光波導(dǎo)是光子芯片中傳輸光信號(hào)的主要通道,其性能直接影響信號(hào)的損耗。為了實(shí)現(xiàn)較低損耗,需要采用先進(jìn)的光波導(dǎo)設(shè)計(jì)技術(shù)。例如,采用低損耗材料(如氮化硅)制作波導(dǎo),通過(guò)優(yōu)化波導(dǎo)的幾何結(jié)構(gòu)和表面粗糙度,減少光在傳輸過(guò)程中的散射和吸收。此外,還可以采用多層異質(zhì)集成技術(shù),將不同材料的光波導(dǎo)有效集成在一起,實(shí)現(xiàn)光信號(hào)的高效傳輸。光信號(hào)復(fù)用是提高光子芯片傳輸容量的重要手段。在三維光子互連芯片中,可以利用空間模式復(fù)用(SDM)技術(shù),通過(guò)不同的空間模式傳輸多路光信號(hào),從而在不增加波導(dǎo)數(shù)量的前提下提高傳輸容量。為了實(shí)現(xiàn)較低損耗的SDM傳輸,需要設(shè)計(jì)高效的空間模式產(chǎn)生器、復(fù)用器和交換器等器件,并確保這些器件在微型化設(shè)計(jì)的同時(shí)保持低損耗性能。三維光子互連芯片的高效互聯(lián)能力,將為設(shè)備間的數(shù)據(jù)交換提供有力支持。遼寧光通信三維光子互連芯片
三維光子互連芯片是一種將光子器件與電子器件集成在同一芯片上,并通過(guò)三維集成技術(shù)實(shí)現(xiàn)芯片間高速互連的新型芯片。其工作原理主要基于光子傳輸?shù)母咚?、低損耗特性,利用光子在微納米量級(jí)結(jié)構(gòu)中的傳輸和處理能力,實(shí)現(xiàn)芯片間的高效互連。在三維光子互連芯片中,光子器件負(fù)責(zé)將電信號(hào)轉(zhuǎn)換為光信號(hào),并通過(guò)光波導(dǎo)等結(jié)構(gòu)在芯片內(nèi)部或芯片間進(jìn)行傳輸。光信號(hào)在傳輸過(guò)程中幾乎不受電阻、電容等電子元件的影響,因此能夠?qū)崿F(xiàn)極高的傳輸速率和極低的傳輸損耗。同時(shí),三維集成技術(shù)使得不同層次的芯片層可以通過(guò)垂直互連技術(shù)(如TSV)實(shí)現(xiàn)緊密堆疊,進(jìn)一步縮短了信號(hào)傳輸距離,降低了傳輸延遲和功耗。遼寧光通信三維光子互連芯片在三維光子互連芯片中,可以集成光緩存器來(lái)暫存光信號(hào),減少因信號(hào)等待而產(chǎn)生的損耗。
三維光子互連芯片通過(guò)將光子學(xué)器件與電子學(xué)器件集成在同一三維結(jié)構(gòu)中,利用光信號(hào)作為信息傳輸?shù)妮d體,實(shí)現(xiàn)了高速、低延遲的數(shù)據(jù)傳輸。相較于傳統(tǒng)的電子互連技術(shù),光子互連具有幾個(gè)明顯優(yōu)勢(shì)——高帶寬:光信號(hào)的頻率遠(yuǎn)高于電子信號(hào),因此光子互連能夠支持更高的數(shù)據(jù)傳輸帶寬,滿足日益增長(zhǎng)的數(shù)據(jù)通信需求。低延遲:光信號(hào)在介質(zhì)中的傳播速度接近光速,遠(yuǎn)快于電子信號(hào)在導(dǎo)線中的傳播速度,從而明顯降低了數(shù)據(jù)傳輸?shù)难舆t。低功耗:光子器件在傳輸數(shù)據(jù)時(shí)幾乎不產(chǎn)生熱量,相較于電子器件,其功耗更低,有助于降低系統(tǒng)的整體能耗。
三維光子互連芯片的一個(gè)重要優(yōu)點(diǎn)是其高帶寬密度。傳統(tǒng)的電子I/O接口難以有效地?cái)U(kuò)展到超過(guò)100 Gbps的帶寬密度,而三維光子互連芯片則可以實(shí)現(xiàn)Tbps級(jí)別的帶寬密度。這種高帶寬密度使得三維光子互連芯片能夠支持更高密度的數(shù)據(jù)交換和處理,滿足未來(lái)計(jì)算系統(tǒng)對(duì)高帶寬的需求。除了高速傳輸和低能耗外,三維光子互連芯片還具備長(zhǎng)距離傳輸能力。傳統(tǒng)的電子I/O傳輸距離有限,即使使用中繼器也難以實(shí)現(xiàn)長(zhǎng)距離傳輸。而三維光子互連芯片則可以通過(guò)光纖等介質(zhì)實(shí)現(xiàn)數(shù)公里甚至更遠(yuǎn)的傳輸距離。這一特性使得三維光子互連芯片在遠(yuǎn)程通信、數(shù)據(jù)中心互聯(lián)等領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用前景。三維光子互連芯片通過(guò)垂直堆疊設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)了前所未有的集成度,極大提升了芯片的整體性能。
數(shù)據(jù)中心內(nèi)部空間有限,如何在有限的空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的集成度是工程師們需要面對(duì)的重要問(wèn)題。三維光子互連芯片通過(guò)三維集成技術(shù),可以在有限的芯片面積上進(jìn)一步增加器件的集成密度,提高芯片的集成度和性能。三維光子集成結(jié)構(gòu)不僅可以有效避免波導(dǎo)交叉和信道噪聲問(wèn)題,還可以在物理上實(shí)現(xiàn)更緊密的器件布局。這種高集成度的設(shè)計(jì)使得三維光子互連芯片在數(shù)據(jù)中心應(yīng)用中能夠靈活部署,適應(yīng)不同的應(yīng)用場(chǎng)景和需求。同時(shí),三維光子集成技術(shù)也為未來(lái)更高密度的光子集成提供了可能性和技術(shù)支持。通過(guò)三維光子互連芯片,可以構(gòu)建出高密度的光互連網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)海量數(shù)據(jù)的快速傳輸與處理。太原3D PIC
三維光子互連芯片的設(shè)計(jì)還兼顧了電磁兼容性,確保了芯片在復(fù)雜電磁環(huán)境中的穩(wěn)定運(yùn)行。遼寧光通信三維光子互連芯片
在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代,計(jì)算能力的提升已經(jīng)成為推動(dòng)社會(huì)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)升級(jí)的關(guān)鍵因素。然而,隨著云計(jì)算、高性能計(jì)算(HPC)、人工智能(AI)等領(lǐng)域的不斷發(fā)展,對(duì)計(jì)算系統(tǒng)的帶寬密度、功率效率、延遲和傳輸距離的要求日益嚴(yán)苛。傳統(tǒng)的電子互連技術(shù)逐漸暴露出其在這些方面的局限性,而三維光子互連芯片作為一種新興技術(shù),正以其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)成為未來(lái)計(jì)算領(lǐng)域的變革性力量。三維光子互連芯片旨在通過(guò)使用標(biāo)準(zhǔn)制造工藝在CMOS晶體管旁單片集成高性能硅基光電子器件,以取代傳統(tǒng)的電子I/O通信方式。這種技術(shù)通過(guò)光信號(hào)在芯片內(nèi)部及芯片之間的傳輸,實(shí)現(xiàn)了高速、高效、低延遲的數(shù)據(jù)交換。與傳統(tǒng)的電子信號(hào)相比,光子信號(hào)具有傳輸速率高、能耗低、抗電磁干擾等明顯優(yōu)勢(shì)。遼寧光通信三維光子互連芯片