì)的放置應(yīng)不受外來輻射熱與氣流的影響，環(huán)境溫度數(shù)值的讀取與工作溫度數(shù)值的讀取應(yīng)同時(shí)進(jìn)行。2.可控硅模塊溫升按下式計(jì)算：式中：Δt--可控硅模塊的溫升(℃)。3.可控硅模塊工作溫度的測(cè)定：被測(cè)可控硅模塊溫升的測(cè)定，通常與減速機(jī)的承載能力及傳動(dòng)效率測(cè)定同時(shí)進(jìn)行，也可單獨(dú)進(jìn)行，被測(cè)減速機(jī)在符合規(guī)定時(shí)，讀取它在額定轉(zhuǎn)速、額定輸入功率下的工作溫度相信大家在了解可控硅模塊的升溫測(cè)試方法之后，在以后的使用中就可以測(cè)試溫度，如果溫度過高就及時(shí)采取降溫措施，這樣能夠提高工作效率，又使機(jī)器受到了保護(hù)。以上便是小編給大家推薦的如何測(cè)試可控硅升溫的方法，希望對(duì)大家有所幫助?？煽毓瑁脖唤凶鼍чl管，它是一種大功率的...

若用于交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速、斬波器、逆變電源及各種電子開關(guān)電路等，可選用門極關(guān)斷可控硅模塊。若用于鋸齒波器、長(zhǎng)時(shí)間延時(shí)器、過電壓保護(hù)器及大功率晶體管觸發(fā)電路等，可選用BTG可控硅模塊。若用于電磁灶、電子鎮(zhèn)流器、超聲波電路、超導(dǎo)磁能儲(chǔ)存系統(tǒng)及開關(guān)電源等電路，可選用逆導(dǎo)可控硅模塊。若用于光電耦合器、光探測(cè)器、光報(bào)警器、光計(jì)數(shù)器、光電邏輯電路及自動(dòng)生產(chǎn)線的運(yùn)行監(jiān)控電路，可選用光控可控硅模塊。2．選擇可控硅模塊的主要參數(shù)可控硅模塊的主要參數(shù)應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求而定。所選可控硅模塊應(yīng)留有一定的功率裕量，其額定峰值電壓和額定電流（通態(tài)平均電流）均應(yīng)高于受控電路的較大工作電壓和較大工作電流?？煽毓枘K的正...

用可控硅模塊控制交流的應(yīng)用很廣，單結(jié)晶體管交流調(diào)壓電路就是一種典型的交流調(diào)壓電路。調(diào)壓原理是：通過改變單結(jié)晶體管發(fā)出觸發(fā)脈沖的導(dǎo)通角度來控制可控硅的導(dǎo)通時(shí)間，來實(shí)現(xiàn)交流調(diào)壓。此電路中，單結(jié)晶體管是接在交流電路中的，通過半波整流和降壓獲取工作電源?？煽毓枘K通常在調(diào)壓電路中，觸發(fā)電路由控制電路產(chǎn)生，控制電路工作在直流電路中。其實(shí)，不必深究是否是直流控制交流，只要知道可控硅模塊的控制原理就行了，其基本的原理就是用觸發(fā)脈沖控制可控硅的導(dǎo)通，用較小的觸發(fā)電流控制較大電流的負(fù)載工作。以上就是可控硅模塊的應(yīng)用和控制原理，希望對(duì)您有所幫助。用可控硅模塊三相異步電動(dòng)機(jī)速度的方法可控硅模塊的技術(shù)功能發(fā)展越來越成...

但其缺點(diǎn)是適用于時(shí)間常數(shù)大于開關(guān)周期的系統(tǒng)，如恒溫裝置?？煽毓枘K和固態(tài)繼電器的區(qū)別可控硅模塊與固態(tài)繼電器很相似，說到它們倆很多人都分不清楚，就更不知道它們兩者有什么區(qū)別和作用，下面正高來教您如何區(qū)分一下，并看看他們有什么區(qū)別？所謂單相固態(tài)繼電器，它只相當(dāng)于一個(gè)開關(guān)，不能起到任何調(diào)節(jié)電流的作用，而晶閘管模塊可以控制導(dǎo)通角，可以調(diào)節(jié)電流的大小，并且在一定程度上，單相固態(tài)繼電器可以用可控硅作主要元件。不同的是，固態(tài)繼電器的動(dòng)作電壓和控制電壓通過電路的內(nèi)部部分，如光耦分開，如果你不明白，相信你可以看看一個(gè)固定繼電器的內(nèi)部。此外，晶閘管模塊可以是單向或雙向、過零觸發(fā)或移相觸發(fā)。當(dāng)然，固態(tài)繼電器也是如此...

在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等。它的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通?？梢詮耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形。以上就是正高小編為大家?guī)サ年P(guān)于可控硅模塊的了解，希望會(huì)對(duì)大家?guī)ヒ欢ǖ膸椭?！晶閘管模塊的優(yōu)缺點(diǎn)以及分類晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)：1）用小功率控制大功率，放大倍數(shù)可達(dá)數(shù)十萬倍。2）控制靈敏，響應(yīng)迅速，開關(guān)微秒，時(shí)間短。3）損耗也是比較小的，因?yàn)樗谋旧黼妷壕椭挥?v。4）體積小，重量輕。缺點(diǎn)：1.靜、動(dòng)態(tài)過載能力差2.易受干擾和誤導(dǎo)雙向的優(yōu)點(diǎn)（1）在交流電路中，只有一個(gè)雙向可以代替兩個(gè)普通的反向并聯(lián)；（2）觸發(fā)方式多種多樣，能方便...

散熱器周長(zhǎng)）（散熱器長(zhǎng)度）＋（截面積）２可控硅還有一種別的名稱，叫做可控硅模塊，它在電子、電力行業(yè)的領(lǐng)域也是非常的。比如在可控整流、交流調(diào)壓、無觸點(diǎn)的電子開關(guān)以及變頻等電路中也是可以使用的。那么在這個(gè)提升可控硅模塊的抗干擾能力有什么方法呢？1.為了減少脈沖間的相互干擾，應(yīng)該將可控硅電源與脈沖的電源分開，同樣的原因應(yīng)該也將各路脈沖的電源分開。為了盡量的提高電源輸出的特性的硬度，一定需要采用大容量的電容進(jìn)行濾波。2.地線要接好?！耙稽c(diǎn)接地”的原則，另一個(gè)就是這個(gè)接地的電阻盡可能的去減少。因?yàn)樵谶@個(gè)調(diào)試的過程中，需要減少“毛刺”上，而這就是因?yàn)檫@個(gè)地線沒有處理好。所以說：“一點(diǎn)接地”是很重要的。所以...

不要將鉚釘芯軸放在設(shè)備接口件的側(cè)面。規(guī)則10：確保Rthj-a足夠低，使可控硅模塊長(zhǎng)期可靠地工作，使TJ保持在不高于Tjmax的值，對(duì)應(yīng)于可能的高環(huán)境溫度。識(shí)別可控硅模塊的三個(gè)極的方法非常簡(jiǎn)單。根據(jù)P-N結(jié)的原理，可以用萬用表測(cè)量三個(gè)電極之間的電阻。由于缺乏這方面的相關(guān)知識(shí)，許多客戶在識(shí)別可控硅模塊的三極方面存在一些問題，詳情如下：鑒別可控硅模塊三個(gè)極的方法控制極與陰極之間存在P≤N結(jié)，其正向電阻在幾歐姆到幾百歐元之間，反向電阻大于正向電阻。但是，控制極二極管的特性不理想，反向沒有完全阻塞，并且可以通過較大的電流。因此，有時(shí)測(cè)量到的控制極反向電阻相對(duì)較小，這并不意味著控制極的特性不好。此外，在...

50Hz正弦半波電流的平均值可以在陽極和陰極之間連續(xù)通過。當(dāng)控制極開路未觸發(fā)，陽極正向電壓不超過導(dǎo)電電壓時(shí)，正向阻斷峰值電壓vpf可重復(fù)施加在晶閘管兩端。晶閘管的峰值正電壓不應(yīng)超過手冊(cè)中給出的參數(shù)。反向阻斷峰值電壓vpr當(dāng)受控硅加反向電壓處于反向開關(guān)狀態(tài)時(shí)，反向峰值電壓可在受控硅的兩端重復(fù)。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)中給出的此參數(shù)值?？煽毓璧奶攸c(diǎn)：在指定的環(huán)境溫度下，當(dāng)控制極觸發(fā)電流IG1和觸發(fā)電壓VGT被加到陽極和陰極之間的特定電壓時(shí)，晶閘管從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的較小控制極電流和電壓。將電流IH維持在指定的溫度，控制極開路，并保持晶閘管導(dǎo)電所需的較小陽極正向電流。許多新型晶閘管元件相繼問世，如...

然后感應(yīng)電壓一次次放電直到感應(yīng)電壓低于放電所必須的電壓為止，在這一過程中將產(chǎn)生極大的脈沖束。以上，便是可控硅模塊廠家給大家整理的如何避免可控硅模塊缺點(diǎn)的信息，希望對(duì)大家有所幫助！提起可控硅，相信大家都不陌生，它是一種大功率的電器元件，在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可以作為大功率驅(qū)動(dòng)器件來使用。在可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展后，就形成了所謂的雙向可控硅。雙向可控硅不能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅，比普通的可控硅更簡(jiǎn)單的是，它只需要一個(gè)觸發(fā)電路就能實(shí)現(xiàn)，這是比較理想的交流開關(guān)器件。盡管從形式上可將雙向可控硅看成兩只普通可控硅的組合，但實(shí)際上它是由7只晶體管和多只電阻構(gòu)成的功率集成器件。小功率雙向可控硅一般采用塑料封裝，有...

可在高壓、大電流下工作，并可控制其工作過程。晶閘管可應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓、非接觸式電子開關(guān)、變頻器及變頻等電子電路中。晶閘管模塊通常稱為功率半導(dǎo)體模塊。早在1970年，思門康公司就率先將模塊化原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域。它是一種四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，具有三個(gè)PN結(jié)，采用模塊封裝的形式。可控硅模塊的結(jié)構(gòu)可分為兩類：可控模塊和整流模塊，由內(nèi)部封裝芯片構(gòu)成。具體用途可分為：普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通晶閘管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流器和混合晶閘管模塊(MKC\MZC)、非絕緣晶閘管、整流器和混合模塊(即MTG\千年發(fā)展目標(biāo))...

移相觸發(fā)器對(duì)電網(wǎng)頻率有干擾，在大功率時(shí)更為突出。不過，在一般的工業(yè)場(chǎng)合并不重要，因?yàn)楦鶕?jù)實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，只要不再在示波器和其他需要高精度柵極頻率的儀器上使用加熱器，就不會(huì)有什么問題。此外，移相加熱是一種動(dòng)態(tài)的電壓降低，有利于延長(zhǎng)加熱元件的壽命。過零觸發(fā)的電路比較簡(jiǎn)單、穩(wěn)定而且還可以節(jié)省一塊觸發(fā)板。它的觸發(fā)信號(hào)通常是在0-5V或者是1-5V脈沖，并不建議去使用S7-200。如果溫度控制模塊不是由晶閘管模塊觸發(fā)的，則溫度控制模塊不會(huì)發(fā)送到溫度控制模塊。SCR模塊的選擇應(yīng)注意。國(guó)內(nèi)制造商通常會(huì)標(biāo)注RMScurrent。平均電流約為有效值的60%。選擇時(shí)應(yīng)使用平均值。此外，加熱元件的類型也非常重要。一般來說...

我們應(yīng)該詳細(xì)了解電魚器常見毛病的原因有哪些？1、狀態(tài)毛病：直流過/久壓、直流過流、交流過流、欠壓保護(hù)、頻率偏差過大、接地毛病、缺相等。2、硬件毛?。弘娏靼迕?、觸發(fā)板毛病、IGBT毛病、脈沖電機(jī)毛病等。3、系統(tǒng)毛病：Watchdog毛病、系統(tǒng)參數(shù)異常、時(shí)鐘毛病等。4、通訊毛病：TIMEOUT、OVERRUN等。5、電源毛?。寒?dāng)控制電源過高/過低時(shí)報(bào)警。接下來就讓我們具體分析可控硅的疑問：1、捕魚器操作面板無顯示：應(yīng)該測(cè)量可控硅模塊的控制電壓和12V頻率調(diào)整電壓，若為零，則可控硅運(yùn)用正常，否則需更換質(zhì)量更高的可控硅連接產(chǎn)品；其次測(cè)量捕魚器主接可控硅模塊電阻是否正常；2、電子捕魚器進(jìn)線無法測(cè)量數(shù)據(jù)...

從外層的P還有N引出兩個(gè)電極，為陽極和陰極從中間引出一個(gè)。單向的有著自己的獨(dú)特的特點(diǎn)：當(dāng)陽極和反向的電壓連接，陽極和電壓連接，但是控制不加電壓的時(shí)候，就不會(huì)導(dǎo)通；陽極和控制極連接到正向的電壓的時(shí)候就會(huì)變成no的狀態(tài)，一旦接通，控制電壓將失去控制功能。不管有沒有控制電壓，也不管控制電壓的極性如何，它始終處于接通狀態(tài)。要關(guān)閉，陽極電壓必須降低到臨界值或反轉(zhuǎn)。雙向的管腳大多按T1、T2、G的順序從左到右排列（電極針朝下，面向字符一側(cè)）。當(dāng)增加到控制電極G上的觸發(fā)脈沖的大小或時(shí)間改變時(shí)，傳導(dǎo)電流可以改變。雙向與單向的區(qū)別在于，當(dāng)雙向G極觸發(fā)脈沖的極性發(fā)生變化時(shí)，其導(dǎo)通方向隨極性的變化而變化，從而控制交...

A1、A2間的阻值也是10歐姆左右。隨后斷開A2、G極間短接線，萬用表讀數(shù)應(yīng)不變，保持在10歐姆左右。符合以上規(guī)律，說明被測(cè)雙向可控硅模塊未損壞且三個(gè)引腳極性判斷正確。需要注意的是：在檢測(cè)較大功率的可控硅模塊時(shí)，需要在萬用表黑筆中串接一節(jié)，以提高觸發(fā)電壓。以上便是正高的小編給大家整理的檢查可控硅模塊好壞的方法，希望對(duì)大家有所幫助！可控硅模塊，小編想大家都很了解了。近期，小編發(fā)現(xiàn)了一件神奇的事情：許多人在日常生活中，使用可控硅模塊時(shí)都會(huì)把它封裝起來，小編和許多的人對(duì)這一行為都感到不解，不知為什么？小編收集了一些資料，就和大家簡(jiǎn)單說明一下可控硅模塊封裝起來的原因是什么？這樣做有什么好處？可控硅模塊...

按照關(guān)斷速度來分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻可控硅。過零觸發(fā)，一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅參數(shù)介紹，非過零觸發(fā)，無論交流電電壓在什么相位的時(shí)候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)。以上就是可控硅的分類，你看懂了沒？在電子元器件中，運(yùn)用單向可控硅或者雙向可控硅作為家電的開關(guān)、調(diào)壓的執(zhí)行器件都是非常方便的，不是這樣，而且還可以控制直流、交流電路的負(fù)載功率。在這里，小編就和大家聊一下可控硅在現(xiàn)實(shí)生活中的應(yīng)用范圍：1、觸發(fā)電路的問題如果要讓可控硅觸發(fā)導(dǎo)通，除了要有足夠的觸發(fā)脈沖幅度和正確的極性以外，觸發(fā)電路和可控硅陰極之間必須有共同...

在設(shè)計(jì)雙向可控硅模塊觸發(fā)電路時(shí)，盡可能避免使用3+象限（wt2-，+）。為了減少雜波吸收，將柵極連接的長(zhǎng)度變小，可以直接返回線直接連接到MT1(或陰極)。如果使用硬線，則使用雙螺旋線或屏蔽線。閘門與MT1之間的電阻小于等于1K。高頻旁路電容器與柵電阻串聯(lián)。另一種解決方案是使用H系列低靈敏度雙向可控硅模塊。規(guī)則5：如果DVD/DT或DVCOM/DT出現(xiàn)了問題，可以再在MT1和MT2之間增加RC緩沖電路。如果高的DICOM/DT可能會(huì)引起問題，增加幾個(gè)mh電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決方案是使用hi-com雙向可控硅模塊。標(biāo)準(zhǔn)6：在嚴(yán)重和異常供電的瞬時(shí)過程中，如果可能超過雙向可控硅模塊的電壓互感器，則...

50Hz正弦半波電流的平均值可以在陽極和陰極之間連續(xù)通過。當(dāng)控制極開路未觸發(fā)，陽極正向電壓不超過導(dǎo)電電壓時(shí)，正向阻斷峰值電壓vpf可重復(fù)施加在晶閘管兩端。晶閘管的峰值正電壓不應(yīng)超過手冊(cè)中給出的參數(shù)。反向阻斷峰值電壓vpr當(dāng)受控硅加反向電壓處于反向開關(guān)狀態(tài)時(shí)，反向峰值電壓可在受控硅的兩端重復(fù)。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)中給出的此參數(shù)值?？煽毓璧奶攸c(diǎn)：在指定的環(huán)境溫度下，當(dāng)控制極觸發(fā)電流IG1和觸發(fā)電壓VGT被加到陽極和陰極之間的特定電壓時(shí)，晶閘管從關(guān)斷狀態(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)所需的較小控制極電流和電壓。將電流IH維持在指定的溫度，控制極開路，并保持晶閘管導(dǎo)電所需的較小陽極正向電流。許多新型晶閘管元件相繼問世，如...

可控硅模塊的不足之處應(yīng)該怎么避免？晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)是眾所周知的，但它也有缺點(diǎn)，如：過載和抗干擾能力差，在控制大電感負(fù)載時(shí)，會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾，如何避免這些缺點(diǎn)？以下是一個(gè)很好的解釋。1、靈敏度雙向的是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陽極和陰極，而是稱為T1和T2極。G是控制極。施加在控制極上的電壓，無論是正觸發(fā)脈沖還是負(fù)觸發(fā)脈沖，都能使控制電極接通。在圖1所示的四種情況下，雙向晶閘管都可以觸發(fā)，但觸發(fā)靈敏度不同，即保證雙觸發(fā)時(shí)，可以進(jìn)入晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)的門極電流IGT不同，其中（a）觸發(fā)靈敏度較高，觸發(fā)靈敏度較低。為了保證觸發(fā)和盡可能地限制柵電流，應(yīng)選擇（c）或（d）的觸發(fā)模式。2、過載...

它是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，可控硅模塊的的應(yīng)用范圍十分的廣大。可控硅模塊眾所周知，任何的設(shè)備只有正確操作才能發(fā)揮它應(yīng)有的作用，可控硅模塊在使用的時(shí)候一定要進(jìn)行有效的控制才能發(fā)揮良好的運(yùn)行性能。下面，就讓正高的小編來給您講講控制可控硅模塊的有效方法。1可控硅模塊控制方法：經(jīng)過輸入模塊控制接口一個(gè)可調(diào)的電壓或者電流信號(hào)，通過調(diào)整該信號(hào)的大小即可對(duì)模塊的輸出電壓大小進(jìn)行平滑調(diào)節(jié)，實(shí)現(xiàn)模塊輸出電壓從0V至任一點(diǎn)或全部導(dǎo)通的過程，電壓或者是電流信號(hào)可取自各種控制儀表、計(jì)算機(jī)D/A輸出，電位器直接從直流電源分壓等各種方法；控制信號(hào)采用0-5V，0-10V，4-20mA三大類十分常見...

可控硅模塊的不足之處應(yīng)該怎么避免？晶閘管模塊的優(yōu)點(diǎn)是眾所周知的，但它也有缺點(diǎn)，如：過載和抗干擾能力差，在控制大電感負(fù)載時(shí)，會(huì)對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生干擾和自干擾，如何避免這些缺點(diǎn)？以下是一個(gè)很好的解釋。1、靈敏度雙向的是一個(gè)三端元件，但我們不再稱其兩極為陽極和陰極，而是稱為T1和T2極。G是控制極。施加在控制極上的電壓，無論是正觸發(fā)脈沖還是負(fù)觸發(fā)脈沖，都能使控制電極接通。在圖1所示的四種情況下，雙向晶閘管都可以觸發(fā)，但觸發(fā)靈敏度不同，即保證雙觸發(fā)時(shí)，可以進(jìn)入晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)的門極電流IGT不同，其中（a）觸發(fā)靈敏度較高，觸發(fā)靈敏度較低。為了保證觸發(fā)和盡可能地限制柵電流，應(yīng)選擇（c）或（d）的觸發(fā)模式。2、過載...

由可控硅組成的調(diào)工系統(tǒng)以及交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)得到了普遍的應(yīng)用。再說說晶閘管“晶閘管”是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱，也被叫做可控硅整流器，之前被簡(jiǎn)稱為可控硅。晶閘管它的結(jié)構(gòu)是PNPN半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，有三個(gè)極：陰極，陽極以及控制極。晶閘管因?yàn)樗髌鞯奶匦裕黄毡閼?yīng)用在高電壓，大電流等工作中。接下來說一下兩者的區(qū)別晶閘管又叫可控硅，可控硅是簡(jiǎn)稱，它屬于功率器件領(lǐng)域，是一種半導(dǎo)體的開關(guān)元件。可控硅可以分為單向和雙向可控硅?？煽毓栌腥齻€(gè)，分別由陽極、陰極以及控制極三者組成。而單向可控硅和雙向可控硅的符號(hào)也不相同。單向可控硅有三個(gè)PN結(jié)，而單向可控硅有其獨(dú)特的特性：當(dāng)陽極接反向電壓，或者陽極接正向電壓但控制極不加電壓...

對(duì)于普通反向阻斷型可控硅，其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。可控硅，是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn)，是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣...

由于發(fā)電機(jī)系統(tǒng)的轉(zhuǎn)子主要設(shè)計(jì)為通過負(fù)載的大電感電流，當(dāng)半控橋中的控制電流后過零電壓不為零時(shí)，即使半控橋可以在感性負(fù)載側(cè)設(shè)置續(xù)流管，如果我們繼續(xù)上述晶閘管的壓降，壓降管在續(xù)流管外導(dǎo)通，企業(yè)中流動(dòng)中間的電感電流將被去除，電流仍然會(huì)明顯流過主晶閘管。觸發(fā)脈沖被拋出。在這個(gè)前提下，在電路的正常運(yùn)行中，如果正常的相位脈沖，即使這樣一個(gè)小的保持工作電流晶閘管換向被適當(dāng)?shù)毓潭?，也不?huì)導(dǎo)致失控，但一旦發(fā)生這種情況和數(shù)據(jù)丟失脈沖發(fā)生，晶閘管就不會(huì)失控，以保證企業(yè)的正常換向。目前，可控硅智能調(diào)壓模塊應(yīng)用十分多。可控硅智能調(diào)壓模塊實(shí)現(xiàn)了過流、過壓、超溫功能，需要我們安裝、使用和維護(hù)。它的安裝步驟是什么？1.安裝方式...