2. 陶瓷靶材 ITO靶、氧化鎂靶、氧化鐵靶、濺射靶材氮化硅靶、碳化硅靶、氮化鈦靶、氧化鉻靶、氧化鋅靶、硫化鋅靶、二氧化硅靶、一氧化硅靶、氧化鈰靶、二氧化鋯靶、五氧化二鈮靶、二氧化鈦靶、二氧化鋯靶，、二氧化鉿靶，二硼化鈦靶，二硼化鋯靶，三氧化鎢靶，三氧化二鋁靶五氧化二鉭，五氧化二鈮靶、氟化鎂靶、氟化釔靶、硒化鋅靶、氮化鋁靶，氮化硅靶，氮化硼靶，氮化鈦靶，碳化硅靶，鈮酸鋰靶、鈦酸鐠靶、鈦酸鋇靶、鈦酸鑭靶、氧化鎳靶、濺射靶材等。 所以如果是表面容易變質(zhì)的靶材，如果不拋光去除表面變質(zhì)部分，沉積到基材上的膜層性質(zhì)就是表面變質(zhì)的雜質(zhì)。無(wú)錫鋇靶公司靶真空離子鍍的耐腐蝕性： 金屬零件是要銹蝕的...

NCVM不導(dǎo)電膜是什么，它有哪些特點(diǎn)？ NCVM又稱不連續(xù)鍍膜技術(shù)或不導(dǎo)電電鍍技術(shù)，是一種起緣普通真空電鍍的高新技術(shù)。真空電鍍，簡(jiǎn)稱VM，是vacuum metallization的縮寫(xiě)。它是指金屬材料在真空條件下，運(yùn)用化學(xué)、物理等特定手段進(jìn)行有機(jī)轉(zhuǎn)換，使金屬轉(zhuǎn)換成粒子，沉積或吸附在塑膠材料的表面，形成膜，也就是我們所謂的鍍膜。真空不導(dǎo)電電鍍，又稱NCVM，是英文Non conductive vacuum metallization的縮寫(xiě)。它的加工工藝高于普通真空電鍍，其加工制程比普通制程要復(fù)雜得多。 NCVM特點(diǎn)是采用鍍出金屬及絕緣化合物等薄膜，利用各相不連續(xù)之特性，得到外觀有金屬質(zhì)感且不影...

利用原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)，對(duì)所制備的非晶硅薄膜進(jìn)行了定性和定量的表征，研究了濺射功率、襯底溫度、濺射時(shí)間、氬氣氣壓等因素對(duì)非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度會(huì)隨濺射功率、濺射時(shí)間和濺射氣壓的增加而增大，而隨著襯底加熱溫度的增加而減小。 對(duì)制備的非晶硅薄膜在不同溫度和時(shí)間進(jìn)行了退火處理。再利用X- 射線衍射儀(XRD)和拉曼光譜儀，對(duì)不同退火溫度的樣品進(jìn)行晶化程度的表征。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：不同條件制備的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已發(fā)生不同程度的晶化，并且直流磁控濺射制備的非晶硅薄膜比射頻磁控濺射制備的非晶硅薄膜更容易發(fā)生晶化...

鈀，是銀白色過(guò)渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點(diǎn)/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點(diǎn)/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導(dǎo) 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1：0.00...

中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射與直流反應(yīng)磁控濺射相比具有以下幾個(gè)顯巨優(yōu)點(diǎn)： (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象，中頻反應(yīng)磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應(yīng)磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個(gè)數(shù)量級(jí); (2)可以得到比直流反應(yīng)磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的整個(gè)濺射沉積過(guò)程，可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點(diǎn)上，為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對(duì)稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個(gè)磁控靶進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射，調(diào)節(jié)相應(yīng)的鍍膜工藝參數(shù)，可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定的薄膜沉積，可以達(dá)到上述“中頻-雙靶反應(yīng)磁控濺射”的同樣效果。由金...

塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積脹大，變脆乃至破裂成碎片?；瘜W(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下在空氣和潮濕環(huán)境中穩(wěn)定，加熱至 800℃，鈀表面形成一氧化鈀薄膜。 二、主要產(chǎn)品： 1、鈀 顆粒 99.99% 常規(guī)尺寸：φ3*6mm；量大可定做 2、鈀 靶材 99.99%? 常規(guī)尺寸：φ50*1mm；φ60*3mm；φ76.2*4mm等，尺寸可定做 3、電鏡鈀片常規(guī)尺寸：φ57*0.1mm *0.2mm 4、鈀 箔片 99.9 2mm等，尺寸可定做 二、其他 ： 打穿的鈀靶材、鈀殘料可提供回收再加工 。 回收流程如下： 稱重----清洗、提純---熔煉加工---靶材等成品 高純靶,靶靶材鈀顆粒,鈀粉,鈀靶材 ...

電致變色智能玻璃的特點(diǎn)：電致變色智能玻璃在電場(chǎng)作用下具有光吸收透過(guò)的可調(diào)節(jié)性，可選擇性地吸收或反射外界的熱輻射和內(nèi)部的熱的擴(kuò)散，減少辦公大樓和民用住宅在夏季保持涼爽和冬季保持溫暖而必須消耗的大量能源。同時(shí)起到改善自然光照程度、防窺的目的。解決現(xiàn)代不斷惡化的城市光污染問(wèn)題。是節(jié)能建筑材料的一個(gè)發(fā)展方向。調(diào)光玻璃的調(diào)光原理是：在自然狀態(tài)下（斷電不加電場(chǎng)），它內(nèi)部液晶的排列是無(wú)規(guī)則的，液晶的折射率比外面聚合物的折射率低，入射光在聚合物上發(fā)生散射，呈乳白色，即不透明。當(dāng)加上電場(chǎng)（通電）以后，有彌散分布液晶的聚合物內(nèi)液滴重新排列，液晶從無(wú)序排列變?yōu)槎ㄏ蛴行蚺帕?，使液晶的折射率與聚合物的折射率相等，入射光...

陰-陽(yáng)極間距對(duì)靶濺射電壓的影響：真空氣體放電陰-陽(yáng)極間距能夠?qū)Π袨R射電壓造成一定的影響。在陰-陽(yáng)極間距偏大時(shí)，等效氣體放電的內(nèi)阻主要由等離子體等效內(nèi)阻決定，反之，在陰-陽(yáng)極間距偏小時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致等離子體放電的內(nèi)阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點(diǎn)火起輝后進(jìn)入正常濺射時(shí)，如果陰-陽(yáng)極間距過(guò)小，由于靶電源輸出的濺射電壓具有一定的軟負(fù)載特性，就有可能出現(xiàn)在濺射電流已達(dá)工藝設(shè)定值時(shí)，靶濺射電壓始終很低又調(diào)不起來(lái)的狀況?！肮に囆汀卑须娫纯梢愿纳坪蛷浹a(bǔ)這種狀況;而“經(jīng)濟(jì)型”靶電源對(duì)這種狀況無(wú)能為力。 1. 孿生靶(或雙磁控靶)陰-陽(yáng)極間距 對(duì)稱雙極脈沖中頻靶電源和正弦波中頻靶電源帶孿生靶或雙磁控靶運(yùn)行時(shí)，...

什么是電致變色，它有哪些分類(lèi)：電致變色是指材料的光學(xué)屬性（反射率、透過(guò)率、吸收率等）在外加電場(chǎng)的作用下發(fā)生穩(wěn)定、可逆的顏色變化的現(xiàn)象，在外觀上表現(xiàn)為顏色和透明度的可逆變化。具有電致變色性能的材料稱為電致變色材料，用電致變色材料做成的器件稱為電致變色器件。電致變色材料分類(lèi)：一、無(wú)機(jī)電致變色材料無(wú)機(jī)電致變色材料的典型是三氧化鎢，目前，以WO3為功能材料的電致變色器件已經(jīng)產(chǎn)業(yè)化。二、有機(jī)電致變色材料有機(jī)電致變色材料主要有聚噻吩類(lèi)及其衍生物、紫羅精類(lèi)、四硫富瓦烯、金屬酞菁類(lèi)化合物等。以紫羅精類(lèi)為功能材料的電致變色材料已經(jīng)得到實(shí)際應(yīng)用。靶材的密度不僅影響濺射速率，還影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。南京硫化鐵...

而射頻濺射的使用范圍更為***，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。 三．真空鍍膜中靶材中毒會(huì)出現(xiàn)哪些想象，如何解決？ 1、靶面金屬化合物的形成。 由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反...

靶中毒現(xiàn)象 (1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。 4、靶中毒的物理解釋 （1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V...

濺射靶材的分類(lèi)有哪些？ 金屬濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物 陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，砷化鉛靶材(PbAs)，砷化銦靶材(InAs)。 1. 金屬靶材： 鎳靶、Ni、鈦靶、T濺射靶材i、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl...

陽(yáng)光控制鍍膜玻璃的優(yōu)點(diǎn) 陽(yáng)光控制鍍膜玻璃主要就是為了遮光隔熱，根據(jù)它的物理特性也叫做熱反射鍍膜玻璃，在普通的透明玻璃上通過(guò)磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍上一層或多層薄膜，在這里我們簡(jiǎn)稱反射玻璃。 反射玻璃相對(duì)于普通透明玻璃而言，在太陽(yáng)能的反射性能上，反射玻璃一次的反射比普通玻璃高出4.3倍，第二次的反射高出3.1倍，總的反射就高出3.6倍了；在遮蔽系數(shù)上，反射玻璃比普通玻璃減少0.18，系數(shù)越少，遮光效果就會(huì)越好的，減少太陽(yáng)輻射和熱能的透射；在可見(jiàn)光的反射和透射上，反射玻璃比普通玻璃反射增加了20%～38%，透射減少了55%～70%，具有良好的遮光性能；在傳熱系數(shù)上，反射玻璃比普通玻璃降...

鈀，是銀白色過(guò)渡金屬，較軟，有良好的延展性和可塑性，能鍛造、壓延和拉絲。塊狀金屬鈀能吸收大量氫氣，使體積***脹大，變脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密 度（20℃）/g?cm-3：12.02 熔 點(diǎn)/℃：1552 蒸發(fā)溫度/℃：1460 沸 點(diǎn)/℃：3140 汽化溫度/℃：1317 比 熱 容（25℃）J?（g?K）-1：0.2443 電 阻 率（0℃）/uΩ?cm：10.6 熔 化 熱/kJ?mol-1：16.7 汽 化 熱/ kJ?mol-1：361.7 熱 導(dǎo) 率（0～100℃）/J?（cm?s?℃）-1：0.753 電阻溫度系數(shù)（0～100℃）/℃-1：0.0038...

密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一.在靶材的技術(shù)工藝中為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，一般是要求靶材必須具有較高的密度。因?yàn)榘胁闹饕匦悦芏葘?duì)濺射速率有著很大的影響，并且影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。 是晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級(jí)。對(duì)于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。 此外，提高靶材的密度和強(qiáng)度使靶材能更好地承受濺射過(guò)程中的熱應(yīng)力。密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一。武漢鐵酸鉍靶功能靶氧化物鍍膜技術(shù)在真空鍍鋁膜中...

等離子預(yù)處理工藝在真空鍍鋁膜中的應(yīng)用。 等離子體是電離了的氣體。它由電子、離子和中性粒子3種成分組成，其中電子和離子的電荷總數(shù)基本相等，故整體是電中性的。在基材薄膜鍍鋁前，通過(guò)等離子處理裝置將電離的等離子體中的電子或離子打到基材薄膜表面，一方面，可以打開(kāi)材料的長(zhǎng)分子鏈，出現(xiàn)高能基團(tuán)；另一方面，經(jīng)打擊使薄膜表面出現(xiàn)細(xì)小的凹陷，同時(shí)還可使表面雜質(zhì)離解、重解。電離時(shí)放出的臭氧有強(qiáng)氧化性，附著的雜質(zhì)被氧化而除去，使鍍鋁基材薄膜的表面自由能提高，達(dá)到提高鍍鋁層附著牢度的目的。 等離子預(yù)處理技術(shù)在不同公司其稱呼不同，如英國(guó)Bobst公司、德國(guó)Leybold Optic萊寶光電等稱之為等離子預(yù)處理，美國(guó)Ap...

非晶硅薄膜的制備方法 非晶硅薄膜的制備方法有很多，如低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)，等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，直流(射頻)磁控濺射等。生長(zhǎng)多晶硅薄膜的方法有：化學(xué)氣相沉積包括低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、大氣壓強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(APCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)以及液相生長(zhǎng)、激光再晶化和固相晶化法(SPC)等。固相晶化法是指在(高溫)退火的條件下，使固態(tài)非晶硅薄膜的硅原子被、重組，從而轉(zhuǎn)化為多晶硅薄膜。它的特點(diǎn)是非晶固體發(fā)生晶化的溫度低于其熔融后結(jié)晶的溫度。常規(guī)高溫爐退火、快速熱退火、金屬誘導(dǎo)晶化、微波誘導(dǎo)晶化等都屬于固相晶化的范疇。本文采用PECVD 和磁控濺射...

密度也是靶材的關(guān)鍵性能指標(biāo)之一.在靶材的技術(shù)工藝中為了減少靶材固體中的氣孔，提高濺射薄膜的性能，一般是要求靶材必須具有較高的密度。因?yàn)榘胁闹饕匦悦芏葘?duì)濺射速率有著很大的影響，并且影響著薄膜的電學(xué)和光學(xué)性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。 是晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材為多晶結(jié)構(gòu)，晶粒大小可由微米到毫米量級(jí)。對(duì)于同一種靶材，晶粒細(xì)小的靶的濺射速率比晶粒粗大的靶的濺射速率快；而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。 而晶粒尺寸相差較小(分布均勻)的靶濺射沉積的薄膜的厚度分布更均勻。無(wú)錫硫化鉛靶作用靶 靶中毒現(xiàn)象 (1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成...

電子束鍍膜 Au-T4025 金 靶材 99.99% φ50.8*5mm 磁控濺射鍍膜 Pt-T4034 鉑 靶材 99.99% φ60*4mm 磁控濺射鍍膜 Pd-T3575 鈀 靶材 99.95% φ101.6*5mm 磁控濺射鍍膜 Ag-T4043 銀 靶材 99.99% φ76.2*3mm 磁控濺射鍍膜 Al-T5015 鋁 靶材 99.999% φ50*5mm 磁控濺射鍍膜 Ti-T4543 鈦 靶材 99.995% φ76.2*3mm 磁控濺射鍍膜 Ni-T4562 鎳 靶材 99.995% φ100*2mm 磁控濺射鍍膜 Cr-T4554 鉻 靶材 99.995% φ80*4mm...

陽(yáng)光控制鍍膜玻璃的優(yōu)點(diǎn) 陽(yáng)光控制鍍膜玻璃主要就是為了遮光隔熱，根據(jù)它的物理特性也叫做熱反射鍍膜玻璃，在普通的透明玻璃上通過(guò)磁控濺射真空鍍膜機(jī)鍍上一層或多層薄膜，在這里我們簡(jiǎn)稱反射玻璃。 反射玻璃相對(duì)于普通透明玻璃而言，在太陽(yáng)能的反射性能上，反射玻璃一次的反射比普通玻璃高出4.3倍，第二次的反射高出3.1倍，總的反射就高出3.6倍了；在遮蔽系數(shù)上，反射玻璃比普通玻璃減少0.18，系數(shù)越少，遮光效果就會(huì)越好的，減少太陽(yáng)輻射和熱能的透射；在可見(jiàn)光的反射和透射上，反射玻璃比普通玻璃反射增加了20%～38%，透射減少了55%～70%，具有良好的遮光性能；在傳熱系數(shù)上，反射玻璃比普通玻璃降...

而射頻濺射的使用范圍更為***，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。 三．真空鍍膜中靶材中毒會(huì)出現(xiàn)哪些想象，如何解決？ 1、靶面金屬化合物的形成。 由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反...

靶中毒現(xiàn)象 (1)正離子堆積：靶中毒時(shí)，靶面形成一層絕緣膜，正離子到達(dá)陰極靶面時(shí)由于絕緣層的阻擋，不能直接進(jìn)入陰極靶面，而是堆積在靶面上，容易產(chǎn)生冷場(chǎng)致弧光放電---打弧，使陰極濺射無(wú)法進(jìn)行下去。（2）陽(yáng)極消失：靶中毒時(shí)，接地的真空室壁上也沉積了絕緣膜，到達(dá)陽(yáng)極的電子無(wú)法進(jìn)入陽(yáng)極，形成陽(yáng)極消失現(xiàn)象。 4、靶中毒的物理解釋 （1）一般情況下，金屬化合物的二次電子發(fā)射系數(shù)比金屬的高，靶中毒后，靶材表面都是金屬化合物，在受到離子轟擊之后，釋放的二次電子數(shù)量增加，提高了空間的導(dǎo)通能力，降低了等離子體阻抗，導(dǎo)致濺射電壓降低。從而降低了濺射速率。一般情況下磁控濺射的濺射電壓在400V...

高純金屬的概念： 任何金屬都不能達(dá)到純。“高純”和“超純”具有相對(duì)的含義，是指技術(shù)上達(dá)到的標(biāo)準(zhǔn)。由于技術(shù)的發(fā)展，也常使“超純”的標(biāo)準(zhǔn)升級(jí)。例如過(guò)去高純金屬的雜質(zhì)為 ppm級(jí)（即百萬(wàn)分之幾）,而超純半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)達(dá)ppb級(jí)（十億分之幾）,并將逐步發(fā)展到以ppt級(jí)（一萬(wàn)億分之幾）表示。實(shí)際上純度以幾個(gè)“9”(N)來(lái)表示（如雜質(zhì)總含量為百萬(wàn)分之一，即稱為6個(gè)“9”或6N），是不完整概念，如電子器件用的超純硅以金屬雜質(zhì)計(jì)算，其純度相當(dāng)于9 個(gè)“9”。 但如計(jì)入碳，則可能不到6個(gè)“9”?！俺儭钡南鄬?duì)名詞是指“雜質(zhì)”，廣義的雜質(zhì)是指化學(xué)雜質(zhì)（元素）及“物理雜質(zhì)”，后者是指位錯(cuò)及空位等，而化學(xué)雜質(zhì)是指基...

中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射與直流反應(yīng)磁控濺射相比具有以下幾個(gè)顯巨優(yōu)點(diǎn)： (1)消除了靶面打弧放電現(xiàn)象，中頻反應(yīng)磁控濺射鍍制的絕緣薄膜與直流反應(yīng)磁控濺射鍍制的同種膜相比，膜面缺 陷要少幾個(gè)數(shù)量級(jí); (2)可以得到比直流反應(yīng)磁控濺射高出數(shù)倍的濺射沉積速率; (3)中頻雙靶反應(yīng)磁控濺射的整個(gè)濺射沉積過(guò)程，可以始終穩(wěn)定在所設(shè)定的工作點(diǎn)上，為大規(guī)模工業(yè)化穩(wěn)定生產(chǎn)提供了條件。 選用非對(duì)稱雙極脈沖靶電源與選用“雙靶-中頻靶電源”不同，使用單個(gè)磁控靶進(jìn)行反應(yīng)磁控濺射，調(diào)節(jié)相應(yīng)的鍍膜工藝參數(shù)，可以消除磁控靶面打弧放電現(xiàn)象和實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定的薄膜沉積，可以達(dá)到上述“中頻-雙靶反應(yīng)磁控濺射”的同樣效果。由金...

而射頻濺射的使用范圍更為***，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。濺射靶材射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，目前常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。 三．真空鍍膜中靶材中毒會(huì)出現(xiàn)哪些想象，如何解決？ 1、靶面金屬化合物的形成。 由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則，該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以，化學(xué)反...

基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲(chǔ)器與憶阻器 從真空材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球?qū)ΨQ的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對(duì)電學(xué)輸運(yùn)影響較小且遷移率較高的特點(diǎn)。 利用上述材料優(yōu)勢(shì)，采用室溫工藝，在塑料襯底上制作了高性能IGZO 柔性阻變存儲(chǔ)器。器件在連續(xù)十萬(wàn)次大角度彎折測(cè)試中，性能穩(wěn)定，存儲(chǔ)信息未丟失。變溫電學(xué)輸運(yùn)特性的研究表明：阻變行為與氧離子移動(dòng)密切相關(guān)，該存儲(chǔ)器的低阻導(dǎo)電通道由缺氧局域結(jié)構(gòu)組成，而缺氧態(tài)的局部氧化導(dǎo)致了存儲(chǔ)器由低阻態(tài)向高阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。 在此基礎(chǔ)上，利用IGZO 非晶薄膜的...

基于非晶IGZO真空材料的阻變存儲(chǔ)器與憶阻器 從真空材料結(jié)構(gòu)及電子結(jié)構(gòu)角度入手，將In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球?qū)ΨQ的In 5s 軌道交疊較大，使得該材料具有形變對(duì)電學(xué)輸運(yùn)影響較小且遷移率較高的特點(diǎn)。 利用上述材料優(yōu)勢(shì)，采用室溫工藝，在塑料襯底上制作了高性能IGZO 柔性阻變存儲(chǔ)器。器件在連續(xù)十萬(wàn)次大角度彎折測(cè)試中，性能穩(wěn)定，存儲(chǔ)信息未丟失。變溫電學(xué)輸運(yùn)特性的研究表明：阻變行為與氧離子移動(dòng)密切相關(guān)，該存儲(chǔ)器的低阻導(dǎo)電通道由缺氧局域結(jié)構(gòu)組成，而缺氧態(tài)的局部氧化導(dǎo)致了存儲(chǔ)器由低阻態(tài)向高阻態(tài)的轉(zhuǎn)變。 在此基礎(chǔ)上，利用IGZO 非晶薄膜的...

什么是靶材綁定 主要從靶材綁定的定義，適用范圍和背靶的選擇三個(gè)方面來(lái)為大家介紹一下靶材綁定。 一.靶材綁定的定義 靶材綁定是指用焊料將靶材與背靶焊接起來(lái)。主要由三種方式：壓接、釬焊和導(dǎo)電膠。 1.壓接：采用壓條，一般為了提高接觸的良好性，會(huì)增加石墨紙、Pb或In皮； 2.釬焊：一般使用軟釬料的情況下，要求濺射功率小于20W/cm2，釬料常用In、Sn、In-Sn； 3.導(dǎo)電膠：采用的導(dǎo)電膠要耐高溫，厚度在0.02-0.05um。 二.綁定的適用范圍 建議綁定的靶材： ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及燒結(jié)靶材；錫、銦等軟金屬靶；靶材太薄、...

陰-陽(yáng)極間距對(duì)靶濺射電壓的影響：真空氣體放電陰-陽(yáng)極間距能夠?qū)Π袨R射電壓造成一定的影響。在陰-陽(yáng)極間距偏大時(shí)，等效氣體放電的內(nèi)阻主要由等離子體等效內(nèi)阻決定，反之，在陰-陽(yáng)極間距偏小時(shí)，將會(huì)導(dǎo)致等離子體放電的內(nèi)阻呈現(xiàn)較小數(shù)值。由于在磁控靶點(diǎn)火起輝后進(jìn)入正常濺射時(shí)，如果陰-陽(yáng)極間距過(guò)小，由于靶電源輸出的濺射電壓具有一定的軟負(fù)載特性，就有可能出現(xiàn)在濺射電流已達(dá)工藝設(shè)定值時(shí)，靶濺射電壓始終很低又調(diào)不起來(lái)的狀況。“工藝型”靶電源可以改善和彌補(bǔ)這種狀況;而“經(jīng)濟(jì)型”靶電源對(duì)這種狀況無(wú)能為力。 1. 孿生靶(或雙磁控靶)陰-陽(yáng)極間距 對(duì)稱雙極脈沖中頻靶電源和正弦波中頻靶電源帶孿生靶或雙磁控靶運(yùn)行時(shí)，...

磁控濺射鍍膜生產(chǎn)ZnO∶Al（AZO）薄膜的工藝探討目前主要的薄膜太陽(yáng)能電池有：碲化鎘（CdTe）系薄膜太陽(yáng)能電池、硒銦銅（CIS）系薄膜太陽(yáng)能電池、非晶硅系薄膜太陽(yáng)能電池、晶硅系薄膜太陽(yáng)能電池。研究人員研制出了價(jià)格低廉、原材料豐富且性能穩(wěn)定的絨面ZnO∶Al陷光結(jié)構(gòu)來(lái)作為薄膜太陽(yáng)能電池的前電極。具有彈坑狀絨面結(jié)構(gòu)的AZO透明導(dǎo)電薄膜可以增強(qiáng)太陽(yáng)光的散射作用，改善陷光效果，增加電池對(duì)太陽(yáng)能的吸收量，提高薄膜太陽(yáng)能電池的轉(zhuǎn)換效率。磁控濺射鍍膜工藝在玻璃襯底上制作AZO透明導(dǎo)電薄膜具有成膜速度快、膜層均勻、成膜面積大等優(yōu)點(diǎn)，是較為合適的生產(chǎn)AZO薄膜的工藝方法。目前由磁控濺射工藝生產(chǎn)透明導(dǎo)電薄膜A...