ITO蝕刻液是通過(guò)侵蝕材料的特性來(lái)進(jìn)行雕刻的一種液體,是一種銅版畫(huà)雕刻用原料。從理論上講,凡能氧化鋼而生成可溶性銅鹽的試劑,都可以用來(lái)蝕刻敷銅箔板,但是ITO蝕刻液用途要權(quán)衡對(duì)抗蝕層的破壞情況、蝕刻速度,溶液再生及銅的回收、環(huán)境保護(hù)及經(jīng)濟(jì)效果等各方面的影響因素選擇合適的試劑。對(duì)于ITO蝕刻液用法的理解,我們可以用個(gè)比較通俗的說(shuō)法,那就是使用具有腐蝕性的一些化學(xué)材料對(duì)某種物品進(jìn)行腐蝕,將不需要的部分腐蝕掉,從而將其雕刻成所需要的目標(biāo)物品的過(guò)程。那這個(gè)具有腐蝕性的化學(xué)材料,就稱為ITO蝕刻液了ITO顯影液的濃度是指顯影劑的相對(duì)含量。蘇州顯示屏蝕刻藥水供應(yīng)商
影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素:1、Cu2+離子濃度的影響:Cu2+是氧化劑,所以Cu2+的濃度是影響蝕刻速率的主要因素。研究銅濃度與蝕刻速率的關(guān)系表明:在0~82g/L時(shí),蝕刻時(shí)間長(zhǎng);在82~120g/L時(shí),蝕刻速率較低,且溶液控制困難;在135~165g/L時(shí),蝕刻速率高且溶液穩(wěn)定;在165~225g/L時(shí),溶液不穩(wěn)定,趨向于產(chǎn)生沉淀。2、氯化銨含量的影響:通過(guò)蝕刻再生的化學(xué)反應(yīng)可以看出:[Cu(NH3)2]+的再生需要有過(guò)量的NH3和NH4Cl存在,如果溶液中缺乏NH4Cl,大量的[Cu(NH3)2]+得不到再生,蝕刻速率就會(huì)降低,以致失去蝕刻能力。所以,氯化銨的含量對(duì)蝕刻速率影響很大。隨著蝕刻的進(jìn)行,要不斷補(bǔ)加氯化銨。蘇州TIO顯影藥劑哪家性價(jià)比高ITO顯影液用于黑白膠片顯影的顯影液稱黑白顯影液。
影響ITO堿性氯化銅蝕刻液蝕刻速率的因素:溶液pH值的影響。蝕刻液的pH值應(yīng)保持在8.0~8.8之間,當(dāng)pH值降到8.0以下時(shí),一方面對(duì)金屬抗蝕層不利;另一方面,蝕刻液中的銅不能被完全絡(luò)合成銅氨絡(luò)離子,溶液要出現(xiàn)沉淀,并在槽底形成泥狀沉淀,這些泥狀沉淀能在加熱器上結(jié)成硬皮,可能損壞加熱器,還會(huì)堵塞泵和噴嘴,給蝕刻造成困難。如果溶液pH值過(guò)高,蝕刻液中氨過(guò)飽和,游離氨釋放到大氣中,導(dǎo)致環(huán)境污染;同時(shí),溶液的pH值增大也會(huì)增大側(cè)蝕的程度,從而影響蝕刻的精度。
ITO顯影液是一種重要的濕電子化學(xué)品,也是半導(dǎo)體、顯示面板、太陽(yáng)能電池制作過(guò)程中關(guān)鍵的原材料之一。顯影液質(zhì)量的優(yōu)劣,直接影響電子產(chǎn)品的質(zhì)量,電子行業(yè)對(duì)顯影液的一般要求是超凈和高純。半導(dǎo)體、顯示面板、太陽(yáng)能電池等行業(yè)發(fā)展速度快,屬于國(guó)家大力發(fā)展的戰(zhàn)略新興行業(yè)。顯影液的市場(chǎng)需求會(huì)隨著這些行業(yè)的快速發(fā)展而不斷增長(zhǎng),同時(shí)也拉動(dòng)了生產(chǎn)顯影液的主要原材料—碳酸二甲酯的需求。ITO顯影液主要應(yīng)用于半導(dǎo)體、顯示面板、太陽(yáng)能電池等行業(yè),對(duì)應(yīng)的終端產(chǎn)品為芯片、智能終端、太陽(yáng)能電池板。ITO蝕刻液是一種無(wú)色透明的液體,無(wú)刺激性氣味,有輕微腐蝕性。
影響ITO蝕刻液側(cè)蝕的因素很多,下面概述幾點(diǎn):1)蝕刻方式:浸泡和鼓泡式蝕刻會(huì)造成較大的側(cè)蝕,潑濺和噴淋式蝕刻側(cè)蝕較小,尤以噴淋蝕刻效果較好。2)蝕刻液的種類:不同的蝕刻液化學(xué)組分不同,其蝕刻速率就不同,蝕刻系數(shù)也不同。例如:酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3,堿性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)可達(dá)到4。近來(lái)的研究表明,以硝酸為基礎(chǔ)的蝕刻系統(tǒng)可以做到幾乎沒(méi)有側(cè)蝕,達(dá)到蝕刻的線條側(cè)壁接近垂直。這種蝕刻系統(tǒng)正有待于開(kāi)發(fā)。ITO顯影液濃度越大,顯影速度越快。蘇州TIO清潔藥水現(xiàn)貨供應(yīng)
ITO酸性氯化銅蝕刻液的蝕刻系數(shù)通常為3。蘇州顯示屏蝕刻藥水供應(yīng)商
ITO蝕刻液影響蝕刻速率的因素:酸性氯化銅蝕刻液。Cl-含量的影響。溶液中氯離子濃度與蝕刻速率有著密切的關(guān)系,當(dāng)鹽酸濃度升高時(shí),蝕刻時(shí)間減少。在含有6N的HCl溶液中蝕刻時(shí)間至少是在水溶液里的1/3,并且能夠提高溶銅量。但是,鹽酸濃度不可超過(guò)6N,高于6N鹽酸的揮發(fā)量大且對(duì)設(shè)備腐蝕,并且隨著酸濃度的增加,氯化銅的溶解度迅速降低。添加Cl-可以提高蝕刻速率的原因是:在氯化銅溶液中發(fā)生銅的蝕刻反應(yīng)時(shí),生成的Cu2Cl2不易溶于水,則在銅的表面形成一層氯化亞銅膜,這種膜能夠阻止反應(yīng)的進(jìn)一步進(jìn)行。過(guò)量的Cl-能與Cu2Cl2絡(luò)合形成可溶性的絡(luò)離子(CuCl3)2-,從銅表面上溶解下來(lái),從而提高了蝕刻速率。蘇州顯示屏蝕刻藥水供應(yīng)商
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