+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級，根據用途選取。額定電壓在比較低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的比較高直流電壓有效值，一般直接標注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復的長久損壞。電容器應用在高壓場合時，必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質/電極層之間存在空隙而產生的，它除了可以產生損壞設備的寄生信號外，還會導致電容器介質擊穿。在交流或脈動條件下，電暈特別容易發(fā)生。對于所有的電容器，在使用中應保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過直流電壓額定值。絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉，主要取決于介質的性能，絕緣電阻越小越好。電容的時間常數(shù)：為恰當?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。損耗角正切(tgδ)：電容在電場作用下，在單位時間內因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內的損耗允許值，電容的損耗主要由介質損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。華科高壓電容原裝現(xiàn)貨。坪山區(qū)CBB電容型號
并聯(lián)后的各個電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓**小的那個電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導體中間夾著一塊絕緣體（介質）構成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質類型可分為無機介質電容器、有機介質電容器和電解電容器三大類。不同介質的電容，在結構、成本、特性、用途方面都大不相同。無機介質電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會經?？吹教沾呻娙?。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應用GHz級別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當然，它的價格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）。應用：脈沖、耦合、旁路等電路單片陶瓷電容器。羅湖區(qū)安規(guī)電容型號華強北國巨正規(guī)代理商。
性能可以差距很大，總之陽極對于電容性能的影響遠遠小于陰極?？勺冸娙萜骺諝饨橘|可變電容器可變電容量：100--1500p主要特點是損耗小，效率高；可根據要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等。應用：電子儀器，廣播電視設備等薄膜介質可變電容器可變電容量：15--550p主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質的大。應用：通訊，廣播接收機等薄膜介質微調電容器可變電容量：1--29p主要特點：損耗較大，體積小應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償陶瓷介質微調電容器可變電容量：主要特點：損耗較小，體積較小應用于精密調諧的高頻振蕩回路獨石電容容量范圍：ΜF(xiàn)耐壓：二倍額定電壓。應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一種叫II型，容量大，但性能一般。簡單的平行板電容器是由一個絕緣的中間介質層加外兩個導電的金屬電極。多層片式陶瓷電容器的結構主要包括三大部分：陶瓷介質，金屬內電極，金屬外電極。它是一個多層疊合的結構，由多個簡單平行板電容器的并聯(lián)體。獨石電容的特點：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定。
有電感、電容等所有系列的產品及相關參數(shù)曲線，非常全，不得不再次推薦一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI電容ClassI電容應用極多的是C0G電容，性能穩(wěn)定，適用于諧振、匹配、濾波等高頻電路。C0G電容的容值十分穩(wěn)定，基本不隨外界條件(頻率除外)變化，下圖是Murata一款1000pF電容的直流、交流及溫度特性。圖片來自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要關注C0G電容的頻率特性。下圖是Murata的3款相同封裝(0402inch)相同容差(5%)的10pF電容的頻率特性對比。圖片來自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高頻系列，可見GQM系列高頻性能更好，自諧振頻率和Q值更高，一些高頻性能要求很高的場合，可以選用容差1%的產品。而GRM系列比較便宜，更加通用，例如EMC濾波。ClassII和ClassIII電容ClassII和ClassIII電容都是高介電常數(shù)介質，性能不穩(wěn)定，容值變化范圍大，通常用作電源去耦或者信號旁路。以Murata一款22uF、、X5R電容為例，相關特性曲線：圖片來自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII電容，容值隨溫度、DC偏置以及AC偏置變化范圍較大。特別是用作電源去耦時。華南風華電容代理商公司。
但使用久了，壽命就有可能降低。電容的介質損耗電容器在電場作用下消耗的能量，通常用損耗功率和電容器的無功功率之比，即損耗角的正切值表示。損耗角越大，電容器的損耗越大，損耗角大的電容不適于高頻情況下工作。DF值是高還是低，就同一品牌、同一系列的電容器來說，與溫度、容量、電壓、頻率……都有關系；當容量相同時，耐壓愈高的DF值就愈低。此外溫度愈高DF值愈高，頻率愈高DF值也會愈高。電容的漏電流電容器的介質對直流電流具有很大的阻礙作用。然而，由于鋁氧化膜介質上浸有電解液，在施加電壓時，重新形成的以及修復氧化膜的時候會產生一種很小的稱之為漏電流的電流。通常，漏電流會隨著溫度和電壓的升高而增大。它的計算公式大致是:I＝K×CV。漏電流I的單位是μA，K是常數(shù)。一般來說，電容器容量愈高，漏電流就愈大。從公式可得知額定電壓愈高，電容的漏電流也愈大，因此降低工作電壓亦可降低漏電流。電容的外型尺寸電容的外型尺寸與重量及接腳型態(tài)相關。singleended是徑向引線式，screw是鎖螺絲式，另外還有貼片鋁電解電容等。至於重量，同容量同耐壓，但品牌不同的兩個電容做比較，重量一定不同；而外型尺寸更與外殼規(guī)劃有關。一般來說。風華電容一級代理商。南山區(qū)獨石電容公司
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電容并聯(lián)電路分析并聯(lián)后的等效電容容量等于各個電容容量之和。并聯(lián)后的各個電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓小的那個電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導體中間夾著一塊絕緣體（介質）構成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質類型可分為無機介質電容器、有機介質電容器和電解電容器三大類。不同介質的電容，在結構、成本、特性、用途方面都大不相同。無機介質電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會經常看到陶瓷電容。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應用GHz級別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當然，它的價格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點：體積小，價廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫。坪山區(qū)CBB電容型號
深圳市巨新科電子有限公司位于深圳市龍崗區(qū)坂田街道崗頭社區(qū)天安云谷產業(yè)園二期4棟2901單元。公司自成立以來，以質量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個細節(jié)，公司旗下二極管，電阻，電容，電感深受客戶的喜愛。公司從事電子元器件多年，有著創(chuàng)新的設計、強大的技術，還有一批專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產品及服務。在社會各界的鼎力支持下，持續(xù)創(chuàng)新，不斷鑄造高質量服務體驗，為客戶成功提供堅實有力的支持。