上海科耐迪自主研發(fā)生產(chǎn)的一款新型電動(dòng)執(zhí)行器助力企業(yè)實(shí)現(xiàn)智能化
電動(dòng)執(zhí)行器:實(shí)現(xiàn)智能控制的新一代動(dòng)力裝置
電動(dòng)放料閥:化工行業(yè)的新星,提升生產(chǎn)效率與安全性的利器
創(chuàng)新電動(dòng)執(zhí)行器助力工業(yè)自動(dòng)化,實(shí)現(xiàn)高效生產(chǎn)
簡(jiǎn)單介紹電動(dòng)球閥的作用與功效
電動(dòng)執(zhí)行器如何選型及控制方式
電動(dòng)執(zhí)行器選型指南:如何為您的應(yīng)用選擇合適的執(zhí)行器
電動(dòng)執(zhí)行器主要由哪些部分組成
電動(dòng)執(zhí)行器這些知識(shí),你不能不知道。
電動(dòng)焊接閘閥的維護(hù)保養(yǎng):確保高效運(yùn)轉(zhuǎn)與長(zhǎng)期壽命的關(guān)鍵
鍵合機(jī)特征 高真空,對(duì)準(zhǔn),共價(jià)鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進(jìn)行處理 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導(dǎo)電鍵合 室溫過(guò)程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無(wú)應(yīng)力鍵合界面 高鍵合強(qiáng)度 ...
EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站,實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合...
什么是YONG久鍵合系統(tǒng)呢?EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開(kāi)來(lái),立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)GEMING。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn),EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額,并且安裝...
Plessey工程副總裁JohnWhiteman解釋說(shuō):“GEMINI系統(tǒng)的模塊化設(shè)計(jì)非常適合我們的需求。在一個(gè)系統(tǒng)中啟用預(yù)處理,清潔,對(duì)齊(對(duì)準(zhǔn))和鍵合,這意味著擁有更高的產(chǎn)量和生產(chǎn)量。EVG提供的有質(zhì)服務(wù)對(duì)于快速有效地使系統(tǒng)聯(lián)機(jī)至關(guān)重要?!盓VG的執(zhí)行技術(shù)...
一旦將晶片粘合在一起,就必須測(cè)試粘合表面,看該工藝是否成功。通常,將批處理過(guò)程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測(cè)試方法使用。破壞性測(cè)試方法用于測(cè)試成品的整體剪切強(qiáng)度。非破壞性方法用于評(píng)估粘合過(guò)程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常,從而有助于確保成品沒(méi)有缺陷。EVGr...
一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,以便于視覺(jué)隔離。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中,少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為...
二、EVG501晶圓鍵合機(jī)特征:帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨(dú)特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計(jì)和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合)可選渦輪泵(<1E-5mbar)可升級(jí)陽(yáng)極鍵合開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),...
在鍵合過(guò)程中,將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢(shì)被施加,使得負(fù)電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽(yáng)極)與硅接觸。玻璃中帶正電的...
EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。通過(guò)控制溫度,壓力,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程。也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)li...
鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年,隨著世界上di一個(gè)雙面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明,EVG革新了MEMS技術(shù),并通過(guò)分離對(duì)準(zhǔn)和鍵合工藝在對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹(shù)立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性以...
EVG?301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室:由PP或PFA制成(可選)清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),其他清潔介質(zhì)(可選)旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)...
一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,以便于視覺(jué)隔離。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中,少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為...
晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開(kāi)然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線,而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前,將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見(jiàn)的組件封裝類型一樣,用晶圓級(jí)封裝...
EVG?620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn):±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn):±1μ...
該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件,以保護(hù)它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽(yáng)極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關(guān)聯(lián),在該行業(yè)中,陽(yáng)極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽(yáng)極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,而無(wú)需粘合劑或過(guò)高的溫度,而...
在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前,有機(jī)會(huì)使用自動(dòng)步進(jìn)測(cè)試儀來(lái)測(cè)試它所攜帶的眾多芯片,這些測(cè)試儀將測(cè)試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上,以激勵(lì)和讀取相關(guān)的測(cè)試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法,因?yàn)橛腥毕莸男酒粫?huì)被封裝到ZUI終的組件或集成電路中,而只會(huì)在ZUI終測(cè)試時(shí)被拒...
根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),并且可以通過(guò)簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,...
對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合是晶圓級(jí)涂層,晶圓級(jí)封裝,工程襯底zhizao,晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術(shù)。反過(guò)來(lái),這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上...
完美的多用戶概念(無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶,各種訪問(wèn)權(quán)限,不同的用戶界面語(yǔ)言) 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì),占用空間蕞小 支持紅外對(duì)準(zhǔn)過(guò)程 EVG?610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn):±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn):±1μm3σ ...
半導(dǎo)體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正(P)型半導(dǎo)體或負(fù)(N)型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片,因?yàn)楣枋钱?dāng)夏流行的半導(dǎo)體,這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠...
半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸,并蕞小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于...
EVG?810LT LowTemp?等離子基活系統(tǒng) 適用于SOI,MEMS,化合物半導(dǎo)體和先進(jìn)基板鍵合的低溫等離子體活化系統(tǒng) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG810LTLowTemp?等離子活化系統(tǒng)是具有手動(dòng)操作的單腔獨(dú)力單元。處理室允許進(jìn)行異位處理(晶圓被一一基活并結(jié)...
晶圓級(jí)封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來(lái)許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,封裝和測(cè)試的集成,從而簡(jiǎn)化制造過(guò)程??s短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高...
晶圓級(jí)封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來(lái)許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,封裝和測(cè)試的集成,從而簡(jiǎn)化制造過(guò)程??s短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本。晶圓級(jí)封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高...
Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對(duì)準(zhǔn)器(面對(duì)面,背面,紅外和透明對(duì)準(zhǔn)) 無(wú)需Z軸運(yùn)動(dòng),也無(wú)需重新...
晶圓缺陷檢測(cè)設(shè)備主要用于檢測(cè)半導(dǎo)體晶圓表面的缺陷,以確保晶圓質(zhì)量符合制造要求。其作用包括:1、檢測(cè)晶圓表面的缺陷,如裂紋、坑洼、氧化、污染等,以保證晶圓的質(zhì)量。2、幫助制造商提高生產(chǎn)效率,減少生產(chǎn)成本,提高晶圓的可靠性和穩(wěn)定性。3、提高產(chǎn)品質(zhì)量,減少不良品率,...
薄膜應(yīng)力分析儀產(chǎn)品特點(diǎn):1. 非接觸式測(cè)量:薄膜應(yīng)力分析儀使用激光光學(xué)干涉技術(shù)進(jìn)行測(cè)量,無(wú)需接觸樣品表面,避免了傳統(tǒng)拉力測(cè)試所帶來(lái)的樣品形變和變形的影響。2. 高測(cè)量精度:傳感器的特定位置,結(jié)合計(jì)算機(jī)算法,能夠十分準(zhǔn)確測(cè)量樣品在面內(nèi)方向的表面形變,從而計(jì)算出材...
薄膜應(yīng)力分析儀可以用來(lái)做什么?薄膜應(yīng)力分析儀主要用于測(cè)量薄膜材料的應(yīng)力和形變,可以得出薄膜的應(yīng)力狀態(tài)、力學(xué)性能和穩(wěn)定性等參數(shù)。具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:1. 薄膜材料的質(zhì)量控制和生產(chǎn)過(guò)程的優(yōu)化;2. 薄膜材料的力學(xué)性能研究,如彈性模量、屈服強(qiáng)度、斷裂韌性等;3. 薄膜...
晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)在自動(dòng)化生產(chǎn)中的優(yōu)勢(shì)有以下幾點(diǎn):1、高效性:晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)采用高速圖像處理技術(shù),能夠快速準(zhǔn)確地檢測(cè)晶圓表面的缺陷,提高了生產(chǎn)效率。2、精確性:晶圓缺陷檢測(cè)光學(xué)系統(tǒng)能夠檢測(cè)到微小的缺陷,如1微米以下的缺陷,確保產(chǎn)品質(zhì)量,提高了制造精度。...
薄膜應(yīng)力分析儀存儲(chǔ)注意事項(xiàng):1. 存放環(huán)境:薄膜應(yīng)力分析儀應(yīng)該存放在干燥、通風(fēng)、不受陽(yáng)光直射和震動(dòng)的環(huán)境中,因?yàn)閮x器本身是精密的測(cè)試設(shè)備,需要保持穩(wěn)定的環(huán)境以防止損壞或者機(jī)械性能損失。2. 電源管理:在長(zhǎng)時(shí)間不使用薄膜應(yīng)力分析儀時(shí),應(yīng)該將其拔掉電源并存儲(chǔ)在干燥...